• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제3권4호
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• pp.51-55
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• 2004

In the design stage of high precision manufacturing/inspection FAB facilities, it is necessary to investigate the allowable vibration limits of high precision equipments and to study structural dynamic characteristics of C/R and Sub-structure in order to provide structural vibration criteria to satisfy these allowable limits. The goal of this study is to investigate the dynamic characteristics of PC-Type mock-up structures designed for next generation TFT-LCD FAB through experiments and analysis procedures. Therefore, in order to provide a proper dynamic structural design for high precision manufacturing/inspection work process, these allowable limits must be satisfied.

• 한국소음진동공학회:학술대회논문집
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• 한국소음진동공학회 2011년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.97-102
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• 2011

The size of TV and TFT-LCD are bigger and bigger for the next generation exposure equipment install that existing fab are getting a lot of additions. When the new fab build an extension that the shortening of the construction and non-vibration are use cast in place concrete pile method. In this study when lay the foundation of existing fab adjoin use vibration monitoring system are rotator type all casing method among cast in place concrete pile method. The evaluation of ground vibration of rotator type all casing method effect to precision equipment and vibration area of influence.

• ETRI Journal
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• 제30권2호
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• pp.238-248
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• 2008

At the extremes of the complexity-performance plane, there are two exemplary QoS management architectures: Integrated Services (IntServ) and Differentiated Services (DiffServ). IntServ performs ideally but is not scalable. DiffServ is simple enough to be adopted in today' core networks, but without any performance guarantee. Many compromise solutions have been proposed. These schemes, called quasi-stateful IntServ or stateful DiffServ, however, have not attracted much attention due to their inherently compromising natures. Two disruptive flow-based architectures have been recently introduced: the flow-aware network (FAN) and the flow-state-aware network (FSA). FAN's control is implicit without any signaling. FSA's control is even more sophisticated than that of IntServ. In this paper, we survey established QoS architectures, review disruptive architectures, discuss their rationales, and points out their disadvantages. A new QoS management architecture, flow-aggregate-based services (FAbS), is then proposed. The FAbS architecture has two novel building blocks: inter-domain flow aggregation and endpoint implicit admission control.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2010년도 추계학술발표논문집 2부
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• pp.555-558
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• 2010

차세대 반도체 산업은 제조공정의 미세화, 복잡화, 다단계화 등이 심화되고 이로 인해 제조원가의 절감을 위한 단위 Wafer당 보다 많은 칩을 생산할 수 있는 450mm 웨이퍼의 도입을 반드시 필요로 한다. 본 논문에서는 클러스터 툴을 주로 사용하는 450mm 웨이퍼 수율관리 개선 시스템의 구현방향과 상세 기능과 각 모듈에 대한 연구를 수행하였으며, 450mm 웨이퍼 생산체제 하에서 필요한 수율관리시스템인 RTFMD 시스템을 제안 하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2011년도 춘계학술대회
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• pp.699-701
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• 2011

차세대 IT 기술은 단일기술에 그치지 않고 융,복합적인 특성을 가지는 기술로 발전하고 있다. 정부는 시스템반도체 설계 분야에서 경쟁력 확보를 위한 5가지 핵심기술을 스마트 자동차 인포테인먼트 플랫폼, 스마트TV 멀티미디어 시스템, 스마트폰 아날로그 및 인터페이스 기술, 스마트 컨버전스 디지털 통신 및 RF 기술, 스마트제품용 고급 전력 관리 기술로 분류하고 이를 응용할 주력산업으로 스마트폰, 스마트TV, 스마트자동차, 스마트패드 등으로 지정하였다. 이러한 핵심요소기술들은 차세대 스마트제품의 경쟁력 확보에 필요한 반도체 설계의 핵심기술이 되며, 이는 팹리스 등의 기업으로 기술이전이 가능하다. 본 고에서는 그 중 스마트자동차 인포테인먼트 플랫폼을 위한 SoC 기술이 현재 어느 위치에 와 있는지 파악하고, 기술 현황과 문제점에 대하여 분석한다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2011년도 춘계학술대회
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• pp.668-670
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• 2011

차세대 IT 기술은 단일기술에 그치지 않고 융,복합적인 특성을 가지는 기술로 발전하고 있다. 정부는 시스템반도체 설계 분야에서 경쟁력 확보를 위한 5가지 핵심기술을 스마트 자동차 인포테인먼트 플랫폼, 스마트TV 멀티미디어 시스템, 스마트폰 아날로그 및 인터페이스 기술, 스마트 컨버전스 디지털 통신 및 RF 기술, 스마트제품용 고급 전력 관리 기술로 분류하고 이를 응용할 주력산업으로 스마트폰, 스마트TV, 스마트자동차, 스마트패드 등으로 지정하였다. 이러한 핵심요소기술들은 차세대 스마트제품의 경쟁력 확보에 필요한 반도체 설계의 핵심기술이 되며, 이는 팹리스 등의 기업으로 기술이전이 가능하다. 본 고에서는 그 중 스마트폰 시스템반도체를 위한 아날로그 및 인터페이스 기술이 현재 어느 위치에 와 있는지 파악하고, 기술 현황과 문제점에 대하여 분석한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 센서 박막재료 반도체 세라믹
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• pp.149-153
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• 2003

Chemical mechanical polishing (CMP) technology for global planarization of multi-level inter-connection structure has been widely studied for the next generation devices. CMP process has been paid attention to planarized pre-metal dielectric (PMD), inter-layer dielectric (ILD) interconnections. Expecially, shallow trench isolation (STI) used to CMP process on essential. Recently, the direct STI-CMP process without the conventional complex reverse moat etch process has established by using slurry additive with the high selectivity between $SiO_2$ and $Si_3N_4$ films for the purpose of process simplification and n-situ end point detection(EPD). However, STI-CMP process has various defects such as nitride residue, tom oxide and damage of silicon active region. To solve these problems, in this paper, we studied the planarization characteristics using a high selectivity slurry(HSS). As our experimental results, it was possible to achieve a global planarization and STI-CMP process could be dramatically simplified. Also we estimated the reliability through the repeated tests with the optimized process conditions in order to identify the reproducibility of HSS STI-CMP process.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제32권3호
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• pp.201-206
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• 2019

This report constitutes the first demonstration in Korea of single-crystal lateral gallium oxide ($Ga_2O_3$) as a metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor (MOSFET), with a breakdown voltage in excess of 480 V. A Si-doped channel layer was grown on a Fe-doped semi-insulating ${\beta}-Ga_2O_3$ (010) substrate by molecular beam epitaxy. The single-crystal substrate was grown by the edge-defined film-fed growth method and wafered to a size of $10{\times}15mm^2$. Although we fabricated several types of power devices using the same process, we only report the characterization of a finger-type MOSFET with a gate length ($L_g$) of $2{\mu}m$ and a gate-drain spacing ($L_{gd}$) of $5{\mu}m$. The MOSFET showed a favorable drain current modulation according to the gate voltage swing. A complete drain current pinch-off feature was also obtained for $V_{gs}<-6V$, and the three-terminal off-state breakdown voltage was over 482 V in a $L_{gd}=5{\mu}m$ device measured in Fluorinert ambient at $V_{gs}=-10V$. A low drain leakage current of 4.7 nA at the off-state led to a high on/off drain current ratio of approximately $5.3{\times}10^5$. These device characteristics indicate the promising potential of $Ga_2O_3$-based electrical devices for next-generation high-power device applications, such as electrical autonomous vehicles, railroads, photovoltaics, renewable energy, and industry.