• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2011년도 춘계학술대회 및 Fine pattern PCB 표면 처리 기술 워크샵
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• pp.149-150
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• 2011

미세화된 반도체 배선에 무전해 은도금을 적용하고자 새로운 Pd 활성화 공정을 제안하였다. 시편 표면에 작은 크기의 Pd 입자를 균일하게 분포시키기 위하여 Pd 활성화 도중 초음파을 가하였다. 추가적인 무전해 은 도금을 실시하여, 초음파에 의한 Pd 입자 분산이 은도금 피막 형성에 미치는 영향에 대하여 고찰하였다.

• 한국재료학회지
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• 제6권1호
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• pp.124-129
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• 1996

TiN 기판상에 CVD와 무전해 도금을 이용하여 구리막을 성장시킬 때 여러 가지 전처리에 따른 증착 양상의 변화에 관하여 조사하였다. Cu(hfac)2를 선재(precursor)로 사용하여 CVD 증착을 실시할 때 각 전처리에 따른 TiN상의 구리막의 덮힘성(coverage)향상은 Pd-HF 활성화 처리>>HF dip> RF remote plasma의 순이었다. 특히 Pd-HF 활성화 처리를 해줄 경우 거의 완전한 연속막을 얻을수 있었으며 scotch tape peel test 결과 매우 양호한 부착특성을 보였으나, 이에 비해 전처리를 해주지 않은 경우에는 오랜 시간이 경과되어도 연속막으로 성장하지 못하고 섬모양의 큰 결정립을 이룰 뿐이었다. 이러한 차이는 Pd-HF 활성화 처리에 의해 표면에 미세하게 형성된 Pd층이 구리의 핵생성과 부착특성을 크게 향상시켰기 때문인 것으로 사료되며 이러한 효과는 무전해 도금의 경우에도 마찬가지였다. 그리고 기판과 증착온도에 따른 선택성을 보면 35$0^{\circ}C$이하에서는 pd-HF 활성화 처리에 의해서 SiO2에 대하여 TiN으로의 선택성을 가지나 그 이상의 온도에서는 선택성이 상실되었다.

• 한국수소및신에너지학회논문집
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• 제9권3호
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• pp.127-133
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• 1998

각각 다른 기판온도에서 진공 증착법으로 제작된 Pd 박막들의(두께 ) 수소 흡수-방출 동역학을 실험하였다. 상, 온도영역에서 수소기체를 흡수-방출 시키면서 정방향과 역방향 활성화에너지를 구하고 반응엔탈피를 구하였다. 기판의 온도가 상온인 시료는 정반응 활성화에너지가 kcal/mol H이고 역방향은 kcal/mol H 반응엔탈피는 -2kcal/mol H였다. 기판의 온도가 인 시료는 정방향 활성화에너지 kcal/mol H 이고 역방향 활성화에너지 kcal/mol H였다. 기판의 온도가 상온인 시료의 구조적 치밀성, 온도변화에 따른 비저항 값의 변화율 등을 측정해 보았을 때 기판의 온도가 상온인 시료에 비하여 더 안정된 상태였지만 활성화 에너지의 오차값이 크게 얻어졌다.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2001년도 춘계연구발표회 논문개요집
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• pp.18-19
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• 2001

• 한국수소및신에너지학회논문집
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• 제9권1호
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• pp.25-30
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• 1998

${\alpha}$상 영역에서의 Pd박막(두께 $180{\AA}$)의 수소흡수 동역학을 4극 전기비저항측정법을 이용하여 연구하였다. 기체상태의 수소를 Pd 박막에 흡수시켰다. ${\alpha}$상의 매우 낮은 농도영역에서 수소 반응율이 다음과 같이 나타내어졌다. $$v=k\frac{1}{1+KX{_H}}PH{_2}-k^{\prime}\frac{KX{_H}{^2}}{1+KX{_H}}$$ 이는 덩어리 시료의 경우와 같다. 정방향반응의 활성화에너지는 4.6kcal/mol H이고 역방향반응의 활성화에너지는 8.4kcal/mol H이다. 반응엔탈피는 25에서 $40^{\circ}C$영역에서 -3.8kcal/mol H 이다. 박막의 활성화에너지와 반응엔탈피값들은 덩어리의 경우에 비하여 조금 작았는데 이는 덩어리와 박막의 표면적의 차이에 의한것으로 추정된다.

• 한국수소및신에너지학회논문집
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• 제10권4호
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• pp.191-196
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• 1999

팔라디움 박막시료들(두께 18~67nm)에 대한 수소 흡수-방출 동역학을 4-극 전기비저항 측정법을 이용하여 연구하였다. 실험온도와 수소압력은 $25{\sim}50^{\circ}C$, 0~5 torr 범위였다. 팔라디움 박막은 고진공내에서 열증착 방법으로 사파이어 기판 위에 제작하였다. 수소 흡수-방출과정을 약 100회 반복할 때 까지 시료들의 분말화 현상은 관찰되지 않았으나 박막의 일부가 기판으로부터 분리되는 현상이 관찰되었다. 정방향 반응과 역방향 반응을 분리하여 분석하였다. 반응율에 대한 Arrhenius 그림에서 수소 흡수 방출 활성화 에너지를 얻었다. 팔라디움 박막의 활성화 에너지값들은 박막의 두께 변화에 강하게 의존하지 않았다. 그러나 매우 앓은 박막(두께 18nm)의 활성화 에너지값은 다른 박막의 활성화 에너지 값들보다 작은 경향을 보였다.

• 대한화학회지
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• 제35권4호
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• pp.362-367
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• 1991

친핵치환반응 ([Pd(ONN)Cl] ＋ Y$^-\;{\rightleftharpoons}$ [Pd(ONN)Y] + Cl$^-$ ; Y = SCN$^-$, CN$^-$, N$_3^-$, imidazole, pyridine)속도를 25 ~ 45$^{\circ}C$ 범위에서 분광광도법으로 측정하였다. 친핵체의 반응성상수, n$_{Pd}^{\circ}$를 계산했으며 그 값은 CN$^-$ > SCN$^-$ > N$_3^-$ > Imidazole > Pyridine의 순서였다. 활성화엔탈피(${\Delta}H^{\neq}$)는 작은 양(+)의 값을, 활성화엔트로피(${\Delta}S^{\neq}$)는 큰 음(-)의 값을 가졌다. 이 결과로 보아 이 착물의 친핵 치환반응은 회합(A) 메카니즘으로 진행됨을 알 수 있었다.

• 대한화학회지
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• 제50권5호
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• pp.369-373
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• 2006

Pd(CF3CO2)2-phosphine 및 Pd(CF3CO2)2-sulfide 계를 촉매로 사용하여 styrene의 아릴화반응을 연구하였다. 주 생성물인 trans-stilbene의 수율은 phosphine 치환체의 염기도가 증가할수록 높아졌고 입체장애가 클수록 낮아졌다. arylphosphine에서 styrene으로 aryl 기가 이동하는 현상은 동일한 arylphosphine에 대하여 Pd(CF3CO2)2의 경우가 더 높은 염기도를 가진 Pd(CH3CO2)2의 경우보다 더 많이 나타났으므로 이 반응은 Pd 이온이 먼저 aryl 기에 공격을 하는 친전자성 메커니즘에 의해 진행된다고 본다. 한편 Pd(CF3CO2)2-sulfide보다 Pd(CF3CO2)2-phosphine 계가 더 효과적인 촉매로 작용하였다.

• 한국수소및신에너지학회논문집
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• 제17권2호
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• pp.234-240
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• 2006

Al film(135.5 nm thick) with Pd film(39.6 nm thick) on the top of it was made by thermal evaporation method. Hydrogen absorption of Al/Pd film was measured by quartz crystal microbalance(QCM) method at room temperature. The sample was activated by hydrogen absorption and desorption cycling at room temperature. Hydrogen was introduced into the film by increasing hydrogen gas pressure step by step up to 640 torr at room temperature. Hydrogen concentration reached up to 25% at $5{\sim}10$ torr. But at high pressure the concentration decreased. This strange tendency was not understood yet. Further study is needed to find out the mechanism of hydrogen absorption in Al in Al/Pd film.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2001년도 제21회 학술발표회 초록집
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• pp.88-89
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• 2001