• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 2004.08a
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• pp.742-745
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• 2004

A profitable mass production of Organic Light Emitting Diode (OLED) displays needs a new type of manufacturing equipment. We have developed a vertical In-Line machine (VES400) equipped with linear etch sources (e.g. to activate an ITO layer), standard magnetron sputter sources for ITO and metal and linear evaporation sources for the organic and metal materials. We present new results concerning the linear evaporation sources for organic materials. We have optimized the vertical thickness non uniformity for the evaporation of different organic materials and achieved deviations of less than ${\pm}$ 5 % for the vertical thickness over a substrate height of 400 mm. We will further report first results about the long term stability of the deposition rate for different organic materials using rate control..

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 2009.10a
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• pp.1086-1087
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• 2009

A small temperature sensor is designed in a 0.35um CMOS process. Transistors operating in the intermediate inversion region are employed in the core of the sensor. This temperature sensor operates in $-50^{\circ}C{\sim}120^{\circ}C$ with ${\pm}2^{\circ}C$ of accuracy after two-point calibration. This temperature sensor can be placed in the active pixel area of a display panel to measure the temperature of the display panel for temperature compensation.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 2005.07b
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• pp.1398-1400
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• 2005

A novel data driver for passive matrix organic lightemitting devices (PM-OLEDs) with high gray scale images was designed. The proposed circuit consisted of a main current bias circuit as well as sample & hold circuits in each channel of the data driver to compensate a current offset. These results indicate that a data driver designed by using the current offset compensation technique holds promise for poten tial applications in PM-OLED displays with high gray scale images.

• Journal of Korean Ophthalmic Optics Society
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• v.19 no.4
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• pp.479-485
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• 2014

Purpose: This study relates to the development of the prism dot-sight combined with the thermal imaging camera. Methods: We have placed a reflector designed to the doublet type in the front of a BS (beam splitting) prism, have placed an OLED panel and a dot reticle generator to the top and bottom of the reflecting surface of the BS prism, and have placed a detachable magnifier between the BS prism and the observer by which the observer can see the magnified image of the OLED panel. By doing this, we were able to configure the new type prism dot-sight combined with the thermal imaging camera. Results: By placing the removable magnifier designed with a new type between the BS prism and the observer, we could design the new type prism dot-sight which performs the role of the dot sight by removing the magnifier during the day-time, and performs the role of the night scope during the night-time by which we can observe the enlarged image of the thermal imaging camera through the BS prism by attaching the removable magnifier. Conclusions: In this study, we have developed the prism dot-sight combined with the thermal imaging camera which is able to play the role of the day or night scope selectively, by disposing the designed magnifier characterized by the focal length of 44 mm, the viewing angle of ${\pm}7.0^{\circ}$, and the MTF value of 0.5 or more at the criterion of 50 lp/mm and the 0.7 field between the BS prism and the observer. By doing so, we could design and fabricate the new type prism dot-sight combined with the thermal imaging camera which can further increase the rapidity of firing and provide more convenience in the mounting of a firearm than the detachable combination of an existing dot sight and an existing night scope.

• Journal of Electrical Engineering and Technology
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• v.8 no.6
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• pp.1571-1578
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• 2013

With the emergence of high-integration array and large area panel process, the need to minimize the generation of particles in the field of semiconductor, LCD and OLED has grown. As an alternative to the conventional roller system, a contactless magnetic conveyor has been proposed to reduce the generation of particles. An EM-PM hybrid which is one of magnetic levitation types is already proposed for the conveyor system. One of problems pointed out with this approach is the vibration caused by the dynamic interaction between conveyor and rail. To reduce the vibration, the introduction of a secondary suspension system which aims to decouple the levitation electromagnet from the main body is proposed. The objective of this study is to develop a dynamic model for the magnetically levitated conveyor, and to investigate the effect of the introduced suspension system. An integrated model of levitation system and rail based on 3D multibody dynamic model is proposed. With the proposed model, the dynamic characteristics of maglev conveyor system are analyzed, and the effect of the secondary suspension and the stiffness and damping are investigated.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2015.08a
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• pp.214.1-214.1
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• 2015

Thin-film transistors (TFTs)의 채널층으로 널리 쓰이는 indium-gallium-zinc oxide (IGZO)는 높은 전자 이동도(약 10 cm2/Vs)를 나타내며 유기 발광 다이오드디스플레이(OLED)와 대면적 액정 디스플레이(LCD)에 필수적으로 사용되고 있다. 하지만, 이러한 재료는 우수한 TFT의 채널층의 특성을 가지는 반면, ZnO 기반 재료이기 때문에 소자 구동에서의 안정성은 가장 큰 문제로 남아있다. 따라서 최근, IGZO layer의 특성을 향상시키기 위한 연구가 다양한 방법으로 시도되고 있다. IGZO의 조성비를 조절하여 전기적 특성을 최적화거나 IGZO layer의 조성 중 Ga을 다른 금속 메탈로 대체하는 연구도 이루어지고 있다. 그러나 IGZO에 미량의 도펀트를 첨가하여 박막 특성 변화를 관찰한 연구는 거의 진행되지 않고 있다. 산화물 TFTs의 전기적 특성과 안정성은 산소 함량에 영향을 많이 받는 것으로 알려져 있으며, 더욱이 TFT 채널층으로 쓰이는 IGZO 박막의 고유한 산소 공공은 디바이스 작동 중 열적으로 활성화 되어 이온화 상태가 될 때 소자의 안정성을 저하시키는 것이 문제점으로 지적되고 있다. 그러므로 본 연구에서는 낮은 전기 음성도(1.22)와 표준전극전위(-2.372 V)를 가지며 산소와의 높은 본드 엔탈피 값(719.6 kJ/mol)을 가짐으로써 산소 공공생성을 억제할 것으로 기대되는 yttrium을 IGZO의 도펀트로 도입하였다. 따라서 본 연구에서는 Y-IGZO의 박막 특성 변화를 관찰하고자 한다. 본 연구에서는 magnetron co-sputtering법으로 IGZO 타깃(DC)과 Y2O3 타깃(RF)를 이용하여 기판 가열 없이 동시 방전을 이용해 non-alkali glass 기판 위에 증착 하였다. IGZO 타깃은 DC power 110 W으로 고정하였으며 Y2O3 타깃에는 RF Power를 50 W에서 110 W까지 증가시키면서 Y 도핑량을 조절하였다. Working pressure는 고 순도 Ar을 20 sccm 주입하여 0.7 Pa로 고정하였다. 모든 실험은 $50{\times}50mm$ 기판 위에 총 두께 $50nm{\pm}2$ 박막을 증착 하였으며, 그 함량에 따른 전기적 특성 및 광학적 특성을 살펴보았다. 또한, IGZO 박막 제조 시 박막의 안정화를 위해 열처리과정은 필수적이다. 하지만 본 연구에서는 열처리를 진행하지 않고 Y-IGZO의 안정성 개선 여부를 보기 위하여 20일 동안 상온에서 방치하여 그 전기적 특성변화를 관찰하였다. 나아가 Y-IGZO 채널 층을 갖는 TFT 소자를 제조하여 소자 구동 특성을 관찰 하였다. Y2O3 타깃에 가해지는 RF Power가 70 W 일 때 Y-IGZO박막은 IGZO박막과 비교하여 상대적으로 캐리어 밀도는 낮은 반면 이동도는 높은 최적 특성을 얻을 수 있었다. 상온방치 결과 Y-IGZO박막은 IGZO박막에 비해 전기적 특성 변화 폭이 적었으며 이것은 Y 도펀트에 의한 안정성 개선의 결과로 예상된다. 투과도는 Y 도핑에 의하여 약 1.6 % 정도 상승하였으며 밴드 갭 내에서 결함 준위로 작용하는 산소공공의 억제로 인한 결과로 판단된다.