The Effects of Etch Process Parameters on the Ohmic Contact Formation in the Plasma Etching of GaN using Planar Inductively Coupled $CH_4/H_2/Ar$ Plasma
(평판 유도 결합형 $CH_4/H_2/Ar$ 플라즈마를 이용한 GaN 건식 식각에서 공정변수가 저항성 접촉 형성에 미치는 영향)
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- The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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- v.49 no.8
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- pp.438-444
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- 2000