• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2006.06a
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• pp.394-395
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• 2006

본 연구에서는 Arachidic acid Langmuir-Blodgett (LB) 막의 표면이미지와 전압-전류 특성을 측정하였다. Arachidic acid는 포화지방산으로 ($CH3(CH_2)_{18}$ COOH)의 구조를 가지며, 크기가 $27.5\;{\AA}$으로 $CH_3(CH_2)_{18}$의 소수기와 COOH의 친수기로 구성되어 있어, LB Trough를 사용하여 박막제작과 분자제어가 쉽다. Chloroform을 용매로 하여 2mmol/l의 농도를 조성하여 ${\pi}$-A 등온선을 통해 기체 상태, 액체 상태, 고체 상태를 관찰하였다. LB막의 제작 및 평가에서 막의 안정성은 ${\pi}$-A곡선, AFM (Atomic force microscopy) 등을 통하여 확인 하였다. 또한 LB 막을 Metal/LB막/Metal 구조의 소자로 제작하여 전압-전류 특성을 측정하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.469-469
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• 2013

Flexible display는 미래의 평판디스플레이 시장으로 꼽히고 있는 대표적인 분야이다. PET, PEN, PI 등의 polymer substrate는 접거나 구부리는 형태로 변형이 가능하기 때문에 차세대 기술로 평가되어지는 Flexible display, Solar cell, OLED 등 다방면에 응용이 가능하다. 또한 ITO는 지금까지 개발된 재료 중에서 가장 투명하고 전기가 잘 통하며, 생산성도 좋기 때문에 이것을 투명전극의 재료로 사용한다. 디스플레이에 사용되는 투명 전도막의 경우, 가시광 영역에서의 투과 및 반사와 같은 광학적 특성은 중요한 요소 중의 하나이다. 투명 전도막의 광흡수, 반사 및 투과즉성은 박막 내에 존재하는 전공밴드의 전자, 자유전자, polar optical phonon 등의 빛과의 반응에 의해 결정된다고 알려져 있다. 본 연구에서는 저온 증착된 ITO 박막의 광학적 특성을 향상시킬 수 있는 방법을 모색하고 기계적, 화학적 특성을 분석하였다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.5 no.4
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• pp.411-420
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• 1992

C$_{2+}$-Quinolium(TCNQ) 유기 초박막을 Langmuir-Blodgett 방법을 이용하여 유리기판 위에 누적하였다. 이의 최적 누적조건을 알아보기 위하여 .pi.-A isotherm특성을 온도, pH, 압축 속도, 분산량 등을 변화시키면서 조사하였다. 누적 과정은 전이비를 통하여 고체 기판에 누적되는 정도를 살펴볼 수 있었으며 누적된 박막은 다음과 같은 방법으로 확인하였다. 광학적인 방법으로 광흡수도, 전기적인 방법으로 전기 용량, 그리고 기계적인 방법으로 두께를 직접 측정하여 누적된 박막의 상태를 관찰하였다. 상온에서 이방성 전기 전도도를 측정하였는데 수평 방향으로 ~1 x $10^{-7}$S/cm, 수직 방향으로 ~1 x $10^{-14}$S/cm의 값을 얻었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2016.11a
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• pp.148-148
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• 2016

디스플레이 시장이 rigid에서 flexible로 변화하기 시작하면서 유연 투명전극 소재에 대한 수요가 증가하고 있다. 투명전극으로 대표되는 Indium Tin Oxide(ITO)는 고투과 저저항의 장점을 가지지만 유연성이 떨어져 이를 대체 할 투명전극 소재로 Metal mesh, Ag nano-wire, CNT, Graphene, Conductive polymer 등에 대한 응용 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 Metal mesh 용 Cu thin film 형성을 위해 플라즈마 표면처리 기술로 플라스틱 기판과 Cu 박막 사이의 밀착력을 향상시키고자 공정 연구를 수행하였다. 고품질의 Cu thin film 제작을 위해 양산용 roll to roll 장비를 이용하였고, 선형이온소스를 적용하여 플라즈마 표면처리를 수행하였다. 이후 마그네트론 스퍼터링을 통해 Ni buffer layer 및 Cu 박막 증착 공정을 in-situ로 진행하였다. 이러한 공정을 통해 제작한 Cu thin film의 밀착력을 평가하기 위해 cross cut test(ASTM D3359)를 수행하였다. 그 결과 플라스틱 기판과 Cu 금속 박막 사이의 밀착력이 0B에서 5B까지 향상된 것을 확인하였고, 플라즈마 표면처리 공정을 통해서 저항 또한 감소되는 결과를 얻을 수 있었다. 본 연구를 통해 polyethylene terephthalate(PET)뿐만 아니라 polyimide(PI) 기판 상에서도 플라즈마 표면처리를 통해 금속 박막의 밀착력이 향상되는 결과를 확인하였으며, flexible copper clad laminate (FCCL) 같은 유연 정보 소자 분야에 응용 가능할 것으로 기대된다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.7 no.5
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• pp.250-257
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• 1997

The microstructure and magnetic properties of Fe-Nb-B-N thin film alloys, which produced by rf magnetron sputtering method in $Ar+N_2$ mixed gas atmosphere, were investigated. The $Fe_{70}Nb_{14}B_{11}N_5$ films, annealed at 59$0^{\circ}C$, exhibit soft magnetic properties: $4{\pi}M_s=16.5kG$ , $H_c=0.13Oe$ and ${\mu}_{eff}$ (1~10 MHz)=5, 000. The frequency stability of the Fe-Nb-B-N films has also been found to be good up to 10 MHz. The Fe-Nb-B-N thin film alloys annealed at 59$0^{\circ}C$ consist of three phase; fine crystalline $\alpha$-Fe phase with grain size of about 5~10 nm, Nb-B rich amorphous phase and Nb-nitride precipitates with the size of less than 3 nm. Annealed Fe-Nb-B films have two phases; $\alpha$-Fe grains with the size of about 10 nm and Nb-B rich amorphous phase. The addition of N decreased $\alpha$-Fe grain size due to the precipitation of NbN. The good magnetic properties of the Fe-Nb-B-N film alloys are due to fine $\alpha$-Fe grains resulting from the precipitation of NbN.

• Polymer(Korea)
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• v.38 no.6
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• pp.752-759
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• 2014

Crosslinked polyimides (PIs) were synthesized by reacting 4,4'-(hexafluoroisopropylidene)-diphthalic anhydride (6FDA) and 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine (TFDB) with various ratios of the cross-linkable, end-capping agent cis-1,2,3,6-tetrahydrophthalic anhydride (CDBA) via ring-opening metathesis polymerization. Residual stress behaviors were investigated in-situ during thermal imidization of the crosslinked PI precursors using a thin film stress analyzer (TFSA) by wafer bending method. The thermal properties were investigated via differential scanning calorimetry (DSC), thermomechanical analysis (TMA), and thermogravimetric analysis (TGA). The optical properties were measured by ultraviolet-visible spectrophotometer (UV-vis) and spectrophotometry. All properties were interpreted with respect to their morphology of crosslinked networks. With increasing the amounts of the end-capping agent, the residual stress decreased from 27.9 to -1.3 MPa, exhibited ultra-low stress and high thermal properties. The minimized residual stress and enhanced thermal properties of the crosslinked PI makes them potential candidates for versatile high-density multi-layer structure applications.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.11 no.6
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• pp.486-492
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• 1998

The amorphous Co-based magnetic films have a large saturation flux density, a low coercive force, and a zero magnetostriction constant. Therefore, they have been studied for application to magnetic recoding heads and micro magnetic devices. However, it was found that the magnetic anisotropy was changed for each film fabrication processes. In this study, we investigated how to control the anisotropy of sputtered amorphous $Co_{89}Nb{8.5}Zr{2.5}$ films. After deposition, the rotational field annealing ant the uniaxial field annealing were performed under the magnetic field of 1.5 kOe. the annealing was done at the temperature range from 400 to $600^{\circ}C$ for one hour. As-deposited amorphous $Co_{89}Nb{8.5}Zr{2.5}$ thin film had saturation magnetization ($4\piM_5$) of 0.8 T, coercive force($_IH_C$) of 1.5 Oe, and anisotropy field($H_k$) of 11 Oe. The amorphous $Co_{89}Nb{8.5}Zr{2.5}$ thin films annealed by rotational field annealing at $500^{\circ}C$ for one hour was found to be isotropy, and $4\piM_5$ of 0.9 T was obtained from these films, Also, the magnetic anisotropy of as-deposited films could be controlled by uniaxial field annealing at $400^{\circ}C$ for one hour. Anisotropy field($H_k$) of 17 Oe and $4\piM_5$ of 1.0 T were obtained by this method.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics T
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• v.36T no.2
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• pp.1-7
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• 1999

The polymide thin films were fabricated by vapor deposition polymerized method of dry processes and studied the electric breakdown characteristics by self healing method. Polyamic-acid(PAA) thin films prepared by vapor deposition-polymerization (VDP) from PMDA(Pyromellitic dianhydride) and DDE(4,4'-diaminodiphenyl ether) were changed to PI thin films by thermal curing. In the same sample, electric breakdown fields increase with increasing test number, and then saturated over test number of the 25th. When the curing temperatures were 200$^{\circ}C$, 250$^{\circ}C$, 300$^{\circ}C$ and 350$^{\circ}C$, the electric breakdown strengths of PI were 1.21MV/cm, 3.94MV/cm, 4.61MV/cm and 4.55MV/cm at the test number of 40th.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1999.11d
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• pp.1137-1139
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• 1999

저가의 우수한 성능을 갖는 적외선 영상표시 소자 구현에 적합한 마이크로 볼로미터를 MEMS 기술을 사용하여 제작하였다. 작은 열질량을 갖는 마이크로미터 단위의 열적고립 구조(thermal isolation structure) 제작은 폴리이미드(PI2611)를 희생층으로 사용하여 최종적으로 ashing공정 단계에서 폴리이미드를 제거하여 마이크로 볼로미터 구조를 완성하였다. 이 때의 구조층으로는 PECVD 질화실리콘($SiN_x$) 박막, 감지층으로 산화바나듐($VO_x$) 박막을 사용하였다. 본 연구에서는 폴리이미드 패턴 형성시 건식식각 공정조건 변수에 따라서 패턴의 기울기를 조절하여 폴리이미드 측면에서 발생되는 불 균일한 박막 증착과 패터닝 문제를 개선하였다. 또한 저응력의 질화실리콘 박막을 사용하여 잔류응력에 의한 열적고립 구조의 뒤틀림 현상을 완화하였다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.4 no.1
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• pp.19-30
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• 1997

고분자 Polyimide (PI) film 표면을 반응성 가스 분위기에서 1KeV의 에너지를 가지 는 여러 종류의 이온빔으로 조사하여 표면을 개질하였다. PI표면의 친수성과 표면에너지를 측정하기 위해 접촉각 측정기를 사용하였으며 개질 된 표면의 화학적 변화를 측정하기 위해 X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)를 사용하였다. 표면 개질을 위한 이온조사량은 5 $\times$1014 -1$\times$1017 ions/cm2이며 반응가스는 0-8scm까지 변화시켰다. 아르곤 이온빔으로 표면 개질시에는 67。에서 40。까지 감소하였고 표면에너지는 46 dyne/cm에서 64dyne/cm까지 증가하였다. 산소를 6sccm 주입하면서 산소 이온빔으로 표면 개질시 물과의 접촉각은 67。 에서 최대 12。까지 감소하였으며 표면에너지는 46dyne/cm에서 72dyne/cm까지 증가하였고 이때의 이온조사량은 5$\times$1014 -1$\times$1017 ions/cm2 이였다. 여러 종류의 반응성 가스와 이온을 사용하여 개질하여 본 결과 산소분위기에서 산소 이온을 이용하여 개질 하였을 때 접촉각이 8。인 표면을 얻을수 있었다, 산소분위기에서 아르곤 이온빔으로 1$\times$1017 ions/cm2 의 이온 조사량으로 개질 된 Pi 시료를 대기 중에 보관하였을 때에는 110시간 후 65。로 증가하였고 물속에서 보관하였을 때에는 46。로 증가하였다. 그러나 산소 이온빔에 산소분위기에서 개 질 된 시료의 경우 물속에 보관할 경우 접촉강의 증가없이 일정한 값을 나타내었다. 이온조 사로 개질된 시료의 화학적 변화를 확인하기 위하여 XPS 사용하였다. 표면 개질 전의 PI 시료와 산소 분위기에서 1$\times$1017 ions/cm2의 아르곤 이온빔으로 개질한 XPS peak 결과로 보아 Cls의 spectra를 보면 C-C, C-N 그리고 C=O의 결합들은 intensity가 감소하였고 C-O 의 intensity는 증가하였다. Nls peak로 보아 imide N 성분은 이온빔의 조사로 인하여 감소 하였고 C-O의 intensity는 증가하였다. Nls peakk로 보아 imide N성분은 이온빔의조사로 감소하였고 Ols peak로 보아 C-O는 증가하였고 C=O는 약간의 감소가 나타났다. 또한 이온 보조 반응법을 이용하여 처리한 시료의 경우 접착력이 증가하는데 이는 주로 C-O 결합의 산소와 Cu와의 상호작요에 의한 것임을 알수 있었다.