• 한국진공학회지
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• 제7권s1호
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• pp.1-6
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• 1998

The influence of the order-disorder structural transition on the magnetic and mageto-optical, and transport properties of Fe-Al and Co-Al alloy films has been investigated. The disordered states in the alloy films were prepared by vapor quenching deposition on glass substrates cooled by liquid nitrogen. The experimental study of the magento-optical properties of the ordered and disordered Fe-Al and Co-Al alloy films has been carried out in 1.05-5.0 eV energy range at room temperature. The transport properties have been measured in 2-300K temperature range with and without magnetic field of 0.5T. The influence of the order-disorder structural transition on the magnetic and magneto-optical properties was discussed by using the effective medium approximation and the structural defect approach. That on the temperature dependence of the resistivity was analyzed in a framework of the partial localization of the electronic states and the variable range hopping conductivity.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제45권12호
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• pp.65-72
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• 2008

이 논문은 seamless 주파수 트래킹 방법을 이용한 새로운 이중 루프 디지털 PLL(DPLL)을 제안한다. Coarse 루프와 fine 루프로 구성되는 이중 루프 구조는 빠른 획득 시간과 스위칭 잡음 억제를 위하여 successive approximation register기법과 TDC 회로를 사용하였다. 제안된 DPLL은 입력 주파수의 long-term 지터에 따른 지터 특성을 보상하기 위하여 Coarse와 fine의 코드 변환 주파수 트래킹 방법을 새로이 추가하였다. 또한, 제안된 DPLL은 넓은 주파수 동작 범위와 낮은 지터 특성 위하여 전류 제어 발진기와 V-I 변환기로 구성되는 전압제어 발진기를 채택하였다. 제안된 DPLL은 동부 하이텍 $0.18-{\mu}m$ CMOS 공정으로 구현하였으며 1.8V의 공급전압에서 0.4-2GHz의 넓은 동작 주파수 범위와 $0.18mm^2$의 적은 면적을 가진다. H-SPICE 시뮬레이션을 통하여, DPLL은 2GHz의 동작 주파수에서 18mW 파워소비와 전원잡음이 없는 경우 3psec이하의 p-p period 지터를 확인하였다.

• 한국자기학회지
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• 제12권4호
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• pp.149-153
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• 2002

지구자기장 이하의 저자기장 측정에 있어서 소형이고 소비전력이 작으면서 장기적 안정성이 요구되는 분야에 flux-gate 마그네토미터를 많이 사용하고 있다. 또한 많은 저자기장 측정분야가 지구자기장의 크기측정보다는 지자장의 변화를 측정하는 경우가 많기 때문에, 본 연구에서 측정범위가 $\pm$1,000 nT, 5pT/√Hz (at 1 Hz)인 flux-gate센서를 사용 $\pm$50000 nT인 지구자기장을 순차적 근사법으로 보상한 후 지구자기장의 변화를 고감도로 측정할 수 있는 3-축의 flux-gate 마그네토미터를 개발하였다.

• Kyungpook Mathematical Journal
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• 제55권1호
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• pp.63-71
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• 2015

Let H be a separable infinite dimensional complex Hilbert space, and let $\mathcal{L}(H)$ denote the algebra of all bounded linear operators on H into itself. Let $A,B{\in}\mathcal{L}(H)$ we define the generalized derivation ${\delta}_{A,B}:\mathcal{L}(H){\mapsto}\mathcal{L}(H)$ by ${\delta}_{A,B}(X)=AX-XB$, we note ${\delta}_{A,A}={\delta}_A$. If the inequality ${\parallel}T-(AX-XA){\parallel}{\geq}{\parallel}T{\parallel}$ holds for all $X{\in}\mathcal{L}(H)$ and for all $T{\in}ker{\delta}_A$, then we say that the range of ${\delta}_A$ is orthogonal to the kernel of ${\delta}_A$ in the sense of Birkhoff. The operator $A{\in}\mathcal{L}(H)$ is said to be finite [22] if ${\parallel}I-(AX-XA){\parallel}{\geq}1(*)$ for all $X{\in}\mathcal{L}(H)$, where I is the identity operator. The well-known inequality (*), due to J. P. Williams [22] is the starting point of the topic of commutator approximation (a topic which has its roots in quantum theory [23]). In [16], the author showed that a paranormal operator is finite. In this paper we present some new classes of finite operators containing the class of paranormal operators and we prove that the range of a generalized derivation is orthogonal to its kernel for a large class of operators containing the class of normal operators.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.480.1-480.1
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• 2014

In this study, we suggest the new emitter formation applied solid phase epitaxy (SPE) growth process using rapid thermal process (RTP). Preferentially, we describe the SPE growth of intrinsic a-Si thin film through RTP heat treatment by radio-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition (RF-PECVD). Phase transition of intrinsic a-Si thin films were taken place under $600^{\circ}C$ for 5 min annealing condition measured by spectroscopic ellipsometer (SE) applied to effective medium approximation (EMA). We confirmed the SPE growth using high resolution transmission electron microscope (HR-TEM) analysis. Similarly, phase transition of P doped a-Si thin films were arisen $700^{\circ}C$ for 1 min, however, crystallinity is lower than intrinsic a-Si thin films. It is referable to the interference of the dopant. Based on this, we fabricated 16.7% solar cell to apply emitter layer formed SPE growth of P doped a-Si thin films using RTP. We considered that is a relative short process time compare to make the phosphorus emitter such as diffusion using furnace. Also, it is causing process simplification that can be omitted phosphorus silicate glass (PSG) removal and edge isolation process.

• 대한화학회지
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• 제6권1호
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• pp.14-18
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• 1962

Solution to the diffusion layer for the first order reaction at a droping mercury electrode (D.M.E.) is presented. Equations are derived for polarographic currents for the reactions at the D.M.E. A factor which is applicable to the D.M.E. is derived, when we use the equations of the polarographic currents for the reactions at a plane electrode(P.E.), and the rate constants of the backward reactions are negligibly small. Polarographic currents from a combination of diffusions and reactions are obtained at the D.M.E. with special approximation. Rate constant for the reaction of ferrous ion with hydrogen-peroxide is determined at the D.M.E.,using the data of Kolthoff and Perry. The agreement of the equation with the data of Kolthoff and Perry for the kinetic current of ferric ion in the presence of hydrogen-peroxide is good. Ratios of diffusion layer at the D.M.E. to the diffusion layer at the P.E. are discussed and show that, when the rate constants of the backward reactions for the first order reactions are larger than 1/0.05 sec-1. and drop-time about 3 sec., these ratioes are about one.

• 대한전자공학회논문지
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• 제17권4호
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• pp.11-17
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• 1980

이 논문은 디지탈 필터를 구성하는 기법과 측정 결과를 고찰한 것이다. 필터는 PL 방식에 따라 구성하였으며 DMA와 μp의 연산제어 프로그램을 이용하였다. 이로써 PL 방식의 단점인 플렉시빌리티 (flexibility)의 문제를 일부 보완할 수 있었고, 일반용 μp에 의한 필터 구성보다 고속연산수행이 가능하였다. 구성결과 15 KHz의 셈플링주파수( )를 리얼타임으로 처리할 수 있었으며 이는 DMA 제어신호 실행시간 58 μsec에 의하여 제한됨을 알았다. 측정결과 fs =14 KHz 일때 버터워스 (Butterworth)인 경우 1665 Hz, 체비세프(Tchebichef)에서는 1455Hz의 저지주파수(fsp)까지 설계조건과 근사한 필터특성을 얻을 수 있었다. 측정값에 대한 오차는 버터워스인 경우 fc = 500Hz에서 +0.2dB, fsp =1000Hz 애서 -1.1 dB 이었으며 체비세프인 경우 fc =500Hz에서 +0.ldB, fsp =750Hz에서 + 0.2dB 이었다.

• 한국의학물리학회지:의학물리
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• 제20권4호
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• pp.225-234
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• 2009

Geant4 toolkit은 전자기적 상호작용(electromagnetic interactions)에 대한 다양한 물리적 모델을 제공한다. 이러한 물리적 모델들에 대한 검증은 신뢰성 있는 Geant4 응용을 위해서 중요한 역할을 한다. 그러므로, 본 연구의 목적은 양성자 치료 전산모사를 위해 Geant4가 제공하는 물리적 모델 중 전자기 물리 모델의 정확성을 검증하는 것이다. 검증은 물, 뼈, 지방 그리고 원자번호가 다른 물질에 대해 양성자의 CSDA 비정(continuous slowing down approximation range)과 저지능(stopping power) 데이터를 미국 국립기술표준원(National Institute of Standards and Technology, NIST)의 데이터를 각각 비교하는 방법으로 이루어졌다. 물, 뼈 그리고 지방에 대해 0.01 MeV에서 10 GeV 범위의 입사 에너지의 CSDA 비정과 저지능 전산모사 결과와 NIST값을 비교한 결과, CSDA 비정의 평균 차는 각각 1.0%, 1.4% 그리고 1.4%를 나타내었고, 저지능에 대한 평균 차는 각각 0.7%, 1.0% 그리고 1.3%를 나타내었다. 또한, 각 물질에 대한 NIST 값과의 유의성을 분석하기 위해 kolmogorov-smirnov Goodness-of-Fit 통계분석 방법을 이용한 결과, 전자기 물리 모델의 전산모사 결과 데이터와 NIST 데이터 사이의 유의성을 나타내는 p-value가 유의 수준 0.05 이상 값을 가진다는 것을 확인 하였으며, 이를 통해 Geant4 전자기 물리 모델의 정확성을 검증할 수 있었다.

• 전기학회논문지P
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• 제52권1호
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• pp.9-13
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• 2003

Energy Distribution Function in pure $CH_4$, $CF_4$ and mixtures of $CF_4$ and Ar, have been analyzed over a range of the reduced electric field strength between 0.1 and 350[Td] by the two-term approximation of the Boltzmann equation (BEq.) method and the Monte Carlo simulation (MCS). The results of the Boltzmann equation and the Monte Carlo simulation have been compared with the data presented by several workers. The deduced transport coefficients for electrons agree reasonably well with the experimental and simulation data obtained by Nakamura and Hayashi. The energy distribution function of electrons in $CF_4-Ar$ mixtures shows the Maxwellian distribution for energy. That is, $f(\varepsilon)$ has the symmetrical shape whose axis of symmetry is a most probably energy. The measured results and the calculated results have been compared each other.

• Journal of Photoscience
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• 제4권3호
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• pp.105-112
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• 1997

The fluorescence quenching of 2, 5-di-(5-tert-butyl-2-benzoxazolyl)-thiophene (BBOT) by aniline in five different solvents namely heptane, hexane, cyclohexane, dioxane and acetonitrile has been carried out at room temperature with a view to understand the quenching mechanisms. The experimental results show positive deviation in the Stern-Volmer plots in all the solvents. In order to interpret these results we have invoked the Ground state complex and sphere of action static quenching models. Using these models various rate parameters have been determined. The magnitudes of these parameters suggest that sphere of action static quenching model agrees well with the experimental results. Hence this positive deviation is attributed to the static and dynamic quenching. Further, with the use of Finite Sink approximation model, it was possible to check these bimolecular reactions as diffusion-limited and to estimate independently distance parameter R$^1$ and mutual diffusion coefficient D. Finally an attempt has been made to correlate the values of R$^1$ and D with the values of the encounter distance R and the mutual diffusion coefficient D determined using the Edward's empirical relation and Stokes-Einstein relation.