• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제10권4호
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• pp.349-354
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• 1997

This paper aims at studying the improvement of test method for t-weight sensitive fault (t-wsf) detect. The development of RAM fabrication technology results in not only the increase at device density on chips but also the decrease in line widths in VLSI. But, the chip size that was large and complex is shortened and simplified while the cost of chips remains at the present level, in many cases, even lowering. First of all, The testing patterns for RAM fault detect, which is apt to be complicated , need to be simplified. This new testing method made use of Local Lower Bound (L.L.B) which has the memory with the beginning pattern of 0(l) and the finishing pattern of 0(1). The proposed testing patterns can detect all of RAM faults which contain stuck-at faults, coupling faults. The number of operation is 6N at 1-weight sensitive fault, 9,5N at 2-weight sensitive fault, 7N at 3-weight sensitive fault, and 3N at 4-weight sensitive fault. This test techniques can reduce the number of test pattern in memory cells, saving much more time in test, This testing patterns can detect all static weight sensitive faults and pattern sensitive faults in RAM.

• 한국통신학회논문지
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• 제22권7호
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• pp.1394-1402
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• 1997

In this work, an efficient test algorithm and BIST architeture a for embedded memories are presented. The proposed test algorithm can fully detect stuck-at fault, transition fault, coupling fault. Moreover, the proposed test algorithm can detect nighborhood pattern sensitive fault which could not be detected in previous march test algoarithms. The proposed test algorithm perposed test algorithm performs testing for neghborhood pattern sensitive fault using backgroung data which has been used word-oriented memory testing.

• 한국통신학회논문지
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• 제18권10호
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• pp.1537-1545
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• 1993

본 논문에서는 RAM의 Built-In Self Test(BIST)를 수행하기 위하여 제안되었던 Column Weight Sensitive Fault(CWSF) 테스트 알고리즘과 비트라인 디코더 고장 테스터 알고리즘에 적합한 패턴발생회로와 고장위치 검출기를 설계하였다. 패턴발생 회로는 어드레스 발생부와 데이터 발생부로 구성되었다. 또한 어드레스 발생부는 실효 어드레스를 위한 행 어드레스 발생부와 순차 및 병렬 어드레스를 위한 열 어드레스 발생부로 나누어져 있다. 고장위치 검출기는 고장발생의 유, 무와 그 위치를 찾기위해 구성되었다. 설계한 회로들의 검증을 위하여 각 부분 및 전체적인 시뮬레이션을 통하여 동작을 확인하였다.

• 전기전자학회논문지
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• 제5권1호
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• pp.43-51
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• 2001

메모리의 집적도가 올라갈수록 원치 않는 셀간의 간섭과 동시에 bit-line간의 상호 노이즈도 증가하게 된다. 그리고 높은 고장 검출율을 요구하는 고집적 메모리의 테스트는 많은 테스트 백터를 요구하게 되거나 비교적 큰 추가 테스트 회로를 요구하게 된다. 지금까지 기존의 테스트 알고리즘은 이웃 bit-line의 간섭이 아니라 이웃 셀에 중점을 두었다. 본 논문에서는 NPSFs(Neighborhood Pattern Sensitive Faults)를 기본으로 한 NBLSFs(Neighborhood Bit-Line Sensitive Faults)를 위한 새로운 테스터 알고리즘을 제안한다. 그리고 제안된 알고리즘은 부가 회로를 요구하지 않는다. 메모리 테스트를 위해 기존의 5개의 셀 레이아웃이나 9개의 셀 레이아웃을 사용하지 않고 NBLSF 검출에 최소한 크기인 3개의 셀 레이아웃을 이용하였다. 더구나 이웃 bit-line에 의한 최대의 상호잡음을 고려하기 위해 테스트 동작에 refresh 동작을 추가하였다(예 $write{\rightarrow}\;refresh{\rightarrow}\;read$). 또한 고착고장, 천이고장, 결합고장, 기존의 pattern sensitive 고장, 그리고 이웃 bit-line sensitive 고장 등도 검출될 수 있음을 보여준다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1996년도 추계학술대회 논문집
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• pp.23-25
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• 1996

In this paper aims at studying the minimal test pattem of the RAM. This also propose a scheme of testing faults from the new fault model using the LLB. The length of test patterns are 6N(1-wsf), 9.5N(2-wsf), 7N(3-wsfl, 3N(4-wsf) operations in N-bit RAM. This test techniques can write into memory cell the number of write operations is reduced and then much testing time is saved. A test set which detects all positive-negative static t-ws faults for t=0, 1, 2, 3, 4 and detects all pattern sensitive fault in memory array. A new fault model, which encompasses the existing fault model Is proposed.

• ETRI Journal
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• 제26권6호
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• pp.520-534
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• 2004

As the density of memories increases, unwanted interference between cells and the coupling noise between bit-lines become significant, requiring parallel testing. Testing high-density memories for a high degree of fault coverage requires either a relatively large number of test vectors or a significant amount of additional test circuitry. This paper proposes a new tiling method and an efficient built-in self-test (BIST) algorithm for neighborhood pattern-sensitive faults (NPSFs) and new neighborhood bit-line sensitive faults (NBLSFs). Instead of the conventional five-cell and nine-cell physical neighborhood layouts to test memory cells, a four-cell layout is utilized. This four-cell layout needs smaller test vectors, provides easier hardware implementation, and is more appropriate for both NPSFs and NBLSFs detection. A CMOS column decoder and the parallel comparator proposed by P. Mazumder are modified to implement the test procedure. Consequently, these reduce the number of transistors used for a BIST circuit. Also, we present algorithm properties such as the capability to detect stuck-at faults, transition faults, conventional pattern-sensitive faults, and neighborhood bit-line sensitive faults.

• 한국통신학회논문지
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• 제19권6호
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• pp.1038-1045
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• 1994

본 논문에서는 CAM에서 발생하는 모든 PSF(Pattern Sensitive Fault)를 검사하기 위한 알고리즘과 테스트회로를 설계하였다. 즉, 짧은 시간에 최소의 부가회로를 이용하여 외부의 장비에 의존하지 않고 테스트하는 내장 테스트회로를 설계하였다. 부가적으로 첨가된 회로로는 병렬비교기와 오류검출기가 있고, 병렬테스팅을 위해서 수정된 디코더를 사용하였다. 또한, 효과적인 테스트패턴을 구하기 위해 Eulerian path의 구성방법에 대해서도 연구를 수행하였다. 결과적으로, 본 논문에서 사용한 알고리즘을 사용하면 워드수에 관계없이 324+2b(b:비트수) 만큼의 동작으로 CAM의 모든 내용을 테스트할 수 있다. 전체 회로중에서 테스트회로가 차지하는 면적은 약 7.5%정도가 된다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 추계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.59-62
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• 2000

As the density of memories increases, unwanted interference between cells and coupling noise between bit-lines are increased and testing high density memories for a high degree of fault coverage can require either a relatively large number of test vectors or a significant amount of additional test circuitry. From now on, conventional test algorithms have focused on faults between neighborhood cells, not neighborhood bit-lines. In this paper, a new algorithm for NPSFs, and neighborhood bit-line sensitive faults (NBLSFs) based on the NPSFs are proposed. Instead of the conventional five-cell and nine-cell physical neighborhood layouts to test memory cells, a three-cell layout which is minimum size for NBLSFs detection is used. To consider faults by maximum coupling noise by neighborhood bit-lines, we added refresh operation after write operation in the test procedure(i.e., write \longrightarrow refresh \longrightarrow read). Also, we present properties of the algorithm, such as its capability to detect stuck-at faults, transition faults, conventional pattern sensitive faults, and neighborhood bit-line sensitive faults.

• 한국통신학회논문지
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• 제17권7호
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• pp.666-676
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• 1992

본 논문에서는 RAM에서 발생하는 모든 PSF(Pattern Sensitive Fault)를 검사하기 위한알고리즘과 테스트회로를 제안하였다. 기존의 테스트회로와 사용된 알고리즘은 RAM셀들을 연속적으로 테스트하거나 메모리의 2차원적 구조를 사용하지 못했기 때문에 많은 테스트 시간이 소요되었다. 본 논문에서는 기존의 RAM회로에 테스트를 위한 부가적인 회로를 첨가하여 병렬적으로 RAM을 테스트 하는 방법을 제안하였다. 부가적으로 첨가된 회로로는 병렬 비교기와 오류 검출기, 그룹 선택회로 이고 병렬 테스팅 위해서 수정된 디코더를 사용하였다. 또한, 효과적인 테스트 패턴을 구하기 위해 Eulerian경로의 구성방법에 대해서도 연구를 수행하였다. 결과적으로, 본 논문에서 사용한 알고리즘을 사용하면 b x w=n의 매트릭스 형태로 표현되는 RAM을 테스트하는데 325*워드라인 수 만큼의 동작이 필요하게 된다. 구현한 각 회로에 대해서 회로 시뮬레이션을 수행한 후 10 bit*32 word Testable RAM을 설계하였다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1999년도 추계종합학술대회 논문집
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• pp.935-938
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• 1999

메모리 테스트는 Built-In Self Test(BIST)와 같이 메모리에 내장된 회로를 통하여 자체 점검하는 방법과 테스터를 통하여 생성된 패턴을 주입하는 방법이 있다. 테스트 패턴 생성방법으로는 각각의 고장모델에 대한 테스트 패턴을 deterministic하게 생성해주는 방법과 Pseudo Random Pattern Generator(PRPG)를 이용하여 생성하는 경우로 구분할 수 있다. 본 연구에서는 PRPG를 패턴 생성기로 사용하여 여러 가지 메모리의 결함을 대표한다고 볼 수 있는 Static 및 Dynamic Neighborhood Pattern Sensitive Fault(NPSF) 등 다양한 종류의 고장을 점검할 수 있도록 메모리 BIST를 구성하였다. 기존의 Linear Feedback Shift Register(LFSR)보다 본 연구에서 제안하는 Linear Hybrid Cellular Automata(LHCA)를 이용한 PRPG가 높고 안정된 고장 점검도를 나타내었다.