• KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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• 제5C권3호
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• pp.115-118
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• 2005

Currently, molecular devices are reported utilizing active self-assembled monolayers (SAMs) containing the nitro group as the active component, which has active redox centers [1]. SAMs are ordered molecular structures formed by the adsorption of an active surfactant on a solid surface. The molecules will be spontaneously oriented toward the substrate surface and form an energetically favorable ordered layer. During this process, the surface-active head group of the molecule chemically reacts with and chemisorbs onto the substrate In this paper, the electrical properties of the 4'4- di(ethynylphenyl)-2'-nitro-1-benzenethiolate was confirmed. This material is well known as a conducting molecule having possible application to molecular level negative differential resistance (NDR) device. To deposit the self-assembly monolayers onto the gold electrode, the prefabricated Au(1 l l) substrates were immersed into 0.5[mM/l] self-assembly molecule in THF solution. Then, the electrical properties and surface morphologies of 4' 4-di(ethynylphenyl)-2' -nitro-1-benzenethiolate were measured by using the ultra-high vacuum scanning tunneling microscopy (UHV-STM).

• 한국통신학회:학술대회논문집
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• 한국통신학회 2004년도 추계종합학술대회 논문 초록집
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• pp.214-214
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• 2004

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제6권3호
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• pp.154-161
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• 2006

This paper describes the new types of ngative differential resistance (NDR) IC applications which use a monolithic quantum-effect device technology based on the RTD/HBT heterostructure design. As a digital IC, a low-power/high-speed MOBILE (MOnostable-BIstable transition Logic Element)-based D-flip flop IC operating in a non-return-to-zero (NRZ) mode is proposed and developed. The fabricated NRZ MOBILE D-flip flop shows high speed operation up to 34 Gb/s which is the highest speed to our knowledge as a MOBILE NRZ D-flip flop, implemented by the RTD/HBT technology. As an analog IC, a 14.75 GHz RTD/HBT differential-mode voltage-controlled oscillator (VCO) with extremely low power consumption and good phase noise characteristics is designed and fabricated. The VCO shows the low dc power consumption of 0.62 mW and good F.O.M of -185 dBc/Hz. Moreover, a high-speed CML-type multi-functional logic, which operates different logic function such as inverter, NAND, NOR, AND and OR in a circuit, is proposed and designed. The operation of the proposed CML-type multi-functional logic gate is simulated up to 30 Gb/s. These results indicate the potential of the RTD based ICs for high speed digital/analog applications.

• 한국정보과학회:학술대회논문집
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• 한국정보과학회 2005년도 가을 학술발표논문집 Vol.32 No.2 (1)
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• pp.931-933
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• 2005

Windows CE는 Microsoft사의 Windows 운영체제 가운데서 가장 작은 운영체제로서 일반 데스크톱 Windows 커널을 수용할 수 없는 소형/임베디드 장비에서 주로 사용되어진다. 현재 Windows CE에서 사용되고 있는 부트로더로는 E-boot(Ethernet bootloader)가 있으며 RAM 이미지와 플래시 이미지 다운로드 기능을 제공한다. E-boot의 문제점으로는 플래시 메모리상에서 부팅을 수행하기 때문에 NOR 타입의 플래시만을 지원하여, 컴팩트 플래시와 같은 NAND 타입의 플래시 지원하지 않는다. 이는 OS Binary 이미지의 용량이 NOR 플래시를 초과할 경우에 수행이 불가능하다는 문제를 발생시킨다. 따라서 본 논문에서는 기존의 E-boot를 수정하여 NDR 플래시보다 상대적으로 가격이 저렴하고 휴대성이 좋은 컴팩트 플래시 메모리를 이용하여 부팅이 가능한 부트로더를 구현한다. 또한 컴팩트 플래시 지원을 위한 새로운 읽기/쓰기 메카니즘을 소개한다.

• 전자통신동향분석
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• 제27권5호
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• pp.10-17
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• 2012

MIT(Metal-Insulator Transition) 물질은 온도와 전기장과 같은 외부자극에 의해 절연체에서 금속으로 전이할 때 전기적 저항이 급격하게 감소하는 물질을 말한다. 그 감소폭은 약 $10^4{\sim}10^5$배 정도로 이전에 볼 수 없었던 아주 큰 값이다. 또한 이러한 급격한 감소로 인하여 NDR(Negative Difference Resistance) 같은 현상이 발생하며, 외부에서 주어지는 광학적 에너지에 의하여 전이가 일어나기도 한다. 이러한 여러 현상들을 이용하여 전자소자가 개발되고 그에 따른 응용 분야도 활발하게 연구가 진행되고 있다. 이러한 시도는 MIT 물질의 단독으로 제조된 소자뿐만 아니라 기존의 전자소자와 병행하여 더욱 시너지를 발휘할 것으로 예측된다. 본고에서는 MIT 현상의 간략한 설명과 현재 기술의 발전 방향, 간단한 응용소자에 관하여 개괄적으로 기술하고자 한다.

• 전자통신동향분석
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• 제26권3호
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• pp.88-94
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• 2011

MIT 물질은 절연체에서 금속으로 전이할 때 특정한 온도와 전압에서 전기 저항이 급격하게 감소하는 물질을 말한다. 그 감소폭은 약 $10^4{\sim}10^5$배 정도로 이전에 볼 수 없었던 아주 큰 값이다. 또한 이러한 급격한 감소로 인하여 NDR 같은 현상이 발생하며, 외부에서 주어지는 광학적 에너지에 의하여 전이가 일어나기도 한다. 이러한 여러 현상들을 이용하여 여러 가지 전자소자로의 응용이 시도되고 있다. 이러한 시도는 MIT 물질의 단독으로 뿐만 아니라 기존의 전자소자와 병행하여 더욱 시너지를 발휘할 것으로 예측된다. 본 보고서에서는 MIT 현상의 간략한 설명과 현재 기술의 발전 방향, 간단한 응용소자에 관하여 개괄적으로 기술하고자 한다.

• 전자공학회논문지D
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• 제34D권4호
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• pp.27-32
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• 1997

In resonant tunneling diodes with the quantum well structure showing the negative differential resistance (NDR), it is essential to increase both the peak-to-valley current ratio (PVCR) and the peak current desnity ( $J_{p}$) for the accurate digital switching operation and the high output of the device. In this work, a resonant interband tunneling diode (RITD) with single quantum well structure, which is composed of I $n_{0.47}$As/I $n_{0.52}$A $l_{0.48}$As heterojunction on the InP substrate, is fabricated ot improve PVCR and JP, and then the dependence of I-V charcteristics on the width of the quantum well was investigated.d.ted.d.

• 한국원자력학회:학술대회논문집
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• 한국원자력학회 1998년도 춘계학술발표회논문집(2)
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• pp.771-776
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• 1998

TORT is employed for fast neutron fluence calculation at the reactor pressure vessel. KORI Unit 1 reactor at cycle 1 is modeled for this calculation. Three-dimensional cycle averaged assembly power distributions for KORI Vnit 1 at cycle 1 are calculated by using the core physics code, NESTLE 5.0. The root mean square error is within 4.3% compared with NDR (Nuclear Design Report) far all burnup steps. The C/E (Calculated/Experimental) values for the in-vessel dosimeters distribute between 0.98 and 1.36. The most updated cross-section library. BUGLE-96 based on ENDF/B-VI is used for the neutron fluence calculation. The makimum fast neutron nun calculated on reactor pressure vessel for KORI Unit 1 operated for 411.41 effgctive full power days is 1.784x10$^{18}$ n/$\textrm{cm}^2$. The position of the maximum neutron fluence in RPV wall 1/4 T is nearby 60cm below the midplane at zero degree.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1996년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1456-1458
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• 1996

In resonant tunneling diodes with the quantum well structure showing the negative differential resistance (NDR), it is essential to increase both the peak-to-valley current ratio (PVCR) and the peak current density ($J_p$) for the accurate switching operation and the high output of the device. In this work, a resonant interband tunneling diode (RITD) with single quantum well structure, which is composed of $In_{0.53}Ga_{0.47}As/ln_{0.52}Al_{0.48}As$ heterojunction on the InP substrate, is suggested to improve the PVCR and $J_p$ through the narrowed tunnel barriers. As the result, the measured I-V curves showed the PVCR over 60.

• 한국시뮬레이션학회:학술대회논문집
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• 한국시뮬레이션학회 2003년도 춘계학술대회논문집
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• pp.101-105
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• 2003

본 논문은 고리 1호기 원자력발전소를 기준발전소로 하여 개발된 PRE-MARK 소개 및 PRE-MARK을 기반으로 개발된 노심모델의 결과를 제시하고자 하는 것을 주된 목적으로 하고 있다. 노심 모델개발에는 REMARK 모델 프로그램을 기반으로 개발된 PRE-MARK를 이용하였으며, PRE-MARK의 주요 특징으로는 노심모델 입력자료를 노심설계코드 및 Lattice 코드로부터 자동으로 생성하며여 GUI 기반으로 변경된 REMARK으로 입력하여 노심모델을 구동함과 동시에 실시간으로 중요 변수의 현재 값들을 그래프로 도시해줌으로 조율 (Tuning) 상수를 용이하게 결정할 수 있도록 하는 것이다. 또한 BOL 및 EOL에서 HFP 평형 Xenon조건에서의 제어봉 위치에 따른 제어봉가(Rod worth)를 고리 1호기 20주기 NDR (Nuclear Design Report)과 비교하고, 원자로정지 이후 BOL, MOL 및 EOL에서의 시간에 따른 Xenon의 반응도 영향을 비교함으로 개발된 모델의 건전성을 입증하였다.