• Progress in Superconductivity
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• 제11권2호
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• pp.92-95
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• 2010

$SrPd_2Ge_2$ single crystals were grown by self-flux method. Several shiny plate-like single crystals were obtained. The crystal structure and lattice parameters were characterized using the x-ray diffractometor, which indicates the crystals are in a single phase of $ThCr_2Si_2$-type. We confirmed superconducting transition temperature at 2.7 K by measuring magnetization and electrical resistivity.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2005년도 춘계 학술대회
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• pp.173-179
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• 2005

본 연구에서는 Nickel-Metal Induced Lateral crystallization(Ni-MILC)에 depart에 따른 영향을 관찰함에 있어 Nickel에 Palladium Metal을 인접시켜(Pd assisted Ni-MILC) 그 결정화 속도를 향상시키는 방법을 제안하였다. a-Si에 Phosphorous가 doping 되어 있는 경우 Ni-MILC의 성장은 intrinsic에 비해 2.5배 감소되는 반면, Boron을 doping한 경우 Ni-MILC의 성장은 intrinsic의 경우보다 5배 이상의 성장을 보이게 되는데, well type의 Pd을 인접시킨 경우 Pd에 의해 유도된 tensile stress가 각 doping에 따른 성장 속도를 더욱 증대시키는 것을 확인할 수 있었으며, 이와 같은 현상을 MILC mechanism으로 설명하였다. 이는 Ni-MILC를 이용하여 다결정 실리콘 TFT 제작 시 결정화 속도로 인하여 문제가 되었던 N-type에서의 적용이 가능함과 동시에 contact MILC 등의 방법에도 이용가능성을 의미한다.

• 한국재료학회지
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• 제6권9호
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• pp.900-904
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• 1996

비정질 실리콘의 표면에 Ni과 Pd를 형성하여 측면으로의 결정화 속도를 향상시켰다. Ni에 의해 비정질 실리콘이 측면으로 결정화될 때 그 성장 속도는 50$0^{\circ}C$에서 3w$\mu\textrm{m}$/hour였으며 이때의 활성화 에너지는 2.87eV로 나타났다. Pd의 경우는 Pd2Si의 형성에 의해 압축 응력이 유발되어 Pdrks의 간격이 좁을수록 측면으로의 결정화 속도가 증가하였다. Ni과 Pd을 각각 다른 부분에 증착시키고 결정화시키면 Ni에 의해 측면으로 결정화되는 속도가 Ni만으로 결정화시킬 때 보다 약 2배 이상의 측면결정화 속도를 보였다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제30권3호
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• pp.573-576
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• 2009

The reaction of $(en)Pd(NO_3)_2$ (en = ethylenediamine) with 1,4-bis(dimethyl-4-pyridylsilyl)benzene (L) affords cyclodimer, $[(en)Pd(L)]_2(NO_3)_4$, whereas the reaction of $(tmeda)Pd(NO_3)_2$ (tmeda = N,N,N’,N’-tetramethylethylenediamine) with L gives cyclotrimer, $[(tmeda)Pd(L)]_3(NO_3)_6$. Both complexes exist as catenane in water. The catenated cyclodimer is rigid whereas the catenated cyclotrimer is dynamic in water. The catenated cyclotrimers afford hydrogel containing 98.5% water below 2 ${^{\circ}C}$. The hydrogel changes to its sol around 38 ${^{\circ}C}$, and to its clear solution at 78 ${^{\circ}C}$. Such a notable difference between $[(en)Pd(L)]_2(NO_3)_4$ and $[(tmeda)Pd(L)]_3(NO_3)_6$ might be explained by their different dynamic behavior via ring size effects.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제17권4호
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• pp.483-491
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• 2017

The interdigitated germanium (Ge) meta-lsemiconductor-metal (MSM) photodetectors (PDs) with and without an $SiO_2$ anti-reflection (AR) layer was fabricated, and the effect of $SiO_2$ AR layer on their optoelectronic response properties were investigated in detail. The lowest reflectance of 15.6% at the wavelength of 1550 nm was obtained with a $SiO_2$ AR layer with a thickness of 260 nm, which was in a good agreement with theoretically calculated film thickness for minimizing the reflection of Ge surface. The Ge MSM PD with 260 nm-thick $SiO_2$ AR layer exhibited enhanced device performance with the maximum values of responsivity of 0.65 A/W, the quantum efficiency of 52.2%, and the detectivity of $2.49{\times}10^9cm\;Hz^{0.5}W^{-1}$ under the light illumination with a wavelength of 1550 nm. Moreover, time-dependent switching analysis of Ge MSM PD with 260 nm- thick $SiO_2$ AR layer showed highest on/off ratio with excellent stability and reproducibility. All this investigation implies that 260 nm-thick $SiO_2$ AR layer, which is effective in the reduction in the reflection of Ge surface, has a great potential for Ge based optoelectronic devices.

• 전자공학회논문지A
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• 제31A권6호
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• pp.88-97
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• 1994

We describe the design, fabrication, and performance of the optical fiber-photodiode 1$\times$12 arry module using mesa-type InS10.53T GaS10.47TAS/INP 1$\times$12 PIN photodiode array. We fabricated the PIN PD array for high-speed optical fiber parallel data link optimizing quantum efficiency, operating speed sensitivity from the PIN-FET structure, and electrical AC crosstalk. For each element of the array, the diameter of the photodetective area is 80 $\mu$m, the diameter of the p-metal pad is 90 $\mu$m, and the photodiode seperation is 250 $\mu$m to use Si v-groove. Ground conductor line is placed around diodes and p-metal pads are formed in zigzag to reduce Ac capacitance coupling between array elements. The dark current (IS1dT) is I nA and the capacitance(CS1pDT) is 0.9 pF at -5 V. No signifcant variations of IS1dT and CPD from element to element in the array were observed. We calulated the coupling efficiency for 10/125 SMF and 50/125 GI MMF, and measured the responsivity of the PD array at the wavelength is 1.55 $\mu$ m. Responsivities are 0.93 A/W for SMF and 0.96 A/W for MMF. The optical fiber-PD array module is useful in numerous high speed digital and analog photonic system applications.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.91-91
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• 2009

In the past decade, Pd based thin films have been studied far hydrogen gas sensors due to their high possibility for energy industry and environmental applications. In this work, we report a navel method to fabricate highly sensitive hydrogen gas sensors based on PdO thin films. The films were deposited on Si substrates in Ar and $O_2$ ambient using reactive sputtering system. A semiconductor process has been utilized to fabricate PdO films with t=40nm. We observed the resistance changes of the PdO films with various $H_2$ concentrations. It was found that the electrical properties of the thin films depend on the composition of oxygen. The sensitivity is defined as $S\;=\;(R_0-R)/R{\times}100%$, where R and $R_0$ are the resistances in the presence of exposing the hydrogen gas and air, respectively. The sensitivity of the thin films was found to be as high as about 95%. After exposing to hydrogen gas, we discovered that the nano-sized cracks formed on the surface of the PdO thin films. The nano-cracks formed in deoxidized PdO thin films were known by playing a key role to reduce more than 4 times the response time of absorption. Our results illustrate that the deoxidized PdO thin films can be used as hydrogen sensors.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제16권1호
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• pp.59.2-59
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• 2003

• 한국자기학회지
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• 제22권1호
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• pp.1-5
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• 2012

본 연구에서는 대표적인 수직자기 이방성 물질인 $[Pd/Co]_5$ 초격자 다층박막 구조에서 교환 바이어스 현상을 연구하기 위해 Si/$[Pd/Co]_5$/FeMn 구조의 시료를 제작하고, FeMn 층의 두께 변화에 따른 교환바이어스의 변화에 대한 연구를 자기이력곡선의 측정을 통해 수행하였다. 그리고 수직자기 이방성을 최적화하기 위해 Pd의 두께를 1.1 nm로 고정하고 강자성인 Co의 두께 변화에 따른 수직자기이방성 변화를 고찰하였다. 그 결과, FeMn 층이 없을 때 Co의 두께 0.3 nm에서 가장 큰 보자력을 보였다. FeMn 층의 두께를 고정시킨 후 Co의 두께 변화를 관찰하였을 때도 0.3 nm일 때 가장 큰 교환 바이어스가 관찰되었다. FeMn 층의 두께 변화에 대해서는 FeMn 층의 두께가 5 nm일 때 보자력이 가장 크게 나타났으며, 그 이상에서는 일정한 값을 가졌다. FeMn 층의 두께가 3 nm 이하일 때는 교환바이어스 효과가 관찰되지 않았으며, 15 nm가 될 때까지 지속적으로 증가하는 결과를 관찰하였다.

• 한국임상수의학회지
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• 제30권1호
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• pp.5-11
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• 2013

급성 위궤양은 위점막에서 세포증식과 세포사멸의 불균형으로 발병되어진다. 현재 Platycodin D (PD)는 항산화 및 항염증 등의 다양한 약리효능을 가진다고 보고되고 있다. 본 실험은 ibuprofen에 의해 유발된 급성 위궤양이 전처치한 PD에 의해 위궤양 보호효과를 가지는 가를 알아보기 위해 실시하였다. PD의 효능은 위점막에서의 COX-2의 발현과 더불어 위점막상피세포의 증생과 세포사멸정도에 의해서 평가하였다. 실험군은 정상대조군, ibuprofen 유발 위궤양군, 2.5 mg/kg PD 전처치군, 5 mg/kg PD 전처치군으로 분류하였다. 급성위궤양은 200 mg/kg의 ibuprofen을 하루에 3번 8시간 간격으로 경구 투여하여 유발하였다. PD는 5일간 경구로 하루에 한 번씩 전처치하였다. PD의 전처치가 ibuprofen에 의해 유발된 위궤양 병변을 유의적으로 감소시켰으며 과도한 위점액 분비로 인한 점액질의 소실을 억제하였다. 또한 PD 전처치가 위점막의 상피세포증식층에서 Ki-67 양성세포의 감소 및 세포사멸을 억제하였다. 추가적으로 PD의 전처치가 위궤양에 의해 증가된 COX-2 발현을 감소시켰다. 이상의 연구결과는 PD의 전처치가 ibuprofen에 의해 유발된 위점막손상에 있어 COX-2의 발현조절을 통하여 위점막세포의 증식과 사멸에 관여할 것으로 보여진다.