저온 공정 온도에서 $Al_2O_3$ 게이트 절연물질을 사용한 InGaZnO thin film transistors
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- 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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- 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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- pp.11-11
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- 2010