고주파로 여기 되는 매트릭스형 도파관 이산화탄소 레이저를 개발하였다. 단위길이당 레이저 출력을 증가시키기 위하여 4개의 고주파 방전관을 2 ${\times}$ 2 형태의 매트릭스 구조로 제작하여 한개의 공진기 속에 배치하였다. 레이저 출력은 출력경으로부터 가까운 거리에서는 4개의 독립된 형태로 출력되었고, 출력경으로부터 거리가 멀어질수록 4개의 빔이 하나로 합쳐짐으로서 가우시안 모드에 가까워지는 것을 확인하였다. 레이저에 주입되는 혼합 가스압력이 45 mbar, 가스 혼합비율이 $CO_2$ : $N_2$ : He : Xe = 1 : 1 : 3 : 0.2, 고주파입력 파워가 200 W일 때 약 12 W의 광출력을 얻었다.
In this paper, micro trench structure is fabricated by femtosecond laser for inserting optical reflecting wavelength filter in planar waveguide. The width and depth of the trench is controlled by femtosecond laser machining condition. Also, large scale of single channel with 500um and 1000um on silica plate is fabricated by femtosecond laser, and roughness of the channel surface is polished by $CO_2$ laser for the insertion of the filter. Then, the characteristic of the planar waveguide inserted the filter is verified.
리튬나이오베이트 결정에 Ti를 열확산시켜 광도파로를 만드는 방법에서 문제가 되는 out-diffusion(삼출) 문제를 해결하는 방안으로 확산과정 이전에 $SiO_2$ 박막을 시료 위해 입히고 Ti을 열확산시켜 광도파로를 제조하는 방법을 제안하였으며, 기존의 방법에 의해서 만들어진 광도파로와 본 연구의 방법에 의해서 만든 광도파로의 근시야상(near field pattern)을 비교하였다.
본 논문에서는 저가로 쉽게 제작할 수 있는 구조를 지닌 단일칩 형태의 고분자 기반 평판형 분광모듈을 제안하였다. 제안된 분광모듈은 UV 임프린트 기법에 의해 제작되어진 비등간격 나노회절격자와 오목거울이 포함된 평판형 광도파로로 구성되어진다. 회절효율을 향상시키기 위해 나노회절격자의 구조는 $25^{\circ}$의 블레이징 각도와 100nm의 선폭을 가지도록 설계, 제작되었다. 평판형 분광모듈은 700 nm 대역폭과 10 nm 분해능을 가짐을 확인하였다. 이러한 집적형 고분자 분광모듈은 다양한 센서 시스템에 적용될 수 있을 것으로 기대된다.
광도파로열 격자(AWG :Arrayed Waveguide Grating) 파장 필터는 전광 네트웍(All Optical Network)을 실현하는 매우 중요한 핵심 소자 중에 하나이다. 광도파로열 격자 파장 필터와 같은 광도파 소자를 해석 및 설계시 수학적인 해석이 필요하며, 가장 대표적인 방법은 BPM(Beam Propagation Method)이다. 본 논문에서는 Paraxial BPM과 Wide Angle BPM을 InP/InGaAsP/InP 광도파로열 격자 파장 필터 해석에 적용시켜 정화도의 차이를 고찰해 보았다. WA-BPM을 구현하기 위하여 저차의 Pade Approximant를 적용하였다. 광도파로열 격자 파장 필터의 SLL(Side Lobe Level)과 삽입손실(Insertion Loss)을 비교하여 분석하였다. 광도파로열 격자 파장 필터를 정확하게 해석 및 설계하기 위해서는 고차의 WA-BPM을 사용해야 함을 확인하였다.
We have investigated an optical waveguide isolator with a multimode interference section by wafer direct bonding, operating at a wavelength $1.55\;{\mu}m$. In order to fabricate the device for monolithic integration, the wafer direct bonding between a magnetic garnet material as a cladding layer and a semiconductor guiding layer has been achieved. We found that wafer direct bonding between InP and GGG $(Gd_3Ga_5O_{12})$ is effective for the integration of a waveguide optical isolator. The isolation ratio was obtained to be 2.9 dB in the device.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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