• 제목/요약/키워드: NTC thermistors

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Mn-Co-0계 NTC 써 미스터의 물성에 미치는 혼합의 영향 (Mixing effect on Properties of NTC Thermistor in Mn-Co-0 System)

  • 윤상식;김경식;윤상옥
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.459-462
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    • 2001
  • Interface effects on properties of NTC thermistors having Mn-Co-O spinel crystal structure system are analyzed by a mixing rule in case of mixed types and layered types between CuO and Al$_2$O$_3$ added compounds. With adding CuO and Al$_2$O$_3$, The compounds form completely solid solution and their resistance and B constant are changed due to the variation of conduction electrons by their ionic substitutions. The properties of mixed NTC thermistors are depended on the logarithmic mixing rule by a dispersed phase and they show slightly lower values due to the lattice mixing affect in compared with calculated values. The resistance of layered NTC thermistors is depended upon the series mixing rule containing the value of an interface layer and effected by the variation of its thickness, and it is changed rapidly to the logarithmic mixing rule by the connection between two layers with increasing the interface layer

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Ni-Mn 산화물 NTC 서미스터의 미세구조와 전기적 특성에 미치는 ZrO2첨가의 효과 (Effect of ZrO2 Addition on the Microstructure and Electrical Properties of Ni-Mn Oxide NTC Thermistors)

  • 박경순;방대영;윤성진;최병현
    • 한국세라믹학회지
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    • 제40권1호
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    • pp.11-17
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    • 2003
  • Ni-Mn 산화물 NTC 서미스터의 미세구조와 전기적 특성에 미치는 Zr $O_2$ 첨가의 효과를 연구하였다. Zr $O_2$를 포함하는 Ni-Mn-Zr 산화물 소결체의 주요 상은 입방정 스피넬 구조를 가지는 NiO-Mn$_3$ $O_4$-Zr $O_2$의 고용체와 정방정 결정구조를 가지는 Zr $O_2$ 상이였다. Zr $O_2$의 첨가량이 증가함에 따라 Ni-Mn-Zr산화물의 고용체를 형성하지 못하고 생성된 Zr $O_2$의 양이 증가하였다. NiO-Mn$_3$ $O_4$-Zr $O_2$ NTC 서미스터에 있어서 절대온도 역수(l/T)에 대한 로그 비저항(log $ho$)은 직선적인 관계가 있었고, 비저항, B$_{140}$320/정수 및 활성화 에너지는 Zr $O_2$ 함량이 증가함에 따라 크게 증가하였다.

Mn-Co-Ni 산화물계 NTC 서미스터의 조성에 따른 전기적 특성과 경시변화 (The Electrical Properties and Aging Effects on the Composition of Mn-Co-Ni NTC Thermistors)

  • 권정범;정용근;엄우식;송준광;유광수
    • 한국세라믹학회지
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    • 제38권12호
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    • pp.1174-1179
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    • 2001
  • 상온용 NTC 서미스터로는 주로 Mn-Co-Ni 산화물계가 사용된다. 본 연구에서는 Mn-Co-Ni 산화물게 분말을 이용하여 상온에서 가압성형하여 125$0^{\circ}C$에서 3시간 동안 소결한 후, 100$0^{\circ}C$에서 3시간 유지하여 소결체를 제작하였다. 다양한 조성으로 제조된 서미스터의 전기적 특성을 평가한 결과, MCN622(Mn$_3$O$_4$60wt%, 20wt%, NiO 20wt%)는 가장 낮은 비저항과 상대적으로 높은 B 정수를 나타내었고, MCN721(Mn$_3$O$_4$70wt%, Co$_3$O$_4$20wt%, NiO 10 wt%)는 다는 조성들에 비해 현저히 높은 비저항값을 나타내었다. 또한, 각 조성들의 경시변화는 $\pm$2%이내로서 비교적 안정한 특성을 나타냈다.

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Ni-Mn-Co-Fe 산화물 후막 NTC 서미스터의 제조 및 전기적 특성 (Fabrication and Electrical Properties of Ni-Mn-Co-Fe Oxide Thick Film NTC Thermistors)

  • 박경순;방대영;윤성진;최병현
    • 한국세라믹학회지
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    • 제39권10호
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    • pp.912-918
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    • 2002
  • 스크린 인쇄법을 이용하여 알루미나 기판위에 Ni-Mn-Co-Fe 산화물 후막을 코팅하였다. 후막의 조성과 소성온도를 변화시키며 미세구조와 전기적 특성을 연구하였다. 1150${\circ}C$에서 소성한 시편의 경우 모든 구성 원소가 후막에 균일하게 분포되어 있었다. 그러나, 1200${\circ}C$와 1225${\circ}C$에서 소성한 시편의 경우 Co 원소는 후막에 균일하게 분포되어 있으나 Mn, Ni 및 Fe 원소는 불균일하게 분포되어 있어 Mn 원소의 농도가 큰 영역과 Ni과 Fe 원소의 농도가 큰 영역이 존재하였다. 제조한 모든 후막 NTC 서미스터는 NTC 서미스터의 특성인 로그 저항(log R)과 온도의 역수(1/T) 사이에서 직선적인 관계를 보였다. $(Ni_{1.0}Mn_{1.0}Co_{1-x}Fe_x)O_4$ (0.25${\le}$x${\le}$1.0)와 $(Ni_{0.75}Mn_{1.25}Co_{1-x}Fe_x)O_4$ (0.25${\le}$x${\le}$0.75) 서미스터의 저항, B 정수 및 활성화 에너지는 Fe2O3 함량이 증가함에 따라 증가하였다.

Mn-Co-O계 NTC 써미스터의 물성에 미치는 혼합의 영향 (Mixing effect on Properties of NTC Thermistor in Mn-Co-O System)

  • 윤상식;김경식;윤상옥
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
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    • pp.459-462
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    • 2001
  • Interface effects on properties of NTC thermistors having Mn-Co-O spinel crytal structure system are analyzed by a mixing rule in case of mixed types and layered types between CuO and $Al_{2}O_{3}$ added compounds. With adding CuO and $Al_{2}O_{3}$, The compounds form completely solid solution and their resistance and B constant are changed due to the variation of conduction electrons by their ionic substitutions. The properties of mixed NTC thermistors are depended on the logarithmic mixing rule by a dispersed phase and they show slightly lower values due to the lattice mixing affect in compared with calculated values. The resistance of layered NTC thennistors is depended upon the series mixing rule containing the value of an interface layer and effected by the variation of its thickness, and it is changed rapidly to the logarithmic mixing rule by the connection between two layers with increasing the interface layer.

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