DC 마그네트론 스퍼터를 이용하여 $InSb$ 박막을 증착하고 증착온도, 후속 열처리, 증발 차폐막 및 적층구조의 영향을 조사 하였다. 증착직후의 $InSb$ 시편에서 증착온도의 증가와 더불어 이동도와 전자농도 모두 거의 선형적으로 증가 하였으며 이동도가 극히 낮은 영역에서의 이동도는 화학양론비보다도 결정립의 크기에 직접적으로 영향을 받는 것으로 확인 되었다. 차폐막이 없는 경우에 비하여 차폐막을 형성시킨 경우 이동도가 크게 증가 하였으며, 또한 적층구조 시편의 경우 $In$의 증착량 증가와 더불어 이동도가 증가 하였다. 이는 두 경우 모두 박막내의 $In$과 $Sb$의 화학양론비가 점차 정량에 가까워지기 때문인 것으로 판단된다. 차폐막을 형성시키고 열처리한 시편의 경우 열처리 시간이 길어질수록 박막의 이동도는 증가하고 있으며 박막의 최대 이동도값은 1612 $cm^2$/Vs로 측정 되었다.
한국결정성장학회 1996년도 The 9th KACG Technical Annual Meeting and the 3rd Korea-Japan EMGS (Electronic Materials Growth Symposium)
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pp.508-508
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1996
;The growth of films have considerable interest in the field of superlattice structured multi-layer epitaxy led to realization of new devices concepts. Molecular beam epitaxy (MBE) with in situ observation by reflection high-energy electron diffraction (RHEED) is a key technology for controlled layered growth on the atomic scale in oxide crystal thin films. Also, the combination of radical oxygen source and MBE will certainly accelerate the progress of applications of oxides. In this study, the growth process of single crystal films using by MBE method is discussed taking the oxide materials of Bi-Sr-Ca-Cu family. Oxidation was provided by a flux density of activated oxygen (oxygen radicals) from an rf-excited discharge. Generation of oxygen radicals is obtained in a specially designed radical sources with different types (coil and electrode types). Molecular oxygen was introduced into a quartz tube through a variable leak valve with mass flowmeter. Corresponding to the oxygen flow rate, the pressure of the system ranged from $1{\;}{\times}{\;}10^{-6}{\;}Torr{\;}to{\;}5{\;}{\times}{\;}10^{-5}$ Torr. The base pressure was $1{\;}{\times}{\;}10^{-10}$ Torr. The growth of Bi-oxides was achieved by coevaporation of metal elements and oxygen. In this way a Bi-oxide multilayer structure was prepared on a basal-plane MgO or $SrTiO_3$ substrate. The grown films compiled using RHEED patterns during and after the growth. Futher, the exact observation of oxygen radicals with MBE is an important technology for a approach of growth conditions on stoichiometry and perfection on the atomic scale in oxide. The oxidization degree, which is determined and controlled by the number of activated oxygen when using radical sources of two types, are utilized by voltage locked loop (VLL) method. Coil type is suitable for oxygen radical source than electrode type. The relationship between the flux of oxygen radical and the rf power or oxygen partial pressure estimated. The flux of radicals increases as the rf power increases, and indicates to the frequency change having the the value of about $2{\times}10^{14}{\;}atoms{\;}{\cdots}{\;}cm^{-2}{\;}{\cdots}{\;}S^{-I}$ when the oxygen flow rate of 2.0 seem and rf power 150 W.150 W.
최근 RF용 탄성표면파 필터는 HTCC 패키지를 이용한 칩스케일 패키지 공법으로 제작되고 있다. 본 연구에서는 HTCC 패키지를 이용하는 대신에 BT 레진 계열의 PCB 기판을 이용하여 $1.4{\times}1.1$과 $2.0{\times}1.4mm$ 규격을 가지는 새로운 SAW RF 필터를 개발하였다. 본 기술을 적용하여 기존대비 약 40% 이상의 재료비 절감효과를 얻을 수 있다. 다층 PCB 기판과 $LiTaO_3$ 탄성표면파 기간간의 플립 본딩 조건을 최적화하였고, 적절한 PCB 재료선정을 통하여 PCB 기판 및 에폭시 라미네이팅 필름간의 열팽창계수 차이로 인해 발생하는 응력을 최소화시켰다. 이렇게 개발된 탄성표면파 필터는 기존의 제품에 비해 신뢰성 및 전기적 특성면에서 향상된 특성을 보였다.
복합재료 보철물이 삽입된 인공 고관절의 장기적 거동의 해석을 위한 비선형 유한요소법이 개발되었으며 아울러 두꺼운 적층 복합채 보철물의 설계를 위한 3차원 육면체 요소가 이용되었다. 사용된 요소는 요소내의 다양한 물성치를 포함하여 요소의 절단면을 고려할 수 있는 ply-drop-off요소이다. 개발된 비선형 유한요소해석 프로그램은 단층하중하의 보 문제를 통해 엄밀해와의 비교를 통해 검증하였다. 개발된 프로그램을 이용하여 보철물의 재료와 복합재료 보철물의 적층각도에 따른 밀도 변화 및 강도비를 계산하여 인공 고관절의 역학적 거동을 해석하였으며 동시에 보철물의 설계 성능을 평가하였다. 계산된 수치해석 결과를 통해 인공 고관절 보철물의 설계 성능의 평가가 가능하며 보철물 설계에 따른 시간 및 비용을 줄일 수 있다.
그래핀, 제올라이트, metal-organic frameworks (MOF)s 등 다양한 나노 소재를 이차원 나노쉬트 형태로 제조하고, 이를 이용한 초박막 고성능 분리막을 개발하고자 하는 연구가 활발히 진행되고 있다. 특히, 산화그래핀의 경우, 2000년대 초반에 관련 연구가 시작된 이후, 다양한 합성 및 박막 코팅 기술이 축적되어 있어 빠른 속도로 분리막 분야에 응용되고 있다. 다층으로 적층된 산화그래핀 박막은 층간 거리를 조절함에 따라 물리적 거름막으로 작용할 수 있으며, 또한 표면의 기능기 및 삽입된 물질과 거르는 물질 간의 상호작용을 제어함에 따라 다양한 물질의 선택적 분리가 가능하다. 본 총설에서는 산화그래핀의 나노여과막 응용분야에 관하여 중점적으로 다루고자 한다. 본고에서는, 다양한 용매 내에서 산화그래핀 박막의 분리 기작 및 성능에 영향을 미치는 핵심 요소들에 대해 요약하였으며, 그 외 산화그래핀 기반 분리막의 실질적인 상용화에 필요한 핵심 기술요소 및 개발 동향에 대하여 논하고자 한다.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제2권1호
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pp.1-6
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2001
$C_{x}F_{y}$ polymer film was deposited in rf and dc Fluorinert vapor ($C_{7}F_{16}$) plasmas. In the plasma phase, the spatial distribution of optical emission spectra and the temporal concentration of decomposed species were monitored, and kinetics of the $C_{7}F_{16}$ decomposition process was discussed. Deposition of $C_{x}F_{y}$ film has been tried on substrates of stainless steel, glass, molybdenum and silicon wafers at room temperature in the vapor pressures of 40 and 100 Pa. The films deposited in the rf plasma showed excellent electrical properties as an insulator for multi-layered interconnection of deep-submicron LSI, i.e. the low dielectric constant ∼2.0, the dielectric strength ∼2 MV/cm and the high deposition rate ∼100nm/min at 100W input power.
Kim, S.H.;Cho, J.R.;Choi, J.H.;Ryu, S.H.;Jeong, W.B.
Interaction and multiscale mechanics
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제5권1호
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pp.75-90
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2012
This paper investigates the effects of sports ground materials on the transfer characteristics of the landing impact force using a coupled foot-shoe-ground interaction model. The impact force resulting from the collision between the sports shoe and the ground is partially dissipated, but the remaining portion transfers to the human body via the lower extremity. However, since the landing impact force is strongly influenced by the sports ground material we consider four different sports grounds, asphalt, urethane, clay and wood. We use a fully coupled 3-D foot-shoe-ground interaction model and we construct the multi-layered composite ground models. Through the numerical simulation, the landing impact characteristics such as the ground reaction force (GRF), the acceleration transfer and the frequency response characteristics are investigated for four different sports grounds. It was found that the risk of injury, associated with the landing impact, was reduced as the ground material changes from asphalt to wood, from the fact that both the peak vertical acceleration and the central frequency monotonically decrease from asphalt to wood. As well, it was found that most of the impact acceleration and frequency was dissipated at the heel, then not much changed from the ankle to the knee.
Rajasekaran, S.;Nalinaa, K.;Greeshma, S.;Poornima, N.S.;Kumar, V. Vinoop
Structural Engineering and Mechanics
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제16권5호
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pp.557-580
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2003
Laminated composite structures find wide range of applications in many branches of technology. They are much suited for weight sensitive structures (like aircraft) where thinner and lighter members made of advanced fiber reinforced composite materials are used. The orientations of fiber direction in layers and number of layers and the thickness of the layers as well as material of composites play a major role in determining the strength and stiffness. Thus the basic design problem is to determine the optimum stacking sequence in terms of laminate thickness, material and fiber orientation. In this paper, a new optimization technique called Cellular Automata (CA) has been combined with Genetic Algorithm (GA) to develop a different search and optimization algorithm, known as Cellular Genetic Algorithm (CGA), which considers the laminate thickness, angle of fiber orientation and the fiber material as discrete variables. This CGA has been successfully applied to obtain the optimal fiber orientation, thickness and material lay-up for multi-layered composite hybrid beams plates and shells subjected to static buckling and dynamic constraints.
The remarkable physical properties of two-dimensional (2D) semiconducting materials such as molybdenum disulfide ($MoS_2$) and tungsten disulfide ($WS_2$) etc. have attracted considerable attentions for future high-performance electronic and optoelectronic devices. The ongoing studies of $MoS_2$ based nonvolatile memories have been demonstrated by worldwide researchers. The opening hysteresis in transfer characteristics have been revealed by different charge confining layer, for instance, few-layer graphene, $MoS_2$, metallic nanocrystal, hafnium oxide, and guanine. However, limited works built their nonvolatile memories using entirely of assembled 2D crystals. This is important in aspect view of large-scale manufacture and vertical integration for future memory device engineering. We report $WS_2$ based nonvolatile memories utilizing functional van der Waals heterostructure in which multi-layered graphene is encapsulated between $SiO_2$ and hexagonal boron nitride (hBN). We experimentally observed that, large memory window (20 V) allows to reveal high on-/off-state ratio (>$10^3$). Moreover, the devices manifest perfect retention of 13% charge loss after 10 years due to large graphene/hBN barrier height. Interestingly, the performance of our memories is drastically better than ever published work related to $MoS_2$ and black phosphorus flash memory technology.
The success of controllability of smart structures depends on the quality of the bonding along the interface between the main structure and the attached sensing and acuating elements. Generally, the analysis procedures neglect the effect of the interfacial bond layer or assume that this bond layer behaves like viscoelastic material. Three different bond layers. two modified epoxy adhesives, and one isocyanate adhesive were prepared for their toughness and moduli. Bond layer of the chosen adhesive provides an almost perfect bonding condition between the composite structure and the PZT while bended significantly like arrow-shape. The perfect bonding condition is tested by considering various material properties of the bond layers. and based on this perfect bonding condition, the effects of the interfacial bond layer on the dynamic behavior and controllability of the test structure is experimentally studied. Once the perfect bonding condition is achieved. dynamic effects of the bond layer itself on the dynamic characteristics of the main structure is negligible. but the contribution of the attached PZT elements on the stiffness of the multi-layered structure becomes significant when the thickness of the bond layer increased.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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