• 제목/요약/키워드: NESCR (N-type Embedded SCR)

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NESCR 소자에서 정전기 보호 성능 향상을 위한 최적의 P-Well 구조 설계 (Optimal P-Well Design for ESD Protection Performance Improvement of NESCR (N-type Embedded SCR) device)

  • 양준원;서용진
    • 한국위성정보통신학회논문지
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    • 제9권3호
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    • pp.15-21
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    • 2014

  • NESCR 구조의 정전기 보호소자가 고전압 동작용 I/O 응용을 위해 분석되었다. 기존의 NESCR 표준소자는 매우 낮은 스냅백 홀딩 전압을 갖는 전형적인 SCR 특성을 나타내므로 정상적인 동작 동안 래치업 문제를 초래한다. 그러나 본 연구에서 제안하는 CPS 및 부분적으로 형성된 P-well 구조를 갖는 NESCR_CPS_PPW 변형소자는 높은 온-저항과 스냅백 홀딩 전압을 나타내어 래치업 면역 능력을 향상시킬 수 있었다.

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