• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• v.2 no.2
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• pp.16-20
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• 2001

Optoelectronic characteristics of the superlattice diode as a function of deposition temperature and annealing conditions have been studied. The multilayer nanocrystalline silicon/adsorbed oxygen (nc/Si/O) superlattice formed by molecular beam epitaxy (MBE) system. Experimental results showed that deposition temperature of 550$^{\circ}C$, followed by hydrogen annealing leads to best results, in terms of optical photoluminescence (PL) and electrical current-voltage (I-V) characteristics. Consequently, the experimental results of multilayer Si/O superlattic device showed the stable photoluminescence and good insulating behavior with high breakdown voltage. This is very useful promise for Si-based optoelectronic devices, and can be readily integrated with conventional silicon ULSI processing.

• Progress in Superconductivity
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• v.4 no.1
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• pp.32-36
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• 2002

We have measured the Hall effect in infinite-layer Sr／sub 0.9／La／sub 0.1／$CuO_2$ thin films grown by molecular beam epitaxy. We do not observe $T^{2}$ dependence of the cotangent of Hall angle, which is commonly observed in other cuprate High-Tc superconductors. Therefore, this result cannot be interpreted within two different scattering mechanism based on charge-spin separation theory. The mixed-state Hall effect shows no sign anomaly, implying that tile hydrodynamic contribution of vortex core is negligibly small.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2003.08a
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• pp.108-108
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• 2003

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.306-306
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• 2011

Three dimensional(3D) topological insulators(TIs) of Bi binary alloys are characterized by a bulk energy gap with strong spin-orbit coupling and metallic surface states protected by time-reversal symmetry. It was reported that film forms of such materials were advantageous over bulk forms due to less defect density and better crystallinity. So far, the films have been prepared on several substrates including semiconductors and graphene. But, there were no studies on metal substrates. For electronic transport experiments and device applications, it is necessary to know epitaxial relation between TIs and metal electrodes. In this study, Atomically flat films of Bi2Se3 were grown on a Au(111) metal substrate by in-situ molecular beam epitaxy. Using home-built scanning tunneling microscope, we observed hexagonal atomic structures which corresponded to the outmost selenium atomic layer of Bi2Se3. Triangular-shaped defects known as Selenium vacancy were also found.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.156-156
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• 2011

InAs와 InGaAs 양자점(Quantum Dot: QD)을 이용한 광대역 초발광 다이오드(Superluminescent Diode: SLD) 시료가 분자선증착법(Molecular Beam Epitaxy)을 이용하여 성장되었다. 광대역 파장대 출력을 얻기 위해 각기 다른 종류의 양자점과 다른 크기의 양자점을 적층하였다. 시료는 광발광(Photoluminescence: PL) 측정과 전계발광(Electroluminescence: EL) 측정을 통해 분석 되었으며, PL 측정결과 1222 nm와 1321 nm 파장에서 최대치(peak)를 나타냈으며 EL 측정결과 900mA 전류 주입시 131 nm의 반치폭(Full Width at Half Maximum: FWHM)을 얻었다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.27 no.1
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• pp.46-50
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• 1990

Heteroface AlGaAs/GaAs drift solar cells with an active area conversion efficiency of 15.9% under one sun and AM 1.5 condition have been grown by molecular beam epitaxy(MBE). These drift solar cells have graded doping profiles in the base and emitter regions. The cells have a short circuit current density (Jsc) of 19.00 mA/cm\ulcorner an open circuit voltage(Voc) of 0.93 V, and f fill factor(FF) of 0.78, respectively. Conventional solar cells with fixed doping profiles were also grown by MBE for comparison with the drift solar cells. Even though the fabrication cost of MBE grown solar cell is higher, the expected highest conversion efficiency of the single or multiple cells could compensate for the increased cost, particularly in case of space applications.

• Applied Microscopy
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• v.26 no.4
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• pp.479-487
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• 1996

Thin epilayer structures of GaAs/AlAs/InGaAs, grown by Molecular Beam Epitaxy, were investigated by high resolution transmission electron microscopy, Image in the [110] zone axis was taken and compared with the calculated images. The supercell structure which contains GaAs, AlAs and InGaAs layers was designed and was employed in the image calculation with MacTempas computer program. Good agreement was shown between experimental image and a set of calculated images with varying defocus and sample thickness.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.7 no.12
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• pp.1041-1046
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• 1997

본 연구에서는 분자선 에피택시 방법으로 비대칭 AIAs/GaAs(001)이중 장벽, 삼중장벽구조를 성장한 수 이를 이용하여 2단자 소자를 제작하여 전기적 특성을 분석하였다. 에피층은 쌍결정 X-ray회절 분석과 단면투과 전자현미경을 이용하여 결정성 및 격자 정합성을 확인하였다. 전기적 성능을 보다 향상시키기 위해 n-GaAs에 대한 오믹 접촉등의 소자 제작 공정을 최적화하였다. 삼중장벽 구조를 이용하여 제작한 소자의 전기적 특성 연구 결과 두개의 주요 공진 터널링 전류 피크 사이에 X-valley에 의한 구조를 확인할 수 있었으며, 이중 장벽구조에 제2의 양자우물 구조를 첨가함으로써 낮은 전압위치에서 전류 피크가 향상하는 결과를 얻었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.459-459
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• 2013

Si (111) 기판 위에 plasma assisted molecular beam epitaxy 법으로 Si과 Mg doping된 GaN 나노막대를 각 각 성장하고 나노막대의 모양과 광학적 특성을 조사하였다. Si이 doping된 GaN 나노막대는 biaxial m-plane 방향의 변화로 별 모양을 갖는 것을 관찰하였고 Mg doping된 GaN 나노막대의 지름은 줄어드는 것을 scanning electron microscopy로 확인하였다. 본 연구에서는 이러한 변화의 원인을 stress 때문으로 보고 x-ray diffraction과 raman scattering 측정을 통하여 구조적 변화를 조사하였다. 또한, stress에 의한 GaN 나노막대의광학적 특성 변화를 photoluminescence을 통하여 조사하였다. Doping한 GaN 나노막대의 특성조사를 통해 GaN 나노막대 성장 시 발생되는 stress의 영향을 이해하는데 중요한 정보를 제공할 것이다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.485-485
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• 2013

Plasma-assisted molecular beam epitaxy법으로 자가 형성되는 InN 박막을 활용하여 GaN 박막의 결함밀도를 감소시키는 성장 구조 조건에 대하여 연구하였다. Sapphire 기판 위에 저온에서 GaN 핵층을 3 nm 두께로 성장하고, 그 위에 InN 박막을 성장 한 후, 고온에서 GaN을 성장하였다. InN박막의 성장 온도는 $450^{\circ}C$이고, 성장 시간을 30초에서 1분 30초까지 각각 달리 하였다. 실험결과 InN 층이 삽입된 GaN 박막이 상대적으로 고른 표면이 형성되는 과정을 reflection high energy electron diffraction로 관측하였고, atomic force microscope를 측정하여 표면 거칠기의 개선을 확인하였다. InN 성장시간 변화에 따른 결정학적, 광학적 특성 변화를 x-ray diffraction, photoluminescence 이용하여 조사하였고, 본 연구를 통해 InN박막을 활용한 양질의 GaN 박막 성장 가능성을 확인하였다.