• 사물인터넷융복합논문지
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• 제6권2호
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• pp.25-29
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• 2020

타원곡선 암호 알고리즘은 RSA 공개키 알고리즘에 비해 짧은 키의 길이와 적은 통신 부하 때문에 IoT 환경에서 인증용으로 많이 사용되고 있다. 타원곡선 암호 알고리즘의 핵심연산인 스칼라 곱셈이 안전하게 구현되지 않으면, 공격자가 단순 전력분석이나 차분 전력분석을 사용하여 비밀 키를 찾을 수 있다. 본 논문에서는 스칼라 난수화와 타원곡선점 가리기를 함께 적용하고, 연산의 효율성이 크게 떨어지지 않으며 전력분석 공격법에 대응하는 결합 난수 타원곡선 스칼라 알고리즘을 제안한다. 난수 r과 랜덤 타원곡선 점 R에 대해 변형된 Shamir의 두 배 사다리 알고리즘을 사용하여 타원곡선 스칼라 곱셈 kP = u(P+R)-vR을 계산한다. 여기에서 위수 n=2^l±c일 때, 2^lP=∓cP를 이용하여 l+20 비트 정도의 u≡rn+k(modn)과 ν≡rn-k(modn)를 구한다.

• 정보보호학회논문지
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• 제16권6호
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• pp.95-109
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• 2006

타원곡선 암호시스템은 작은 키 길이로 인하여 스마트카드, 센서 모트와 같은 메모리, 계산 능력이 제약된 장치에서 사용하기에 적합하다. 본 논문에서는 이러한 장치에서 타원곡선 서명 알고리즘 검증 (uP+vQ, u, v: 상수, P, Q: 타원곡선 위의 점)의 주된 계산인 다중 상수배를 효율적으로 계산하기 위한 알고리즘을 제안한다. 제안 알고리즘은 부분 윈도우와 Interleave 방법에 기반을 둔 것으로서 어떠한 크기의 사전계산 테이블이라도 이용할 수 있을 뿐만 아니라, 해당 테이블에서 최적의 nonzero 밀도를 제공한다. 또한 상수 리코딩이 테이블 조회를 사용하지 않고 상수배 계산과 함께 진행되기 때문에 기존의 다른 알고리즘에 비하여 더욱 메모리를 절약할 수 있다. 실험을 통하여 163비트의 u, v와, 233 비트의 u, v에 대하여 uP+vQ를 수행하는 데 필요한 계산량을 사전계산 테이블의 크기에 따라 비교함으로써 최적의 테이블 크기는 각각 7, 15임을 알아낼 수 있었다.

• Tuberculosis and Respiratory Diseases
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• 제42권2호
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• pp.218-225
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• 1995

연구배경: 기도저항은 body plethysmograph를 이용하여 flow/alveolar pressure의 관계를 측정함으로써 얻어질 수 있는데, 기도저항이 정상인 경우 oscillooscope 상에서 얻어지는 resistance curve가 거의 linear 하나 증가된 경우에는 그 모양이 기울어지거나 loop을 형성하는 경우가 많아 이러한 curve를 분석하여 환자의 임상평가에 도움이 되는 결과를 얻고자 하였다. 방법: 기도저항이 증가되어 있는 환자를 대상으로 body plethysmograph에서 quiet breathing시에 얻어진 resistance curve의 형태를 분석하여 폐기능을 비교하였다. 결과: 1) Resistance curve는 type 1: linear, type 2: ovoid, type 3: sigmoid, type 4: scoop, type 5: paisley의 5가지 형태로 구분할 수 있었으며, 1예를 제외한 type 3과 type 4 및 5는 loop을 형성하였다. 2) Curve의 형태가 특정 질환에 특징적이지는 않았으나 급성질환은 주로 type 1, 및 2, 만성기류폐쇄는 주로 type 3, 4 및 5에 속하였으며, 기관지 천식이나 오래된 폐결핵은 그 정도에 따라 type 1 에서 5까지의 형태를 모두 보였다. 3) Type 1에서 type 5로 갈 수록, loop을 형성 할 수록 기도폐쇄가 심하고 기도저항이 증가되며 잔기량이 커지는 경향을 보였다. 결론: 기도저항을 측정할 경우 기도저항의 측정치 뿐 아니라 resistance curve를 분석하여 기도폐쇄와 air trapping의 정도를 판단하는데 도움을 얻을수 있으며, resistance curve의 모양이 특정 질환에 특징적이지는 않았지만 호기시 loop이 형성되는 경우 심한 기도폐쇄를 시사하였다.

• Journal of Forest and Environmental Science
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• 제22권1호
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• pp.71-75
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• 2006

P-V곡선에 의한 음나무 묘목 상층엽의 수분특성을 측정하였다. 음나무 잎의 최대팽압시의 삼투포텐셜은 -1.44 MPa 이었고, 초기원형질분리점의 삼투포텐셜은 -1.84 MPa, 초기원형질분리점의 상대함수율은 78.2%였다.

• 한국진공학회지
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• 제4권1호
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• pp.109-117
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• 1995

고에너지 이온주입시 격자결함의 생성 및 열처리 거동이 double crystal X-ray와 단면 TEM을 사용하여 연구되었다. 3MeV P+ 이온주입한 실리콘의 DCXRD 분석 결과조사량 증가에 따라 모재 내의 변형량은 증가하였다. HRTEM 분석 결과 고에너지 이온주입시 결함은 표면 부근에 희박하고 Rp 부근에 집중되어 있었다. 또한 이온주입 상태의 결함층은 dark band의 형태로 존재하였으며 열처리시 이차결함은 이곳으로부터 생성됨이 관찰되었다. 3MeV P+,$1X1015extrm{cm}^2$의 조건으로 이온주입된 실리콘 시편의 열처리에 따른 X-ray rocking curve 분석을 통하여 열처리 온도가 $550^{\circ}C$에서 $700^{\circ}C$로 증가함에 따라 모재 내부의 최대 변형량이 7X10-4에서 2.9X10-4으로 감소함이 관찰되었다. 특히 $550^{\circ}C$ 열처리한 시편의 경우 표면으로부터$-1.5mu$m 영역에 작은 변형층이 넓게 잔존하였으며 열처리온도를 $700^{\circ}C$로 증가한 경우 제거되었다. 이온주입시 생성된 일차결함들은 $700^{\circ}C$ 열처리시 $60^{\circ}$ 전위와 <112> 막대 모양 결함, $1000^{\circ}C$ 열처리시 <110>방향의 전위루프로 열처리 조건에 따라 여러 가지 모양의 이차결함으로 변화하였다. 고에너지 이온주입에 의해 발생한 이차결함은 고온에서도 안정하여 고온 열처리에 의한 제거가 용이하지 않았다.

• Journal of Radiation Protection and Research
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• 제34권4호
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• pp.155-164
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• 2009

In this paper, we used computerized glow curve deconvolution (CGCD) software with several models for the simulation of a TL glow curve which was used for analysis. By using the general approximation plus model, parameters values of the glow curve were analyzed and compared with the other models parameters (general approximation, mixed order kinetics, general order kinetics). The LiF:Mg,Cu,Si and the LiF:Mg,Cu,P material were used for the glow curve analysis. And we based on figure of merits (FOM) which was the goodness of the fitting that was monitored through the value between analysis model and TLD materials. The ideal value of FOM is 0 which represents a perfect fit. The main glow peak makes the most effect of radiation dose assessment of TLD materials. The main peak of the LiF:Mg,Cu,Si materials has a intensity rate 80.76% of the whole TL glow intensity, and that of LiF:Mg,Cu,P materials has a intensity rate 68.07% of the whole TL glow intensity. The activation energy of LiF:Mg,Cu,Si was analyzed as 2.39 eV by result of the general approximation plus(GAP) model. In the case of mixed order kinetics (MOK), the activation energy was analyzed as 2.29 eV. The activation energy was analyzed as 2.38 eV by the general order kinetics (GOK) model. In the case of LiF:Mg,Cu,P TLD, the activation energy was analyzed as 2.39 eV by result of the GAP model. In the case of MOK, the activation energy was analyzed as 2.55 eV. The activation energy was analyzed as 2.51 eV by the GOK model. The R value means different ratio of retrapping-recombination. The R value of LiF:Mg,Cu,Si TLD main peak analyzed as $1.12\times10^{-6}$ and $\alpha$ value analyzed as $1.0\times10^{-3}$. The R of LiF:Mg,Cu,P TLD analyzed as $7.91\times10^{-4}$, the $\alpha$ value means different ratio of initial thermally trapped electron density-initial trapped electron density (include thermally disconnected trap electrons density). The $\alpha$ value was analyzed as $9.17\times10^{-1}$ which was the difference from LiF:Mg,Cu,Si TLD. The deep trap electron density of LiF:Mg,Cu,Si was higher than the deep trap electron density of LiF:Mg,Cu,P.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.410-411
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• 2007

To investigate the ZnO LED which are interested in the next generation of short wavelength LEDs and Lasers, the ZnO thin films were deposited by RF magnetron sputtering system. The p-type ZnO thin film, fabricated by means of the ampoule-tube method, was used to make the ZnO p-n junction, and its characteristics was analyzed. The ampoule-tube method was used to make the p-type ZnO based on the As diffusion, and the hall measurement was used to confirm that the p-type is formed. the current-voltage characteristics of the ZnO p-n junction were measured to confirm the rectification characteristics of a typical p-n junction and the low leakage voltage characteristics. Analysis of ZnO LED V-I curve will provide a very useful technology for producing the UV ZnO LED and ZnO-based devices.

• 한국지반공학회논문집
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• 제24권6호
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• pp.5-16
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• 2008

오염지반에 편재하중이 작용하는 경우에 있어서 지반의 소성화로 인한 측방유동에 대한 안정관리방법을 규명하기 위하여 기존의 이론적인 배경을 고찰하고, 모형실험을 통하여 실측한 결과를 상호 비교 분석하였다. ML과 $ML_{p1},\;ML_{p2}$ 모두 하중(q)-침하량$(S_v)$ 곡선에서 얻어진 극한지지력은 부영(富永) 교본(橋本) 의 변위량$(S_v-Y_m)$에 대한 관리도, 송미(松尾) 천촌(川村)의 $\{S_v-(Y_m/S_v)\}$의 관리도, 자전(紫田) 관구(關口)의 $(q/Y_m)-q$의 관리도에서 얻어진 극한지지력과 상당히 유사하게 나타나고 있어 실제 적용시 무리가 없을 것으로 사료된다. $ML_{p1}$의 송미(松尾) 천촌(川村)의 $\{S_v-(Y_m/S_v)\}$ 관리도에서 얻어진 극한하중은 하중-침하량 곡선$(q-S_v)$에서 얻어진 극한하중 값보다 작은 값을 보이고 있다. 송미(松尾) 천촌(川村)의 안정관리도의 파괴기준선에 대한 ML의 산정식 ${S_v=3.21exp}\{-0.48(Y_m/S_v)\}$이며, $ML_{p1}$의 산정식 ${S_v=3.173exp}\{-0.45(Y_m/S_v)\}$, $ML_{p2}$의 산정식 ${S_v=6.33exp}\{-0.45(Y_m/S_v)\}$으로 결정할 수 있다.

• Journal of Power Electronics
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• 제14권4호
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• pp.722-732
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• 2014

The power-voltage (P-V) curve of photovoltaic (PV) arrays connected in parallel to bypass diodes would have several local maximum power points (LMPP) under partial shading conditions (PSC). Conventional maximum power point tracking (MPPT) methods fail to search for the global maximum power point (MPP) because the searched peak point may remain at the LMPP on the P-V curve under PSC. This study proposes an improved MPPT algorithm to ensure that PV arrays operate at global maximum power point (GMPP) under PSC. The proposed algorithm is based on a critical study and a series of observations of PV characteristics under PSC. Results show the regularity of voltage interval between LMPPs. The algorithm has the advantages of rapidly reaching GMPP, maintaining stability, and recovering GMPP quickly when the operating condition changes. Simulation and experimental results demonstrate the feasibility of the proposed algorithm.

• Journal of Astronomy and Space Sciences
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• 제14권1호
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• pp.59-66
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• 1997

V711 Tau의 채층활동을 조사하기 위하여 자외선 영역의 Mg II 방출선의 세기와 광도 변화의 상관 관계를 유추하였다. 첫째, 가시광선 영역의 광도곡선의 형태와 자외선 영역의 광도곡선의 형태를 비교하고, 둘째, IUE 고분산 스펙트럼에서 Mg II 방출선의 세기를 위상별로 측정하고 방출선 부근의 연속선을 이용하여 자외선 광도곡선을 완성하였다. 방출선의 세기와 광도곡선을 비교한 결과 방출선이 강하게 나타나는 위상, $0.^{p}4$에서는 광도가 어둡게 나타나 최소가 되고, 방출선의 세기가 약할 때는 광도가 밝아져서 최대가 되었다. 이는 자기장이 강한 위상에서는 채층활동과 흑점의 크기가 증가하고 반대로 자기장이 약한 위상에서는 채층활동과 흑점의 크기가 작다는 것을 뜻한다. 그러므로 자기장, 채층활동, 별 표면의 흑점과의 상관 관계가 밝혀지고, V711 Tau의 변광은 표면의 채층활동과 흑점에 의한 것이다.