Kim, Kyung-Young;Lee, Jong-Kyu;Kim, Wang-Sup;Choi, Hwan
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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v.28A
no.11
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pp.880-886
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1991
Multi-layered chip inductors were prepared with good magnetic properties by sintering Ni-Zn-Cu ferrites at a lower temperature. A slurry with 49.5mol%Fe$_{2}O_{3}$, 20.5mol% ZnO, 20mol% NiO and 10nol% CuO was cast into tapes with 60-100\ulcorner of thickness with a doctor blade techniques. The tapes were screen-pronted with 100% silver electrodes, layered and pressed at 250kg/cm$^{2}$ and then sintered ant 900$^{\circ}C$ for 2h. Inductance with internal electrodes printed 5, 10, and 15 turns showed 4.9, 15 and 24$\mu$, respectively, at 1MHz.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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v.21
no.9
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pp.1507-1519
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1997
This paper aims to clarify the effects of grinding conditions on bending strength in surface grinding of various ferrites with the resin bond diamond wheel. The main conclusions obtained were as follows. At a constant material removal rate, the strength improves with increased wheel depth of cut and decreased workpiece speed. It is desirable to grind at higher peripheral wheel speed and under the critical workpiece speed presented in this paper. Grinding the ferrite of higher brittleness, the wheel depth of cut limited to hold 50% of their inherent strength becomes lower. The effect of various grinding conditions on bending strength becomes more larger in the order of Sr, Mn-Zn and Cu-Ni-Zn. When using the diamond grain of the lower toughness, the bending strength becomes higher, and the wheel wear occurs faster. Considering both bending strength and wheel wear rate, the best concentration of wheel is 100. The ground surfaces exhibit that the fracture process during grinding becomes more brittle in the order of Sr, Mn-Zn and Cu-Ni-Zn.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1999.05a
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pp.80-83
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1999
We have studied properties(crystal structure, density, absorption, contraction, initial permeability, and permeability) of Ni$_{0.175-x}$Cu$_{x}$Zn$_{0.33}$Fe$_{0.495}$ (x=0~0.175) ferrites with various NiO and CuO, because of development of materials for high frequency inductor. The XRD peaks of all of samples were observed only spine이 phase. As a results of the density, absorption rate, and shrinkage rate, the grain growth progressed rapidly in x=0.1 at 95$0^{\circ}C$, x=0.075 at 105$0^{\circ}C$, and x=0.025 at 115$0^{\circ}C$ for 3 hours. Initial permeability increased with increasing CuO concentration until x=0.1, and then decreased. The complex permeability as a function frequency were high values at sintered 105$0^{\circ}C$ fotr3 hours in x=0.075, 0.1., 0.1.1.
$Ni_{0.65}Zn_{0.35}Fe_2O_4$thin films were prepared by using a sol-gel method. Their crystallographic, dielectric and magnetic properties were investigated as a function of Cu contents by means of an X-ray diffractometer (XRD), X-ray reflectivity, LCZ meter (NF2232), a vibrating sample magnetometer (VSM), and an atomic force microscope (AFM). From typical C-V measurements for $Ni_{0.65}Zn_{0.35}Fe_2O_4$ thin films on p-type silicon substrate, the surface charge density was calculated as 1.4 ${\mu}$C/$m^2$. The dielectric constant evaluated from the capacitance at the accumulation state was 28. The high $H_{c}$ and low $M_{sat}$ at x=0.0 and 0.1 were due to the growth of the ${\alpha}$-$Fe_2O_3$ phase having antiferromagnetic properties. The rapidly decreased $H_{c}$ and increased $M_{sat}$ at x=0.2 and 0.3 can be explained that the ${\alpha}$-$Fe_2O_3$ phases have completely disappeared at x=0.3 and so, non-magnetic defects are minimized. The $M_{sat}$ was slightly decreased and the $H_{c}$ was increased above at x=0.3 because the increase of grain boundary due to smaller grain size acts as defects during magnetization process.
The purpose of this study Is to investigate the effect of $V_2$O$_{5}$ addition on the microstructures and magnetic properties of 7.7${\times}$4.5${\times}$1.0 mm sized multi-layer chip inductors prepared by the screen printing method using 0∼0.5 wt% $V_2O_{5}$-doped NiCuZn ferrite pastes. With increasing the $V_2O_{5}$ content, the exaggerated grain growth of ferrite layers was developed due to the promotion of Ag diffusion and Cu segregation into the grain boundaries oi ferrites, which affected significantly the magnetic properties of the chip inductors. After sintering at $900^{\circ}C$, the inductance at 10 MHZ of the 0.5 wt% $V_2O_{5}$-doped chip inductor was 3.7 ${\mu}$H less than 4.2 ${\mu}$H of the 0.3 wt% $V_2O_{5}$-doped one, which was thought to be caused by the residual stress at the ferrite layers increased with the promotion of Ag diffusion and Cu segregation. The quality factor of the 0.5 wt% $V_2O_{5}$-doped chip inductor decreased with increasing the sintering temperature, which was considered to be caused by the electrical resistivity of the ferrite layer decreased with the promotion of Ag/cu segregation at the grain boundaries and the growth of the mean grain size of ferrite due to exaggerated grain growth of ferrite layers.
The electromagnetic (EM) wave absorption properties of the $Fe_{73}Si_{16}B_7Nb_3Cu_1$ nanocrystalline powder mixed with 5 to 20 vol% of Ni-Zn ferrites has been investigated in a frequency range from 100MHz to 10GHz. Amorphous ribbons prepared by a planar flow casting process were pulverized and milled after annealing at 425 for 1 hour. The powder was mixed with a ferrite powder at various volume ratios to tape-cast into a 1.0mm thick sheet. Results showed that the EM wave absorption sheet with Ni-Zn ferrite powder reduced complex permittivity due to low dielectric constant of ferrite compared with nanocrystalline powder, while that with 5 vol% of ferrite showed relatively higher imaginary part of permeability. The sheet mixed with 5 vol% ferrite powder showed the best electromagnetic wave absorption properties at high frequency ranges, which resulted from the increased imaginary part of permeability due to reduced eddy current.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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