Among many optical modulators, we are interested in traveling-wave(TW) multiple quantum well(MQW) electro-absorption modulator which can be used for wide-band applications, covering DC to 30GHz or higher frequencies. In this study, we simulate a 1.3mm InGaAs/lnGaAsP TW MQW EAM using the 3D Finite Difference-Time Domain (FDTD) method. We identify that several geometric factors affect Microwave charateristics. Our calculated data provide useful information to optimize and fabricate ridge-type TW CPW EAM.
The integration of a GaAs/AlGaAs multi-quantum well electroabsorption modulator and a tapered waveguide vertical direction optical interconnect has been performed without the complicated regrowth process. Zn impurity-induced layer disordering of MQW layer is used to achieve the energy transfer between SQW and MQW regions. Light coupled into a SQW region was transferred to an MQW region and an intensity modulation of 10 dB extinction ratio was demonstrated.
This paper presents a new method for measuring the half-wave voltage $V_{\pi}$ of an electro-optic phase modulator based on a phase-modulated photonic link with interferometric demodulation. By using this method, the $V_{\pi}$ can be obtained with the RF voltage amplitude input required to achieve 1-dB gain compression of link and the differential delay of a Mach-Zehnder interferometer. We measure the $V_{\pi}$ of a commercial phase modulator by using the presented method and the carrier/the first sideband intensity ratio method. Furthermore, we compare the two measurements with the typical value provided by the manufacturer. The experiment shows that this novel measurement method is feasible, straightforward, and accurate.
This paper presents the performance analysis of 10[Gb/s] optical duobinary transmitters with the non-ideal Mach-Zehnder modulator which does not have exactly 50/50 splitting/combining ratios by computer simulations. For driving voltage ratios(=driving voltage/switching voltage) with smaller than 100[%], the transmission performance has been greatly affected by extension of LPF bandwidths. Nevertheless, the performance has been degraded when the driving voltage ratio is 100[%]. The smaller driving voltage ratios has, the more sensitivity improves by extension of LPF bandwidths under the asymmetry condition. But the driving voltage ratio with 80[%] has better bit error rate(BER) than those with 50[%] and 25[%].
H:LiNbO$_{3}$ optical modulator buffered by parylene layer, which has a merits in the bandwidth, power consumption and fabrication as compared with conventional SiO$_{2}$ buffered optical modulator, is proposed and analyzed. The dependences of velocity matching condition, charcteristics impedance, and driving voltage on dielectric constants, thickness of buffer layer, and electrode configurations are demonstrated with finite element calculation. And we performed the physical and chemical test of parylene buffer layer deposited on LiNbO$_{3}$ and under Au electrodes.
A waveguide of coupled optical modulator was fabricated on LiNbO$_3$ based on proton exchange with self-aligned thin film electrode method. The electrode pattern was designed using a self-aligned method. After proton exchange process, the waveguide was prepared by annealing process. The initial crossover state of the fabricated 2$\times$2 coupled optical modulator was observed with controlling the annealing process variables and the structure of self-aligned thin film electrodes. It was shown form the present work that the measured crosstalk is -29.5[dB] and 8.0[V] of detected modulating voltage.
전자계계측 센서를 구성하기에 편리한 반사간섭형 광변조기를 제안하고, 그 동작원리와 기본특성을 이론적으로 해석하였다. 센서의 고감도화를 위하여 반사간섭형광변조기의 변조도 개선방법을 제시하였으며, $LiNbO_3$ 기판으로 반사간섭형 광변조기를 제작하여 센서를 구성하고, 저주파 전자계 측정실험을 실시하여 센서의 정성적 특성을 평가하였다. 실험에서 5% 정도의 낮은 변조도에서도 5 V/cm 의 계측결과를 얻어 전계계측센서로서 활용 가능성을 확인하였다.
A Y-branch phase modulator made of an electro-optic(EO) polymer has been designed and fabricated. An EO polymer, PMMA-DR1, is used for the core layer, and UV-curable polymers, UV-15 and UV-15 LV, for the cladding layers. The rib type polymeric waveguides are fabricated by the reactive ion etching method and their EO effects are obtained by the poling process. The optical properties of the fabricated phase modulator are as follows: the halfwave voltage, $V_{\pi}$, is 25 V, the insertion loss of TM mode is 13.8 dB, and the intensity modulation is 0.17 % (V).
We demonstrated a polarization dependent type 2$\times$2 optical switch, using a binary reflection type SLM. Reflection type FLC was used as a half wave retardation plate. Two inputs were controlled by each SLM for the desired output direction. In conclusion, in the "1" state the average optical loss was 6.6 ㏈, and in the "0" state the average optical loss was 14.6 ㏈, and measured the switching speed as 75 $mutextrm{s}$. By using this method, a polarization dependent type 2$\times$2 optical switch can be demonstrated and the possibility of a 4-port WDM optical switch also verified.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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