• 제목/요약/키워드: Optical memory

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광 연상 기억 장치를 이용한 한글 문자 인식 (Korean Character Recognition Using Optical Associative Memory)

  • 김정우;배장근;도양회
    • 전자공학회논문지A
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    • 제31A권6호
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    • pp.61-69
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    • 1994
  • For distortion-invariant recognition of Korean characters, a holographic implementation of an optical associative memory system is proposed. The structure of the proposed system is a single-layer neural network employing interconneclion matrix, thresholding and feedback. To provide the interconnection matrix, we use two CGII's which are placed on intermcdiate plane of cascaded Vander Lugt corrclators to form an optical memory loop. The holographic correlator stores reference images in a hologram and retrives them in a coherently illuminated feedback loop. An input image which maybe noisy or incomplete, is applicd to the system and simultaneously correlated optically with all of the stord images. These correlations are throsholed and fed back to the input, where the strongest correlation reinforces the input image. The enhanced image passes arround the loop repeatedly, approaching the stored image more closely on each pass until the system stabilizes on the desired image. The computer simulation results show that the proposed Korean Character recognition algorithm has high discrimination capability and noise immunity.

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대용향 광 연상기억을 위한 대칭 삼층구조의 구현 (Implementation of Symmetrec Three Layered Network for Large Capacity Optical Associative Memory)

  • 서호형;이상수
    • 한국광학회지
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    • 제3권3호
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    • pp.191-197
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    • 1992
  • 대칭 삼층구조 신경망 모델에 기초한 기억용량과 인식능력이 뛰어난 광 연상기억 시스템을 제안하고, 이를 홀로그램과 액정 모니터를 이용하여 구현하였다. 4개의 한글 자음(ㄹ, ㅅ, ㅇ, ㅈ)을 메모리 패턴으로 택하여 실험한 결과 12% 이하의 오차를 갖는 입력에 대해 95% 이상의 인식률을 가진을 보였다. 기종의 이층구조 모델에 기초한 실험결과와 비교하고, 전산 시뮬레이션을 통해 Hopifield모델의 결과와 비교한 결과 더욱 우수한 성능을 보였다.

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대규모 영상처리를 위한 외장 메모리 확장장치의 구현 (Implementation of External Memory Expansion Device for Large Image Processing)

  • 최용석;이혜진
    • 방송공학회논문지
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    • 제23권5호
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    • pp.606-613
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    • 2018
  • 본 연구는 대규모 영상처리를 위한 메모리 확장을 위한 외장 메모리 확장장치 구현에 관련된 내용으로, 이는 영상처리를 위한 그래픽 워크스테이션에 장착되는 PCI(Peripheral Component Interconnect) Express Gen3 x8 인터페이스를 가지는 외장 메모리 어댑터 카드와 외장 DDR(Dual Data Rate) 메모리로 구성된 외장 메모리 보드로 구성되며, 메모리 어댑터 카드와 외장 메모리 보드간의 연결은 광 인터페이스를 통하여 이루어진다. 외장 메모리 억세스를 위해서는 Programmable I/O 방식과 DMA(Direct Memory Access) 방식을 모두 사용할 수 있도록 하여 영상 데이터의 효율적 송수신이 이루어지도록 하였다. 본 연구 결과의 구현은 Altera Stratix V FPGA(Field Programmable Gate Array)와 40G 광 트랜시버가 장착된 보드를 사용하였으며, 1.6GB/s의 대역폭 성능을 보여주고 있다. 이는 4K UHD(Ultra High Definition) 영상 한 채널을 담당할 수 있는 규모이다. 향후 본 연구를 계속 진행하여 3GB/s 이상 대역폭을 보이는 연구결과를 보일 예정이다.

PRAM 용 GST계 상변화 박막의 조성에 따른 특성 (Properties of GST Thin Films for PRAM with Composition)

  • 장낙원
    • Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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    • 제29권6호
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    • pp.707-712
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    • 2005
  • PRAM (Phase change random access memory) is one of the most promising candidates for next generation Non-volatile Memories. The Phase change materials have been researched in the field of optical data storage media. Among the phase change materials. $Ge_2Sb_2Te_5$ is very well known for its high optical contrast in the state of amorphous and crystalline. However the characteristics required in solid state memory are quite different from optical ones. In this study. the structural Properties of GeSbTe thin films with composition were investigated for PRAM. The 100-nm thick $Ge_2Sb_2Te_5$ and $Sb_2Te_3$ films were deposited on $SiO_2/Si$ substrates by RF sputtering system. In order to characterize the crystal structure and morphology of these films. x-ray diffraction (XRD). atomic force microscopy (AFM), differential scanning calorimetry (DSC) and 4-point measurement analysis were performed. XRD and DSC analysis result of GST thin films indicated that the crystallization of $Se_2Sb_2Te_5$ films start at about $180^{\circ}C$ and $Sb_2Te_3$ films Start at about $125^{\circ}C$.

포토폴리머와 희토류이온이 첨가된 유리에서의 이광자흡수를 이용한 광정보저장 (Optical memory in photopolymers and rare-earth ion-doped glasses using two-photon absorption)

  • 이명규;김은경;;임기수
    • 한국광학회지
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    • 제17권1호
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    • pp.75-80
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    • 2006
  • 펨토초 레이저 펄스에 의한 포토폴리머의 투과율 변화와 Eu 이온과 Sm 이온이 첨가된 sodium borate 유리의 형광파장의 변화를 이용하여 3차원 광메모리 가능성을 연구하였다. 780 nm의 모드잠금 타이사파이어 레이저를 이용하여 이광자흡수에 의해 DuPont 포토폴리머에서는 투과율을 변화시켰으며 이로 인해 $0.6{\mu}m$ 크기의 비트를 형성하였다. Sm 이온이 첨가된 재료에서는 이광자흡수로 인한 Sm 이온의 광환원을 이용하여 $4{\mu}m$ 크기의 형광 비트를 얻을 수 있었고 다층구조에서의 비트 형성을 시도하였다.

Control of Optical Hysteresis in Block Copolymer Photonic Gels: A Step Towards Wet Photonic Memory Films

  • 김은주;강창준;장유림;;강영종
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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    • pp.279-279
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    • 2010
  • Smart gels have recently associated with photonic crystals to form photonic gels. Since these photonic gels are capable of reversibly converting the volume change of gels induced in response to external chemical or electric stimuli into characteristic optical signals, they have been considered not only as a good platform for label-free chemical or biological detection, actuators or optical switches but also as a good model system to investigate gel swelling behaviour. Recently, we reported block copolymer photonic gels self-assembled from polystyrene-b-poly(2-vinyl pyridine) (PS-b-P2VP) block copolymers, and demonstrated that selective swelling of lamellar structure allows extremely large tunability of the photonic stop band from UV region to IR region ($\lambda$ peak=350~1,600 nm). Herein we report block copolymer photonic gels which exhibit strong tunable optical hysteresis and their applications. As nonlinear responses in swelling of hydrogels were often observed, photonic gels exhibit optical hysteresis with change of external pH. We demonstrate such optical hysteresis can be precisely programmed by controlling ion-pairing affinity. We anticipate that photonic gels with carefully tunned optical hysteresis are applicable to optical memory devices.

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