In this study, MgxZn1-xO thin films, which can be applied not only to active layers of light-emitting devices (LEDs), such as UV-LEDs, but also to solar cells, high mobility field-effect transistors, and power semiconductor devices, are fabricated using the sol-gel method. ZnO and Mg0.3Zn0.7O solution synthesized by the sol-gel method and the thin film were grown by spin coating on a Si (100) substrate and sapphire substrate. The solutions are synthesized by dissolving precursor materials in 2-methoxyethanol (2-ME) solvent, and then monoethanolamine (MEA) was added to the mixed solution as a sol stabilizer. Zinc acetate dihydrate is used as a ZnO precursor, while Mg nitrate hexahydrate and Mg acetate tetrahydrate are used as an MgO precursor. Then, the optical and structural characteristics of the fabricated thin films are compared. The molar concentration of the Zn precursor in the solvent is fixed at 0.3 M, and the amount of the Mg precursor is 30% of Mg2+/Zn2+. The optical characteristics are measured using an UV-vis spectrophotometer, and the transmittance of each wavelength is measured. Structural characteristics are measured using X-ray diffraction (XRD) and transmission electron microscopy (TEM). Composition analyses are performed using energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS). The Mg0.3Zn0.7O thin film was well formed at the ratio of the Mg precursor added regardless of the type of Mg precursor, and the c-axis of the thin film was decreased, while the band gap was increased to 3.56 eV.
본 논문에서는 10% fetal bovine serum(FBS)를 첨가한 RPMI 1640배지에 비하여 간염바이러스 표면항원에 대한 단일클론항체 생산에 있어서 효과적은 무혈청 배지에 낮은 온도의 혈청을 첨가하여 하이브리도마_2_c3.1 세포에서 그 효과를 조사하였다, 세포성장관 단일클론항체 생산을 증가시키기 위하여 기본 무혈청배지와 RPMI 1640 배지성분들의 농도를 균형있게 강화시킨 배지를 2:1(v / v)로 혼합하여 농축배지를 조성하고, 이 배지에 2mg / ml 인혈청 알부민 $5\;{\mu\textrm{g}}\;/\;ml$ insulin, $5\;{\mu\textrm{g}}\;/\;ml$ tran-sferrin, $10\;{\mu\textrm{g}}\;/\;ml$ monoethanolmine 등의 몇가지 무혈청 첨가물들을 첨가하였다. 이 농축 배지에 fetal bovine serum(FBS)과 supplemented bovine calf serum(sBCS)을 첨가하였을때의 세포성장과 단일클론항체 생산을 비교하여 FBS농도를 변화하여 세포성장과 단일클론항체생산의 증가를 시도하였다. 0.5%를 농축배지에 첨가함으로써 세포성장과 단일클론항체생산의 증가를 보았다. 최대 세포농도는 $3.06{\times}10^6$ cells / ml이었으며, 이때 생산된 단일클론항체는 10% FBS배지의 $43.0\;{\mu\textrm{g}}\;/\;ml$ 무혈청배지의 $50\;{\mu\textrm{g}}\;/\;ml$보다 3배이상 높은 $159.7\;{\mu\textrm{g}}\;/\;ml$이 생산되었다.
Kim, Jung-Hye;Son, Dae-Ho;Kim, Dae-Hwan;Kang, Jin-Kyu;Ha, Ki-Ryong
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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pp.200-200
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2010
In recent times, metal oxide semiconductors thin films transistor (TFT), such as zinc and indium based oxide TFTs, have attracted considerable attention because of their several advantageous electrical and optical properties. There are many deposition methods for fabrication of ZnO-based materials such as chemical vapor deposition, RF/DC sputtering and pulsed laser deposition. However, these vacuum process require expensive equipment and result in high manufacturing costs. Also, the methods is difficult to fabricate various multicomponent oxide semiconductor. Recently, several groups report solution processed metal oxide TFTs for low cost and non vacuum process. In this study, we have newly developed solution-processed TFTs based on Ti-related multi-component transparent oxide, i. e., InTiO as the active layer. We propose new multicomponent oxide, Titanium indium oxide(TiInO), to fabricate the high performance TFT through the sol-gel method. We investigated the influence of relative compositions of Ti on the electrical properties. Indium nitrate hydrate [$In(NO^3).xH_2O$] and Titanium isobutoxide [$C_{16}H_{36}O_4Ti$] were dissolved in acetylacetone. Then monoethanolamine (MEA) and acetic acid ($CH_3COOH$) were added to the solution. The molar concentration of indium was kept as 0.1 mol concentration and the amount of Ti was varied according to weighting percent (0, 5, 10%). The complex solutions become clear and homogeneous after stirring for 24 hours. Heavily boron (p+) doped Si wafer with 100nm thermally grown $SiO_2$ serve as the gate and gate dielectric of the TFT, respectively. TiInO thin films were deposited using the sol-gel solution by the spin-coating method. After coating, the films annealed in a tube furnace at $500^{\circ}C$ for 1hour under oxygen ambient. The 5% Ti-doped InO TFT had a field-effect mobility $1.15cm^2/V{\cdot}S$, a threshold voltage of 4.73 V, an on/off current ratio grater than $10^7$, and a subthreshold slop of 0.49 V/dec. The 10% Ti-doped InO TFT had a field-effect mobility $1.03\;cm^2/V{\cdot}S$, a threshold voltage of 1.87 V, an on/off current ration grater than $10^7$, and a subthreshold slop of 0.67 V/dec.
도서관이나 문서보관소에서 책이나 서류를 보존하는데 있어 중요한 문제점 중의 하나는 종이의 열화이다. 그러므로 이러한 문제를 해결하기 위해서는 종이의 열화의 주요 원인을 규명할 필요가 있다. 몇몇의 학자들이 이에 대한 연구를 수행한 결과 종이 열화의 주요 원인으로서 종이 섬유내 셀룰로오스의 산 촉매 가수분해로 밝혀졌다. 일반적으로 종이제조시 첨가되는 첨가제로 인해 산성지의 노화율이 중성지의 노화율에 비해 더 높다. 따라서 종이내 존재하는 산을 제거해 줄 필요가 있다. 종이의 탈산화 처리는 열화속도를 감소시켜 산성지의 수명을 3, 4배정도 늘릴 수 있다고 한다. 최근에는 기존의 탈산화 처리방법과는달리 대량의 책과 서류의 탈산화를 위한 효과적인 탈산화 방법의 필요성이 인식되어져 왔다. 따라서 본 논문에서는 종이 제조시 사용되는 첨가제가 노화에 미치는 영향을 알아보고,효과적인 종이의 노화 방지를 위해 산성지에 가스상 에탄올아민류(모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민)를 사용하여 탈산처리를 시도하여 보았다. 첨가제가 종이의 노화에미치는 영향을 실험한 결과, 종이의 노화율이 알럼+로진>알럼>AKD> 무처리 순으로 나타났다. 또한 가스상 에탄올아민류 탈산처리 실험결과, 탈산처리율이 모노에탄올아민>디에탄올아민>트리에탄올아민 순으로 나타났다. 그러나 처리 후 종이에 약간의 백색도와 내절도의 감소가 나타났다. 이러한 문제를 해결하기 위해 가스상 에탄올아민류들을 조합 처리하여 탈산처리를 시도해 본 결과, 백색도와 내절도의 감소없이 효과적인 탈산처리 효과를 얻을 수 있었다.ird limit" is characterized by the production of reduction of $H_2O$$_2$, which is reduced by wall effect. Strain rate substantially affects ignition temperature because key reaction rates of $H_2O$$_2$ are comparably with its transport rate, while the mixture temperature and the hydrogen composition do not significantly affect ignition temperature.e.성 면역 결핍증 환자가 직업을 가지면 안된다는 사람보다 된다는 사람이(P<0.001), 각각 지식이 높았다. 결론 : 지식이 높을수록 성병에 걸릴 가능성이 낮고, 태도에서도 긍정적인 결과를 보였다. 그러므로 그러므로 가능하면 중고교 시절에 이 질환에 대한 정규교육 프로그램을 만들어 학생들을 효과적으로 가르치는 것이 필요하다.와 활동성 정도(r=0.378, P<.05), 평균 통증정도와 활동성 정도가(r=.330, P<.05)가 유의한 정적상관관계가 나타난 반면, 여성에서는 활동성 정도와 통증의 중증도는 유의한 관계가 없는 것으로 나타났다. 남성은 관계를 제외한 모든 항목의 통증으로 인한 지장정도와 활동성 정도가 유의한 정적상관관계가 나타난 반만 여성에서는 보행 능력, 통상적인
한전 전력연구원에서 개발한 고효율 아민계 습식 $CO_2$ 흡수제(KoSol-5)를 적용하여 0.1 MW급 Test Bed $CO_2$ 포집 성능시험을 수행하였다. 500 MW급 석탄화력발전소에서 발생되는 연소 배가스를 적용하여 하루 2톤의 $CO_2$를 처리할 수 있는 연소 후 $CO_2$ 포집기술의 성능을 확인하였으며 또한 국내에서는 유일하게 재생에너지 소비량을 실험적으로 측정함으로써 KoSol-5 흡수제의 성능에 대한 신뢰성 있는 데이터를 제시하고자 하였다. 그리고 주요 공정변수 운전 및 흡수탑 인터쿨링 효율 향상에 따른 에너지 저감 효과를 테스트하였다. 흡수탑에서의 $CO_2$ 제거율은 국제에너지기구 산하 온실가스 프로그램(IEA-GHG)에서 제시하는 $CO_2$ 포집기술 성능평가 기준치($CO_2$ 제거율: 90%)를 안정적으로 유지하였다. 또한 흡수제(KoSol-5)의 재생을 위한 스팀 사용량(재생에너지)은 $2.95GJ/tonCO_2$가 소비되는 것으로 산출되었는데 이는 기존 상용 흡수제(MEA, Monoethanol amine)의 평균 재생에너지 수준(약 $4.0GJ/tonCO_2$) 대비 약 26% 저감 된 수치이다. 본 연구를 통해 한전 전력연구원에서 개발한 KoSol-5 흡수제 및 $CO_2$ 포집 공정의 우수한 $CO_2$ 포집 성능을 확인할 수 있었고, 향후 본 연구에서 성능이 확인된 고효율 흡수제(KoSol-5)를 실증급 $CO_2$ 포집플랜트에 적용할 경우 $CO_2$ 포집비용을 크게 낮출 수 있을 것으로 기대된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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