PLD 법을 이용하여 PbSe 박막을 p-Si(100) 기판 위에 성장시켰다. 성장온도에 따른 박막의 결정구조를 조사하기 위하여 기판온도를 RT${\sim}400^{\circ}C$로 변화시키면서 박막을 제작하였다. 여러 기판온도에서 제작한 PbSe 박막의 XRD 패턴과 PbSe(200) rocking curve의 반치폭(FWHM)을 분석한 결과, 성장온도 $200^{\circ}C$에서 제작한 박막이 가장 양호한 결정성을 나타냈다. 또한 AFM으로 관찰한 PbSe 박막의 표면형태도 $200^{\circ}C$에서 성장시킨 박막의 표면입자들이 가장 규칙적인 배열을 보였다. Hall 측정결과, PbSe 박막은 n-type 반도체임을 알 수 있었고, 전류-전압 특성 곡선은 전형적인 p-n junction 현상을 나타냈다. 또한 n-type 반도체인 PbSe 박막의 전기전도도는 일반적인 반도체의 값보다 약간 큰 것으로 확인되었다.
PbSe, with a band gap in the mid-infrared and a samll effective mass, is an interesting material for optical and electrical applications in infrared region. Various colloidal synthetic routes for synthesizing PbSe quantum dot nanoparticles have been developed in the last couple of years. In this work, stable colloidal solutions containing crystalline PbSe particles in the order of 5-15 nm were synthesized using different amount of acetic acid in high boiling coordinating solvents. The size and shape of PbSe nanoparticles was greatly influenced by coexistence of acetic acid in synthetic medium. It was observed by TEM that the shape of PbSe nanoparticles with different amount of acetic acid was changed from spherical to cube or star types.
IV-VI족 화합물인 PbSnSe는 흥미 있는 물리적 특성을 가지고 있는 화합물 반도체로써 본 실험에서는 HWE 방법으로 성장시킨 PbSnSe 박막에 대한 특성을 조사하였다. 원료부와 열벽부 그리고 기판의 온도를 변화시키며 단결정 박막을 성장시켰다. Rutherford back scattering (RBS)을 측정하여 Pb:Sn:Se의 조성비를 확인하였다. 특히 좁은 에너지 대역을 측정하기에 매우 용이한 Fourier transform infra red (FT-IR)측정 장치를 이용하여 에너지 갭을 측정하였다. 박막의 표면 상태는 atomic force microscopy (AFM) 사진과 주사 전자 현미경 (SEM) 사진으로 관찰하여 결정구조와 성장 용도와의 연관성을 조사하였다. 광학 상수는 Spectroscopic ellipsometry (SE) 방법을 이용하여 박막의 광학 상수를 측정했다. PbSnSe 화합물 에피층 시료의 굴절률(n), 유전상수(${\varepsilon}$), 반사율(R) 그리고 흡수 계수(${\alpha}$)등 광학상수를 측정하였다.
납중독에 따른 식이내 Se 함량이 간조직의 산화적 손상을 방어할 수 있는 가를 관찰하기 위해 140g 내외의 흰쥐 Sprague-Dawley종 수컷을 정상군과 식이 내에 납 함량을 2,000 ppm 투여한 납투여 실험군으로 나누고 다시 식이내 Se 수준에 따라 0 ppm(Pb0군), 0.5 ppm(PbS군), 1.0 ppm(PbSS군) 식이군으로 나누어 4주간 사육한 후 간장 중 SOD. GSH-Px, GST 등 항산화효소의 활성을 측정하고, GSH 및 비타민 E 함량을 측정하였다. 또한 전자현미경을 통하여 간세포의 소기관을 관찰하였다. 1. 간장 중 SOD는 Pb0군이 다른 군에 비해 다소 높았다. GSH-Px 활성은 Pb0군은 정상군에 비해 현저하게 감소되었으나 PbS군과 PbSS군간은 Pb0군에 비해 증가되었다. GST활성은 Pb0군만 정상군에 비해 감소되었고 PbS, PbSS,군은 정상군 수준이었다. 2. GSH 함량은 정상군에 비해 Pb0군에서 낮았으나 정상군과 PbS. PbSS군은 유의적인 차이가 없었다. GSSG는 GSH와 반대로 Pb0군에서 증가되었으며 GSH/GSSG는 GSH함량과 같은 경향이었다. 또한 간조직 중의 비타민 E함량은 Pb0군은 정상군에 비해 약 50% 정도의 수준이었고 PbSS군과 PbS군은 Pb0군에 비해 증가되었다. 3. 전자현미경적 관찰에서는 RER의 감소, 라이소솜의 증가, 미토콘드리아의 종창 등을 나타내었는데 그 정도는 PbSS, PbS, Pb0군 순으로 심하게 나타났다. 이상의 결과로 식이 중 Se의 다량 첨가는 납중독으로 인한 간조직의 항산화계를 강화시키고 세포 소기관들의 산화적 손상을 현저하게 완화시킬 수 있음을 알 수 있다.
쌀분말시료중에 미량으로 존재하는 비소(As), 납(Pb), 셀레늄(Se)등을 분석하기 위하여 매질변형방법에 의한 흑연로원자흡수분광법을 이용하였다. 흑연로내에서 측정원소의 열안정성과 간섭매질의 휘발성을 증가시키기 위해 매질변형재로서 팔라듐과 질산마그네슘 혼합물을 사용하였다. 몇가지 금속원소(As, Cd, Cu, Pb, Se, Zn)에 대해 팔라듐과 질산마그네슘 혼합물에 의한 매질변형효과를 검토한 결과 As, Pb, Se에 대해 뚜렷한 회화 및 원자화 온도의 증가와 흡수도 상승효과를 확인 하였다. 마이크로파 산가압분해법에 의해 쌀분말시료를 분해하고 표준물첨가법에 의해 As, Pb, Se을 분석하였다. 바탕선 보정에는 Zeeman effect를 이용하였으며 특성농도는 건조시료기준 As 26 ng/g, Pb 18 ng/g, Se 24 ng/g이었다.
포토리소그래피와 도금 공정을 통해 PbSe 나노와이어를 합성하였다. PbSe은 광센서 및 열전 물질로 많이 알려져있다. 이러한 응용처에의 향상된 성능을 위해 본 연구에서는 PbSe 나노와이를 합성하였다. 합성에 사용된 방법인 포토리소그래피와 도금 공정은 반도체 산업 전반에 인프라가 잘 구축된 공정이며, 병렬 공정이다. 따라서 본 연구는 경제적이며 대량생산이 가능한 PbSe 나노와이어의 합성법을 제안한다.
Formation of octahedral shaped PbSe quantum dots at higher synthesis temperature is being reported in this paper. The synthesis includes the reaction between lead oleate and trioctylphosphine selenide under inert gas conditions to produce PbSe. TEM, SEM, XRD and EDS were used to characterize the samples. The SEM exhibited the formation of spherical shaped nanocrystals at temperature below 140 ${^{\circ}C}$ and octahedral shaped nanoparticles at higher temperatures. Moreover, the TEM also showed the well resolved (111) lattice fringes proving that the nanocrystals were crystalline in nature. Synthesis of highly pure PbSe nanocrystals was another interesting aspect of this research.
Nguyen Hoang Linh;Nguyen Minh Son;Tran The Quang;Nguyen Van Hoi;Vuong Thanh;Do Van Truong
한국재료학회지
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제33권5호
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pp.189-194
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2023
This study uses first-principles calculations to investigate the mechanical properties and effect of strain on the electronic properties of the 2D material 1H-PbX2 (X: S, Se). Firstly, the stability of the 1H Pb-dichalcogenide structures was evaluated using Born's criteria. The obtained results show that the 1H-PbS2 material possesses the greatest ideal strength of 3.48 N/m, with 3.68 N/m for 1H-PbSe2 in biaxial strain. In addition, 1H-PbS2 and 1H-PbSe2 are direct semiconductors at equilibrium with band gaps of 2.30 eV and 1.90 eV, respectively. The band gap was investigated and remained almost unchanged under the strain εxx but altered significantly at strains εyy and εbia. At the fracture strain in the biaxial direction (19 %), the band gap of 1H-PbS2 decreases about 60 %, and that of 1H-PbSe2 decreases about 50 %. 1H-PbS2 and 1H-PbSe2 can convert from direct to indirect semiconductor under the strain εyy. Our findings reveal that the two structures have significant potential for application in nanoelectronic devices.
Colloidal solutions of crystalline PbSe nanoparticles have been synthesized by hot solution chemical process using PbO in oleic acid and tributylphosphine (TBP) bonded selenium. The use of TBP as a capping agent along with oleic acid gives a very good yield (around 10% at 180 ${^{\circ}C}$) with an average diameter of particle of about < 6.6 nm. The effects of temperature on size and production yield of PbSe quantum dots are studied. Xray diffraction (XRD), high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) and UV/VIS/NIR absorption spectroscopy were used to characterize the samples.
We fabricated silica glass optical fiber containing PbSe quantum-dots (QD) of average size 3.2 nm. The response time of the PbSe-QD doped optical fiber was measured to be around 200 ps. However, after exposure to 1064 nm laser emission for 15 minutes, the response time dramatically reduced to around 2.5 ps, which may be due to photo-darkening effect.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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