• 한국방사선학회논문지
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• 제3권4호
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• pp.35-38
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• 2009

최근 의료영상분야에서 형광체와 광도전체 물질을 이용한 디지털 평판형 X선 영상검출기가 폭넓게 이용되고 있다. 본 연구는 CsI:Na 형광체층과 광민감도가 우수한 비정질 셀레늄(a-Se)층의 이중 접합구조로 구성된 변환구조 설계를 위한 몬테카를로 시뮬레이션과 X선에 대한 광학적 및 전기적 반응특성을 조사하였다. 먼저 CsI:Na의 발광스펙트럼과 a-Se의 광흡수 스펙트럼을 측정하여 X선에 의한 신호 변환특성을 분석하였다. 또한, 인가전기장의 함수에 따른 X선 민감도을 측정하여 상용화된 a-Se($500{\mu}m$)의 직접변환 검출기와 비교 평가하였다. 측정결과로부터, $10V/{\mu}m$에서 CsI:Na($180{\mu}m$)/a-Se($30{\mu}m$) 변환센서의 X선 민감도는 $7.31nC/mR-cm^2$ 이고, a-Se($500{\mu}m$) 검출기는 $3.95nC/mR-cm^2$로 약 2배 정도 높은 값을 보였다.

• 원예과학기술지
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• 제19권3호
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• pp.384-388
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• 2001

한국의 세 지역에서 수확한 20가지 허브들의 셀레늄 함량을 분석한 결과, 많은 허브류들에서 셀레늄을 검출할 수 없었다. 안젤리카($138.4{\mu}g\;Se{\cdot}kg^{-1}$ FW), 카라웨이($167.8{\mu}g\;Se{\cdot}kg^{-1}$ FW), 카모밀(($116.6{\mu}g\;Se{\cdot}kg^{-1}$ FW), 마죠람(158.7 and $132.6{\mu}g\;Se{\cdot}kg^{-1}$ FW), 그리고 오레가노($62.5{\mu}g\;Se{\cdot}kg^{-1}$ FW)는 다른 작물들에 비해 높은 Se을 함유하고 있었다. 식물체 내 Se 함량은 종, 품종 그리고 지역에 따라 차이가 있었다. 양액 내 Se을 첨가하여 식물체 간 Se 흡수 경향을 조사하였다. Se은 수확 4주 전 배양액 내에 sodium selenate($Na_2SeO_4$) 형태로 각각 2, 4, 6, and $8mg{\cdot}L^{-1}$의 농도로 처리하였다. Field-mint의 경우가 가장 많은 Se를 흡수하였고 외관상 Se의 독성도 나타나지 않았다. 허브의 정유 함량도 Se에 의해 증가하는 경향을 보였다. Basil과 balm은 Se 처리효과가 컸으며 무처리구에 비해 처리구에서 2-3배나 정유 함량이 증가하였다. 그러나 정유 함량이 배양액 내 Se농도에 따라 계속적으로 증가하지는 않았다.

• 한국도서관정보학회지
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• 제40권3호
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• pp.389-402
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• 2009

본 연구는 "동몽선습"의 저자에 대한 정론을 수립할 수 있는 하나의 단서를 마련하는데 그 목적이 있다. 따라서 본 연구에서는 종래 살펴보지 못했던 몇 가지 자료에 의거하여 "동몽선습"의 저자에 관해서 좀 더 심층적으로 살펴보았다. 그 결과 "동몽선습"은 박세무와 민제인의 공저로서 박세무는 "동몽선습" 내용 가운데 전반부인 경부에 해당되는 '(오륜)'을 집필하고, 민제인은 후반부인 사부에 해당되는 '(역대요의)'를 저술한 후 합편한 것으로 판단된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 추계학술대회 논문집 Vol.15
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• pp.420-423
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• 2002

In recent years, there has been keen interest in developing f1at panel detectors for all modalities of radiology, including gerneral radiology, fluoroscopy(angiography and cardiology), electronic portal imaging, and mammography. In this paper, we report the new hybrid x-ray detector consisted of CsI(Tl) photoemission layer and a-Se photoconductor layer to resolve conventional x-ray detector such as the direct detector using a-Se and the indirect detector using CsI(Tl)/a-Si. To design the structure of CsI(Tl)/a-Se detector, the penetrated energy spectrum and absorption fraction was estimated using MCNP 4C code. Experimental results showed that the absorption fraction of $500{\mu}m-Se$ film and $150{\mu}m-CsI\left(Tl \right)/a-Se\left( 30{\mu}m \right)$ film is 70% at 70 kVp. The absorption energy is 90% at $350{\mu}m-CsI(Tl)$.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2004년도 제15회 정기총회 및 동계학술발표회
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• pp.106-107
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• 2004

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.343-344
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• 2007

Carrier mobility was measured using time-of-flight (TOF) measurements to investigate the transport properties of holes and electrons in stabilized a-Se film. A laser beam with pulse duration of 5 ns and wavelength of 350 nm was illuminated on the surface of a-Se with thickness of $400\;{\mu}m$. The measured transit times of hole and electron were about $8.73\;{\mu}s\;and\;229.17\;{\mu}s$, respectively. The experimental results showed that the hole and electron drifting mobility were $0.04584\;cm^2V^{-1}S^{-1}\;and\;0.00174\;cm^2V^{-1}s^{-1}\;at\;10\;V/{\mu}m$.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제4권6호
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• pp.9-12
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• 2003

The electrical properties of stabilized amorphous selenium typical of the material used in direct conversion x-ray imaging devices are reported. Carrier mobility was measured using time-of-flight (TOF) measurements to investigate the transport properties of holes and electrons in stabilized a-Se film. A laser beam with pulse duration of 5 ns and wavelength of 350nm was illuminated on the surface of a-Se with thickness of 400 $\mu\textrm{m}$. The photo induced signals of a-Se film as a function of time were measured. The measured transit times of hole and electron were about 8.73${\mu}\textrm{s}$ and 229.17${\mu}\textrm{s}$, respectively. The hole and electron drift mobilities decreases with increase of electric field up to 4V/$\mu\textrm{m}$. Above 4V/$\mu\textrm{m}$, the measured drift mobilities exhibited no observable dependence with respect to electric field. The experimental results showed that the hole and electron drifting mobility were 0.04584 $\textrm{cm}^2$ V$\^$-1/s$\^$-1/ sand 0.00174 $\textrm{cm}^2$V$\^$-1/s$\^$-1/ at 10 V/$\mu\textrm{m}$.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
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• pp.501-504
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• 2001

We used time-of-flight method to analyze transport properties of charge carrier which is produced by X-ray exposure. It is the research of charge transport and specific property of trap that is performed in direct digital x-ray image receptor. But the results shows us different measurement value of electron and charge drift mobility and it is difficult to precise analysis about charge transport properties and trap mechanism. We measured transit time and drift mobility of charge carriers using time-of-flight method to evaluate the correlation of a-Se thickness change and electric field. We made a testing glass with a-Se of 400 ${\mu}m$ thickness on coming glass using thermoevaporation method and built Au electrode with 300nm, $2{\varphi}$ on both sides of a-Se, As a result of this experiment, electron and hole transit time was each $229.17{\mu}s$ and $8.73{\mu}s$ at $10V/{\mu}m$ electric field and Drift mobility was each $0.00174 cm^{2}/V{\cdot}s$, $0.04584cm^{2}/V{\cdot}s$.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제16권10호
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• pp.2273-2279
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• 2012

동시진공증발법(co-evaporation)으로 Cu(In,Ga)$Se_2$ 박막을 제작하는 논문으로서 1단계($1^{st}$-stage)에서 기판온도(substrate temperature)가 $400^{\circ}C$에서 $In_2Se_3$상($In_2Se_3$ phase)이 존재하였으며 2,3단계($2^{nd}$-stage, $3^{rd}$-stage)에서 기판온도 변화에 따른 흡수 스펙트럼(absorbency spectrum)은 차이가 크지 않다. 이것은 박막의 두께가 전부 $1{\mu}m$ 이상이므로 흡수 스펙트럼(absorbency spectrum)은 거의 차이가 없다. 2,3단계에서 기판온도 변화에 따른 SEM과 XRD를 분석한 결과, 기판온도가 증가할수록 결정구조(crystal structure)의 밀도(density)가 증가하고 기공(vacancy)이 감소하며 $480^{\circ}C$, $500^{\circ}C$에서 Cu(In0.7Ga0.3)$Se_2$상(${\mu}m$)이 형성되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 춘계학술대회 논문집 센서 박막재료 반도체재료 기술교육
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• pp.27-30
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• 2002

Photoconductor for direct detection flat-panel imager present a great materials challenge, since their requirements include high X -ray absorption, ionization and charge collection, low leakage current and large area deposition. Selenium is practical material. But it needs high thickness and high voltage in selenium for high ionization rate. We report comparative studies of detector sensitivity. One is an a-Se with $70{\mu}m$ thickness on glass. The other has hybrid layer of depositting ZnS phosphor with $100{\mu}m$ on a-Se. The leakage current of hybrid is similar to it of a-Se, but photocurrent is lager than a-Se. Both of them have high spatial resolution, but hybrid has higher sensitivity than a-Se at comparable bias voltage.