• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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• 2001.04a
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• pp.328-330
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• 2001

무선 인터넷 환경하에서 신뢰성이 보장되어야 할 데이터의 전송이나 음성 데이터의 전송시에 혼잡으로 인한 손실이 발생했을 때, 라우터나 스위치에서의 손실을 네트웍 레이어에서 직접 복구를 함으로서 양단에서의 손실을 극소화함은 물론 지연시간을 최소화하여, 멀티미디어 데이터의 재생시에 치명적으로 작용할 수 있는 Jitter의 발생을 줄이며 네트웍 레이어에서의 손실을 최소화함으로써 무선 링크를 통한 복구 횟수를 줄여서 신뢰성 향상 및 전반적인 모바일 네트웍의 성능을 향상시킬 수 있는 방법을 제시하고 이에 대한 시뮬레이션을 통해 그 성능을 입증하도록 하겠다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2018.07a
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• pp.213-215
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• 2018

본 논문에서는, 경부하 조건에서 저감된 스위칭 손실과 중부하 이상 조건에서 영전압 스위칭을 통해 높은 효율을 가지는 토템폴 브리지리스 역률보상회로를 제안한다. 토템폴 브리지리스 역률보상회로는 기존 브리지 다이오드를 포함한 역률보상회로의 단점인 도통패스 구간의 비교적 많은 소자 수를 통한 도통손실이 다소 큰 단점을 보완한 회로이다. 하지만, 토템폴 브리지리스 역률보상회로는 여전히 하드 스위칭을 통한 손실과 주 파워링 다이오드의 역회복 손실로 인한 단점을 지니고 있게 되며, 그로 인해 현재로써는 높은 효율과 안정적인 동작을 위해서는 부득이 GaN FET를 적용한 개발이 대부분이다. Full 부하 조건의 전류 용량을 고려하여 높은 전류 정격을 가지는 GaN FET를 주 스위치로 활용할 경우, 전류용량과 비례하여 기생 커패시턴스에 의한 손실이 커지기 때문에 경부하 조건에서 높은 효율을 확보하기가 다소 어렵다. 또한 구조상 물리적으로 여전히 하드 스위칭 동작을 할 수 밖에 없기 때문에 서버용 전원장치에서 요구하는 높은 효율을 달성하는데 한계를 지니며 높은 비용이 요구되는 단점을 지니게 된다. 이를 해결하기 위해, 제안하는 회로는 간단한 회로를 통해 경부하 조건에서 저감된 스위칭 손실과 중부하 이상 조건에서 소프트 스위칭을 만족하여 전체 부하 조건에서 기존의 GaN FET을 활용한 토템폴 구조 대비 높은 효율을 가지게 된다. 또한, 토템폴 구조임에도 불구하고 중부하 이상 영역에서 소프트 스위칭 동작을 통해 주 스위치를 비교적 저렴하고 신뢰성이 검증된 Si-MOSFET을 적용할 수 있다는 장점을 지닌다. 제안하는 회로의 효용성을 증명하기 위해, 하이라인 입력 전압과 750W 출력 조건에서 실험을 진행하였다.

• KOREAN JOURNAL OF CROP SCIENCE
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• v.28 no.4
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• pp.419-424
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• 1983

Tensile strength and shattering losses of rice grains in a binder harvest and in a free falling test were examined. Indica$\times$Japonica varieties, Milyang 23, Hangangchal, and Taebaek, and a Japonica variety, Jinheung were used for this study. The average tensile strength varied with varieties, showing 0.743N (Newton) in Milyang 23, 1.078N in Hangangchal, 1.573 N in Taebaek, and 1.775 N in Jinheung. Extrapolation of the average tensile strength for the zero field loss of grain indicated about 1.7 N. Moisture content of straw at the cutting position in a binder harvest was 76.0 to 86.7% in culm and 76.7 to 77.8% in leaf sheath. The percent loss of grains occurring in binder barvest in the field was equivalent to the degree of shattering in the panicle-falling test onto the concrete floor at the height of about 40cm. The grain shattering (Y) was closely related to the impulse (X), the change in momentum: Y=-25.73+4958.4X, ($r^2$=0.987) for Milyang 23, Y=-12.97+2258.3X, ($r^2$=0.979) for Hanagangchal, Y=-5.24+840.4X, ($r^2$ =0.976) for Taebaek. The tensile strengths of grains and their variance varied singnificantly yearly even in the same variety. The magnitude of year-variance was somewhat smaller for the easily shattering variety.

• Korean Journal of Soil Science and Fertilizer
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• v.40 no.1
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• pp.77-82
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• 2007

Volatilization of ammonia from N fertilizer is the major mechanism of N losses that occur naturally in all soils and is influenced by numerous soils, environmental and N fertilizer management factors. Vegetables are often damaged by $NH_3$ gas volatilized from the high rates of N fertilizer. We determined the rate of $NH_3$ volatilization from urea applied to surface of the alluvial soil (coarse silty, mixed, mesic family of Dystric Fluventic Eutrochrepts, Ihyeon series) as affected by fertilizer management factors such as rate of urea application, irrigation schedule and temperature. The $NH_3$ volatilization was triggered about 3 d after urea application and reached at maximum level in general within 15 days. Cumulative amounts of 3.0, 4.4, and 8.0 kg of $NH_3$ N after 17 d were volatilized at application rates of 200, 400, and $600kg\;N\;ha^{-1}$, respectively, which were equivalent to the N losses of 15.0, 10.9, and 13.0% of N applied. Masses of N volatilization were 5, 21, 75 and $87kg\;NH_3\;N\;ha^{-1}$ at 5, 8, 22, and 28, respectively. Total amounts of 21.3, 21.2, and $16.6kg\;N\;ha^{-1}$ were volatilized at control, 5 and 10 mm water irrigation before fertilization, respectively. However, those at 5 mm irrigation after fertilization were only $10.44kg\;N\;ha^{-1}$. Results showed that urea loss can be avoided by incorporating with the recommended level, applying when temperatures are low or irrigating immediately to carry the urea into soil.

• Proceedings of the Korean Operations and Management Science Society Conference
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• 1994.04a
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• pp.367-369
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• 1994

지금까지 다구치 방법에서는 다특성치 문제에 있어서 특성치들 간의 관계를 무시하고 특성치들은 서로 독립이라는 가정 하에, 각 특성치에 대한 최적공 정조건을 찾아 다특성치로 확장시키는 방법이 사용되었다. 그러나 현실적으 로 많은 다특성치 문제에서 특성치들 간의 상관관계가 존재한다. 따라서 본 연구에서는 특성치들 간의 상관관계를 고려한 새로운 평가척도를 제시하고 자 한다. 본 연구에서는 각 특성치와 특성치들 간의 상관관계에 가중치를 부 여하는 방법을 사용하였다. 다특성치 손실함수를 단일 특성치 종류의 조합에 따라 여섯개의 모형으로 구분하였고, 각 모형의 다특성치 손실함수는 특성치 자체에 의해 야기되는 손실과 특성치들간의 관계에 의해 야기되는 손실로 나누었다. 또한 새로운 평가척도로는 다특성치 손실함수의 각 항에 의해 야 기되는 기대손실의 합인 다특성치의 기대손실을 선택하였다. 본 연구의 타당 성에 대해서는 기존의 데이터를 이용. 분석하여 기존 논문과 비교하였다.

• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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• 2001.04a
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• pp.178-180
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• 2001

인터넷은 가변적인 지연, 손실, 제한된 대역폭과 같은 특성을 가진다. 따라서, 인터넷상에서 전송된 비디오는 품질을 보장받지 못한다. H.261, H.263과 같은 진보된 비디오 압축 표준은 제한된 대역폭의 인터넷에서 비디오 전송을 가능하게 한다. 이러한 압축 표준들은 움직임 예측.보상기법을 사용하여 압축된 프레임들은 시간적인 연관성을 가지게 된다. 따라서, 인터넷에서의 패킷 손실은 해당 프레임에 오류를 발생시킬 뿐만 아니라, 오류는 손실되지 않은 이후의 복원된 프레임으로 전파되어 비디오의 품질을 심각하게 떨어뜨린다. 기존에 연구된 오류 전파 방지 기법에는 NEWPRED, Error Tracking(ET), Intra-refreshment가 있고, 패킷 손실 복구 기법에는 재전송 기법과 FEC등이 있다. 그러나 비디오의 전체적인 품질을 향상시키기 위해서는 오류 전파 방지와 손실 복구가 병행되어야 한다. 따라서 본 논문에서는 인터넷을 통한 대화식 비디오를 전송하는 데 있어서 품질을 향상시키기 위해 손실 자체를 복구할 수 있는 FEC기법에 기반 하면서 참조 프레임 선택(Reference Picture Selection)을 이용하여 패킷 손실에 의한 오류 전파를 방지하는 기법을 제안한다. 실험은 제안된 비디오 오류 제어 기법이 FEC기법과 RPS기법의 장점을 살리면서 단점을 서로 보완하여 비디오의 높은 품질을 유지함을 보인다.

• Journal of KIISE:Computer Systems and Theory
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• v.26 no.1
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• pp.64-71
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• 1999

본 논문에서는 공중 광역 ATM망 환경에서 비연결형 서비스 제공에 사용되는 CLS에 적용될 수 있는 홉 카운터를 이용한 우선 순위 제어 알고리즘(Priority Control Algorithm using Hop-Count : HC-PC)의 망 자원 손실 비용을 분석하였다. 분석을 통해 우선 순위가 없을 경우 (No Priority Controls Algorithm: NO-Pc) 의 평균 셀 손실률이 HC-PC 의 평균 셀 손실률의 가중 평균보다 크거나 같은 경우 항상 NO-PC 이 평균 망 자원 손실 비용이 HC-PC 의 평균 망 자원 손실 비용에 비해 크다는 사실을 보였다. 시뮬레이션 결과는 분석에 의해 찾아진 조건이 만족됨을 보여주며 HC-PC가 NO-PC에 비해 어떠한 환경에서든지 항상 낮은 평균 망 자원 손실 비용을 가짐을 보여 준다.

• Proceedings of the Computational Structural Engineering Institute Conference
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• 2011.04a
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• pp.178-181
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• 2011

본 연구에서는 광섬유센서를 내장한 스마트강연선을 이용하여 초고성능콘트리트로 제작된 하이브리드 사장교 세그먼트의 횡방향 도입 긴장력을 계측하고 세그먼트 내부의 프리스트레스를 계측하여 즉시손실에 해당하는 정착장치 활동에 의한 손실과 마찰손실을 도로교설계기준(2005)의 설계 마찰손실과 비교하였다. 제작된 2개의 UHPC 사장교 세그먼트는 횡방향 길이 16.7m, 종방향 길이 1.75m, 높이 1.5m이며 각 시험체의 1/4, 1/2, 3/4지점에 긴장력을 계측하기 위해 3개의 FBG센서를 배치하였다. 긴장력은 유압잭을 이용하여 5개의 강연선에 동시에 순차적으로 도입되었으며, 단부에서 최대 도입 긴장력은 세그먼트 1은 734kN, 세그먼트 2는 639kN이었다. 도로교설계기준에 제시된 마찰계수의 중간값(파상마찰계수=0.00405, 곡률마찰계수=0.20)을 사용하여 FBG센서 위치에서 계산된 긴장력은 계측치와 5% 이내의 차이를 보였으며, 정착장치 활동에 의한 순간손실은 긴장단에서 최대 12.8%로 계측되었다. 이로부터 이 연구에서 제시하는 긴장력계측방법의 적용성을 입증할 수 있었으며, 향후 이 방법은 프리스트레스트 콘크리트 교량의 설계기준 마찰계수 개정을 위한 연구에 좋은 도구로 활용될 수 있을 것으로 기대된다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2018.07a
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• pp.201-203
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• 2018

최근 휴대용 어댑터의 동향은 고주파수 전력 컨버터 설계를 통한 어댑터의 고효율화 및 소형화의 중요성을 강조하고 있다. 그러나 기존 준공진형(Quasi Resonant, QR) 플라이백 컨버터는 하드 스위칭 동작으로 고주파수 구동에 한계가 있으며, 누설 인덕턴스 에너지에 의한 손실로 인해 고효율을 달성하기가 어렵다. 반면, 능동 클램프 플라이백(Active Clamp Flyback, ACF) 컨버터는 ZVS(Zero Voltage Switching) 동작을 하여 고주파수 구동에 유리하고, 누설 인덕턴스 에너지를 입력으로 회기 시킴으로써 손실을 저감할 수 있다. 또한, 경계전류모드(Boundary Conduction Mode, BCM) 동작에서의 손실분석을 기반으로, 반도체 특성이 우수하여 고주파수 동작에 유리한 GaN-FET를 적용하고 최적 설계를 진행함으로써 고효율 및 고전력밀도를 달성하였다. 따라서 본 논문에서는 GaN-FET를 기반으로 하는 고효율 및 고전력밀도 BCM ACF 컨버터의 최적 설계 방안을 제시하고 65W급 시작품의 실험결과를 통해 이를 검증한다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.13 no.1
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• pp.14-21
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• 2004

It is essential to increase the switching speed of power devices to reduce the energy loss because high frequency is commonly used in power device operation these days. In this work electron irradiation has been conducted to reduce the lifetime of minority carriers and thereby to increase the switching speed of a$p^+- n^-$ junction diode. Effects of electron irradiation on the electrical properties of the diode are reported The switching speed is effectively increased. Also the junction leakages and the forward voltage drop which are anticipated to increase are found to be negligible in the $p^+- n^-$ junction diodes irradiated with the optimum energy and dose. The analysis results of DLTS and C-V profiling indicate that the defects induced by electron irradiation in the silicon substrate are donor-like ones which have the energy levels of 0.284 eV and 0.483 eV. Considering all the experimental results in this study, it might be concluded that electron irradiation is a very useful technique in improving the switching speed and thereby reducing the energy loss of $p^+- n^-$ junction diode power devices.