• 제목/요약/키워드: Particle beam

검색결과 386건 처리시간 0.034초

AC-PDP에서 Ne-Xe의 2원 혼합기체와 He-Ne-Xe의 3원 혼합기체의 Xe 혼합비와 가스 압력에 따른 VUV 발광 특성 (Vacuum ultraviolet emission characteristics of binary and ternary gas mixtures with xenon concentration and gas pressure in AC-PDPs)

  • 유나름;정규봉;이준호;이수범;한용규;정세훈;이혜정;손창길;임정은;오필용;문민욱;정진만;고병덕;조광섭;엄환섭;최은하
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국전기전자재료학회 2005년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자 분야
    • /
    • pp.142-145
    • /
    • 2005

  • AC-PDP에서 발광 휘도와 발광 효율의 개선은 매우 중요한 과제중의 하나이다. 높은 발광 휘도와 발광 효율을 위해선 VUV의 높은 발광 효율이 요구되어진다. 이 실험에서는 AC-PDP에서 Ne-Xe의 2원 혼합기체와 He-Ne-Xe의 3원 혼합기체의 VUV 발광 세기를 측정하였다. 기체 압력은 200 Torr, 300 Torr, 400 Torr, 500 Torr로 유지하였고, Xe 혼합비는 1%, 2%, 4%, 7%, 10%, 15%를 사용하였다. 진공자외선 발광 세기는 He-Ne-Xe의 3원 혼합기체가 Ne-Xe의 2원 혼합기체보다 발광 세기가 훨씬 높다는 것을 알 수 있었다. 그리고 Xe 함량이 증가함에 따라 공명선인 147 nm의 발광 세기는 Xe 혼합비가 약 10%까지는 증가하다가 10% 이후에는 포화되고, 반면 분자선인 173 nm은 Xe 함량과 가스 압력이 증가함에 따라 발광 세기가 증가하였다.

  • PDF

AC PDP에서 레이저 흡수법을 이용한 유지전극의 위치에 따른 제논 여기종 원자의 밀도 측정 (Influence of Sustain Electrode Gap on Excited Xenon Atom in the Metastable State by Laser Absorption Spectroscopy in AC PDP)

  • 이준호;임정은;이혜정;손창길;정세훈;이수범;유나름;한용규;오필용;문민욱;고병덕;정진만;문한섭;박기덕;안정철;홍진우;조광섭;최은하
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국전기전자재료학회 2005년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자 분야
    • /
    • pp.131-134
    • /
    • 2005

  • PDP 방전 셀의 최적화 및 진공자외선 발광효율을 향상시키기 위한 목적으로 AC - PDP 미소방전에서 제논 여기종 원자의 밀도를 측정하는 레이저 흡수법을 개발하였다. 본 연구에서는 PDP 셀의 기체 압력을 350Torr, 제논 함량 10%로 고정하고, 전극 위에서의 여러 위치에서 준안정 준위 제논의 밀도를 흡수법으로 측정하였다. 실험 결과 제논 여기종의 밀도의 최대값은 전극의 위치(가장자리에서 안쪽으로의 거리)가 $50{\mu}m$, $120{\mu},\;150{\mu}m$ 일 때 $3.5{\times}10^{12}cm^{-3}$, $2.8{\times}10^{12}cm^{-3}$, $2.2{\times}10^{12}cm^{-3}$로 나타났다.

  • PDF

Ion-induced secondary electron emission coefficient and work function for MgO thin film with $O_2$ plasma treatment

  • Jung, J.C.;Jeong, H.S.;Lee, J.H.;Oh, J.S.;Park, W.B.;Lim, J.Y.;Cho, J.W.;Choi, E.H.
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
    • /
    • pp.525-528
    • /
    • 2004

  • The ion-induced secondary electron emission coefficient ${\gamma}$ and work function for MgO thin film with $O_2$ plasma treatment has been investigated by ${\gamma}$ -FIB (focused ion beam) system. The MgO thin film deposited from sintered material with $O_2$ plasma treatment is found to have higher ${\gamma}$ and lower work function than those without $O_2$ plasma treatment. The energy of various ions used has been ranged from 100eV to 200eV throughout this experiment. It is found that the highest secondary electron emission coefficient ${\gamma}$ has been achieved for 10 minutes of $O_2$ plasma treatment under RF power of 50W.

  • PDF