• 한국자기공명학회논문지
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• 제12권2호
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• pp.74-80
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• 2008

The local structure of defects in undoped, Si-doped, and neutron irradiated free standing GaN bulk crystals, grown by hydride vapor phase epitaxy, has been investigated by employing electron magnetic resonance(EMR), Raman scattering and cathodoluminescence. The GaN samples were irradiated to a dose of $2{\times}10^{17}$ neutrons in an atomic reactor at Korea Atomic Energy Research Institute. There was no appreciable change in the Raman spectra for undoped GaN samples before and after neutron irradiation. However, a forbidden transition, $A_1$(TO) mode, appeared for a neutron irradiated Si-doped GaN crystal. Cathodoluminescence spectrum for the neutron irradiated Si-doped GaN crystal became much broader or was much more broadened than that for the unirradiated one. The observed EMR center with the g value of 1.952 in a neutron irradiated Si-doped GaN may be assigned to a Si-related complex donor.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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• pp.895-897
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• 2008

ZnO films were fabricated using rf-magnetron sputter deposition process with different $N_2$ ambient. N-content in N-doped ZnO films was less than 1%. The wavelength of the highest intensity PL peak of N-doped ZnO was shifted to higher wavelength with increasing $N_2$ flow rate in the deposition ambient. These results indicated that the optical property of ZnO was significantly affected by the defect level created by doping with a very small amount of N.

• 한국결정학회지
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• 제9권2호
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• pp.131-137
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• 1998

결정결함의 밀도가 낮은 GaN epitaxy 막을 MOCVD(metal organic chemical vapour deposition) 방법에 의해 성장시켰다. 기판은 6H-SiC를 사용하였으며, AlN과 GaN으로 구성된 이중 buffer 층을 도입하였다. GaN buffer 층은 반응원료인 trimethyl gallium(TMG)과 NH3 가스를 교호식펄스공급(alternating pulsative supply, APS)방법에 의해 만들었다. AlN buffer/6H-SiC 위에 초기단계에 형성되는 GaN 섬은 APS처리에 의해 크기가 커지는 것을 AFM(atomic force microscope)으로 관찰하였다. Buffer 층의 역할은 그 위에 성막시킨 GaN epitaxy 막의 결정성과 결함밀도에 의해 조사하였다. 성막된 GaN의 결정구조와 결정성은 DCXRD(double crystal X-ray diffractormeter)에 의해 측정되었다. 결정결함은 EPD(etching pit density)를 측정하는 방법으로 알칼리혼합용에서 처리된 막을 SEM(scanning electron microscope)으로 관찰하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제36권8호
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• pp.799-804
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• 1999

Composites of SiC-Si3N4 consisted of uniformly distributed elongated $\beta$-Si3N4 grains and equiaxed $\beta$-SiC grains were fabricated with $\beta$-SiC,. $\alpha$-Si3N4 Al2O3 and Y2O3 powders. By hot-pressing and subsequent annelaing elongated $\beta$-Si3N4 grains were grown via$\alpha$longrightarrow$\beta$ phase transformation and equiaxed $\beta$-Si3N4 composites increased with increasing the Si3N4 content owing to the reduced defect size and enhanced crack deflection by elongated $\beta$-Si3N4 grains and the grain boundary strengthening by nitrogen incorporation. Typical flexural strength and fracture toughness of SiC-40 wt% Si3N4 composites were 783 MPa and 4.2 MPa.m1/2 respectively.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제17권7호
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• pp.764-769
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• 2004

In order to reduce operating voltage of the GaN based blue-violet laser diodes, the effect of highly Mg doped GaN layer, which was grown below ohmic contact metals, on contact resistivity as well as operating voltage has been investigated. The addition of the highly Mg doped GaN layer greatly reduced contact resistivity of Pd/Pt/Au ohmic contacts from $5.2 \times {10}^-2 \Omegaㆍ$\textrm{cm}^2$ to 7.5 \times {10}^-4 \Omegaㆍ$\textrm{cm}^2$$. In addition, it also decreased device voltage at 20 mA by more than 3 V. Temperature- dependent sheet resistivity of the highly Mg doped GaN layer suggested that the reduction of the contact resistivity could be attributed to predominant current flow at the interface between the Pd/Pt/Au contacts and p-GaN through a deep level defect band, rather than the valence band.

• 한국진공학회지
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• 제16권1호
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• pp.27-32
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• 2007

양자우물의 두께가 다른 4종류의 $In_xGa_{1-x}N(x=0.15)/GaN$ 다중 양자우물 구조의 PL 스펙트럼을 분석하여 InGaN에서의 결정상 분리 현상을 조사하였다. 우물폭이 1.5 nm에서 6.0 nm로 증가함에 따라, PL스펙트럼은 비대칭성이 점점 강해지는 이중 피크의 특성을 나타내었다. 곡선맞춤을 수행하여 분리한 2개의 피크를 분석하여, InGaN 우물에서의 부준위 천이에 해당하는 고에너지 피크의 세기는 줄어드는 반면, 상분리에 의하여 생성된 저에너지 피크의 강도는 점점 강해짐을 볼 수 있었다. 이것은 InGaN 우물에는 In 조성이 다소 다른 2개의 결정상이 존재하여, 우물폭 증가와 함께 InN 상분리가 강해지면서 In 조성이 큰(In-rich) InGaN 결정상이 상대적으로 증대됨을 보여 주는 결과로 해석된다. 우물 두께가 6.0 nm인 시료에서는 저에너지 영역(${\sim}2.0eV$)에서 또 하나의 피크이 관측되었는데, 이것은 GaN에서 잘 알려져 있는 결함에 기인한 황색준위(YB)와 그 근원이 같은 것으로, InN의 상분리가 임계값 이상으로 발달하여 생성된 결함과 관련된 준위인 것으로 해석된다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.1830-1832
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• 1999

고에너지 이온주입(1)에 기인한 격자 손상 발생 및 열처리에 따라 이들의 회복이 어느정도 가능한지에 대하여 측정 및 분석방법을 통하여 조사하였다. 그리고 본 실험에서는 이온주입시 형성되는 빈자리 결함(Vacancy defect)과 격자간 결함(interstitial defect)의 재결할(recombination)을 이용 점결합(point defect)를 감소 시킬 수 있는 effective RTA조건을 설정하여 well 특성을 개선하고자 하였다. 8inch p-type Si(100)기판에 pad oxide 100A을 형성한 후 NMOS 형성하기 위해 vtn${\sim}$p-well과 PMOS 형성을 위해 vtp$\sim$n-well을 이온주입 하였다. Mev damage anneal은 RTA(2)(Rapid Thermal Anneal)로 $1000\sim1150C$ 온도에서 $15\sim60$초간 spilt 하여 실험후 suprem-4 simulation data를 이용하여 실제 SIMS측정 분석결과를 비교하였으며 이온주입에 의해 발생된 격자손상이 열처리후 damage 정도를 알아보기 위해 T.W(Therma-Wave)을 이용하였으며 열처리후 면저항값은 4-point probe를 사용하였다. 이온주입후 열처리 전,후에 따른 불순물 분포를 SIMS(Secondary ion Mass Spectrometry)를 이용하여 살펴보았다. SIMS 결과로는 열처리 온도 및 시간의 증가에 따라서 dopant확산 및 활성화는 큰차이는 보이지 않고 오히려 감소하는 경향을 볼 수 있으며 또한 접합깊이와 농도가 약간 낮아지는 것을 볼 수 있었다. 결점(defect)을 감소시키기 위해서 diffusivity가 빠른 임계온도영역($1150^{\circ}C$-60sec)에서 RTA를 실시하여 dopant확산을 억제하고 점결점(point defect)의 재결합(recombination)을 이용하여 전위 (dislocation)밀도를 감소시켜 이온주입 Damage 및 면저항을 감소 시켰다. 이와 같은 특성을 process simulation(3)(silvaco)을 통하여 비교검토 하였다.

• Journal of Welding and Joining
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• 제18권2호
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• pp.196-196
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• 2000

Formation of the weld defect, such as a blowhole and a pit in lap-jointed fillet arc welds has been a serious problem in arc welding of Zn-coated steel sheet. In this study, the relationship among welding conditions, welding materials and defect formation was investigated in order to minimize these defects in the CO₂ welds. In addition, the arc stability of the commercial welding wires was evaluated for revealing their effects on defect formation. Main conclusions obtained are as follows:1) There was no difference between shear tensile strength of the sound welds and that of the welds with blowholes whose diameters are less than 0.5mm. However, the welds with blowholes whose diameters are equal or larger than 0.5mm and pits exhibited tensile strength 10~20% and 30~40% lower than that of the sound welds respectively.2) The optimum welding condition to effectively prevent or reduce the weld defects formation are as follows:- The welding variables of 220A-23V-100cm/min and 120A-190V-30cm/min were recommended for minimizing the weld defects.- The gap between the two sheets at the lap-joint should be controlled to more than 0.2mm- Solid wire was less susceptible to the formation of the weld defects than the flux-cored wire.- The low welding current condition produced less weld defects than the hihg welding current condition.3) One of the reason why the amount of the defect was reduced at the low welding current was the gas discharging by the active agitation of the molten pool, due to an increasing in the number of the short circuit. (Received September 27, 1999)

• 대한화학회지
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• 제37권4호
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• pp.390-395
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• 1993

비화학량론적 화합물 $CeO_2-x의 비호학량 x값과 전기전도도를 600~1200$^{\circ}C$의 온도 범위와 $2{\times}10^{-1}{\sim}1{\times}10^{-4}$ atm이 산소분압 범위에서 측정하였다. 결함생성 엔탈피는 흡열과정임을 보이며 산소분압의존성 도는 1/n 값은 -1/3.18 ∼ -1/3.69까지 변하였다. 전기전도도의 활성화에너지와 1/n값은 각각 1.75 eV 와 -1/4이었다. 비화학량 x값, 전기전도도 $\sigma$값 및 열역학적 데이타로부터 이산화세륨의 결함구조는 1가로 하전된 산소공위이며 과잉금속이 전도성 전자주게의 역할을 하는 n-형 반도체이다.

• Journal of applied mathematics & informatics
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• 제9권1호
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• pp.167-183
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• 2002

A modified discretization ABS algorithm for solving a class of singular nonlinear systems, F($\chi$)=0, where $\chi$, F $\in$ $R^n$, is presented, constructed by combining a discretization ABS algorithm arid a method of Hoy and Schwetlick (1990). The second order differential operation of F at a point is not required to be calculated directly in this algorithm. Q-quadratic convergence of this algorithm is given.