Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.16
no.5
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pp.390-396
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2003
As the design rule of device continued to shrink, the contact resistance in small contact size became important. Although the conventional TiN/Ti structure as a ohmic layer has been widely used, we propose a new TiN/Co film structure. We characterized a contact resistance by using a chain pattern and a KELVIN pattern, and a leakage current determined by current-voltage measurements. Moreover, the microstructure of TiN/ Ti/ silicide/n$\^$+/ contact was investigated by a cross-sectional transmission electron microscope (TEM). The contact resistance by the Co ohmic layer showed the decrease of 26 % compared to that of a Ti ohmic layer in the chain resistance, and 50 % in KELYIN resistance, respectively. A Co ohmic layer shows enough ohmic behaviors comparable to the Ti ohmic layer, while higher leakage currents in wide area pattern than Ti ohmic layer. We confirmed that an uniform silicide thickness and a good interface roughness were able to be achieved in a CoSi$_2$ Process formed on a n$\^$+/ silicon junction from TEM images.
In this study, an anion exchange membrane water electrolysis (AEMWE) cell was operated for ~1000 h at a voltage bias of 1.95 V. Impedance spectra were regularly measured every ~ 100 h, and changes in the ohmic and non-ohmic resistance were traced as a function of time. While there was relatively little change in the I-V curves and the total cell resistance during the long-term test, we observed various electrochemical phenomena in the cell: 1) initial activation with a decrease in both ohmic and non-ohmic resistance; 2) momentary and non-permanent bubble resistance (non-ohmic resistance) depending on the voltage bias, and 3) membrane degradation with a slight increase in the ohmic resistance. Thus, the regular test protocol used in this study provided clear insights into the performance degradation (or improvement) mechanism of AEMWE cells.
Effect of current collecting layer on the cathode was characterized by AC impedance spectroscopy at 800$^{\circ}C$ under flowing air. LSM-YSZ composite cathode showed lower polarization resistance due to the in-crease of triple phase (LSM/YSZ/Pore) boundary length by incorporation of YSZ. Ohmic resistance {{{{ {R }_{1 } }} of LSM-YSZ was higher than that of pure LSM however because in-plane resistance of the cathode was fair-ly high due to its high specific resistivity. To reduce the in-plane resistance of LSM-YSZ cathode cathode side current collecting layer was required. Ohmic resistance {{{{ {R }_{1 } }} was reduced after forming LSM current col-lecting layer on the LSM-YSZ cathode. In case of pure LSM cathode the formation of Pt, or LSCO current collecting layer reduced polarization resistance {{{{ {R }_{p } }} but ohmic resistance {{{{ {R }_{1 } }} was relatively constant. After annealing of LSM cathode with Pt current collector at higher temperature polarization resistance {{{{ {R }_{p } }} was in-creased but ohmic resistance {{{{ {R }_{1 } }} was constant. These phenomena indicate that Pt or LSCo current col-lecting layers act as a catalytic layer for oxygen reduction of pure LSM cathode. LSCO current collector was effective in reducing the ohmic and polarization resistance of LSM-YSZ cathode.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.26
no.10
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pp.1545-1553
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1989
The ohmic contact behavior in HEMT structure was compared with that in MESFET one throughout the specific contact resistance and microstructural change in both structures. A Au-Ge-Ni based metallization scheme was used and the alloying temperature of the ohmic materials was changed from 330\ulcorner to 550\ulcorner. The alloying temperature to obtain the minimum specific contact resistance in HEMT structure was 60k higher than that in MESFET. The volume fraction of NiAs (Ge) in MESFET structure increases with alloying temperature and/or the alloying time, which makes the decrease of specific contact resistance at the initial stage of ohmic metallization. In contrast, the volume fraction of NiAs(Ge) in HEMT structure was not dependent upon the specific contact resistance, which implies that the ohmic contacts are dominantly formed by the Ge diffusion to 2-DEG(two dimensional electron gas) layer.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.06a
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pp.208-209
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2008
Ni/Ti/Al multilayer system was tested for low-resistance ohmic contact formation to Al-implanted p-type 4H-SiC. Compared with conventional process using Ni, Ni/Ti/Al contact shows perfect ohmic behavior, and possesses much lower contact resistance of about $2.5\times10^{-4}\Omega{\cdot}cm^2$ after $930^{\circ}C$ RTA, which is about 2 orders of magnitude smaller than that of Ni contact. Contact resistance gradually increased as the RTA temperature was lowered in the range of 840 ~ $930^{\circ}C$, and about $3.4\times10^{-4}\Omega{\cdot}cm^2$ was obtained at the lowest RTA temperature of $840^{\circ}C$. Therefore, it was shown that RTA temperature for ohmic contact formation can be lowered to at least $840^{\circ}C$ without significant compromise of contact resistance.
No, Yeong-Su;Kim, Yeong-Eun;Park, Dong-Hui;Kim, Tae-Hwan;Choe, Won-Guk
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.224-224
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2010
Pt와 ITO 상부전극의 top-electode/NiO/Pt 구조에서 resistance switching현상을 연구하였다. 하부전극물질이 resistance switching현상에 미치는 영향은 이미 연구되었다. Ohmic 이나 low Schottky contact은 NiO 박막의 resistance switching 현상은 높은 전기장의 인가에 의해 것이 나타나는 것은 알 수 있었다. Ohmic contact에서는 유도전기장에 의한 resistance switching 현상들을 관찰할 수 있다. low Schottky barrier를 가지는 ITO/NiO/Pt 구조에서 resistances switching현상은 관찰되지 않고 Pt/ITO구조로 Ohmic 접촉은 유도전기장에 의한 resistance switching 현상이 나타나지 않음을 알 수 있었다.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.21
no.11
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pp.968-972
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2008
Ni/Ti/Al multilayer system ('/'denotes the deposition sequence) was tested for low-resistance ohmic contact formation to Al-implanted p-type 4H-SiC. Ni 30 nm / Ti 50 nm / Al 300 nm layers were sequentially deposited by e-beam evaporation on the 4H-SiC samples which were implanted with Al (norminal doping concentration = $4\times10^{19}cm^{-3}$) and then annealed at $1700^{\circ}C$ for dopant activation. Rapid thermal anneal (RTA) temperature for ohmic contact formation was varied in the range of $840\sim930^{\circ}C$. Specific contact resistances were extracted from the measured current vs. voltage (I-V) data of linear- and circular transfer length method (TLM) patterns. In constrast to Ni contact, Ni/Ti/Al contact shows perfectly linear I-V characteristics, and possesses much lower contact resistance of about $2\sim3\times10^{-4}\Omega{\cdot}cm^2$ even after low-temperature RTA at $840^{\circ}C$, which is about 2 orders of magnitude smaller than that of Ni contact. Therefore, it was shown that RTA temperature for ohmic contact formation can be lowered to at least $840^{\circ}C$ without significant compromise of contact resistance. X-ray diffraction (XRD) analysis indicated the existence of intermetallic compounds of Ni and Al as well as $NiSi_{1-x}$, but characteristic peaks of $Ti_{3}SiC_2$, a probable narrow-gap interfacial alloy responsible for low-resistance Ti/Al ohmic contact formation, were not detected. Therefore, Al in-diffusion into SiC surface region is considered to be the dominant mechanism of improvement in conduction behavior of Ni/Ti/Al contact.
Ohmic heating is an internal heating method based on the principle that when an electrical current passes through food, electric resistance heat is uniformly generated internally by food resistance. Previous studies indicate that the thermal properties, external structure, internal structure, and swelling power of ohmic heat treated starch of various starches, such as potato, wheat, corn, and sweet potato, differed from those of conventional heating at the same temperature. In this study, the pasting property of starch, treated with ohmic and conventional heating, were measured by RVA (Rapid Visco-Analyzer). Our results show that as the ohmic heating temperature increased, the PV (Paste Viscosity) of the starch decreased significantly, and the PT (Pasting Temperature) increased. Changes in PV and PT indicate that the swelling of starch remains unchanged by ohm heating. The HPV (Hot Paste Viscosity), CPV (Cold Paste Viscosity) and SV (Setback Viscosity) of ohmic heated starch also differed from the conventional heated starch. The pasting property is similar to the viscosity curve of common cross-linked modified starch. In this experiment, we further confirm the similarity with modified starch and its usability.
Green Hydrogen demonstration complex is under conduction in Jeju island which is rich in renewable energy resources and will produces green hydrogen using a water electrolysis systems. In order to check durability of long-term operation, AST(accelerated stress test) was applied and the power pattern based on Jeju Island's wind power was applied. After 800 hours of repeated application of low current and high current, the performance of the PEM water electrolysis cell was reduced by up to 10% and by about 5.5% in operating conditions. As the result of impedance analysis, it can be seen that the electrode polarization resistance greatly increased than ohmic polarization resistance. In addition, when the durability evaluation was conducted by applying the wind power pattern of Jeju Island, the performance of the PEM water electrolysis cell showed up to 1.6% and a decrease of less than 1% in operating conditions. As a result of the impedance, it can be seen that the change of ohmic resistance and electrode polarization resistance is small.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1995.11a
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pp.63-66
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1995
The ohmic characterization of Au/Te/Au/n-GaAs structure is investigated by the application of x-ray diffraction, scanning electron microscopy, Auger electron spectroscopy, the specific contact resistance and I-V measurement. Increasing the annealing temperature, the results of XRD measurement show the sharpening of the Au-Ga peak and the increasing of the intensity of Au peak due to the crystallization. At 400$^{\circ}C$, which is the ohmic onset point, Ga$_2$Te$_3$peak gets evident and GaAs regrowth peak appears for the samples annealed at 500$^{\circ}C$. The variation of shottky contact to ohmic contact is confirmed by the I-V curve transition. The specific contact resistance of 3.8x10$\^$-5/$\Omega$-$\textrm{cm}^2$ is obtained for the sample annealed at 500$^{\circ}C$ and above 600$^{\circ}C$ the specific contact resistance increased due to the decomposition of GaAs substrate.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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