• 제목/요약/키워드: Microstrip resonator

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이중 급전 구조를 갖는 마이크로스트립 이중 모드 대역통과 필터 (Microstrip dual mode band pass filter using doubly fed line)

  • 김정표;이민수
    • 한국정보전자통신기술학회논문지
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    • 제8권2호
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    • pp.128-132
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    • 2015
  • 논문은 이중 급전을 갖는 마이크로스트립 이중 모드 대역 통과 필터를 제안한다. 제안된 필터는 이중 모드 구현을 위해 모서리 부분을 제거되고, 직교 슬롯을 포함하는 정사각형 패치와 이중 급전 구조로 구성된다. 직교 슬롯은 공진기의 소형화 및 불요신호를 억압하기 위해 사용되고, 상측 차단 대역에서의 차단 특성을 개선하기 위해 이중 급전 구조를 사용하였다. 보다 자세한 필터 설계 방법 및 특성 결과를 본문에 기술하였다.

고조파 조절 회로를 기반으로 한 출력 정합 회로를 이용한 저위상 잡음 전압 제어 발진기 (Low Phase Noise VCO using Output Matching Network Based on Harmonic Control Circuit)

  • 최재원;서철헌
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제45권2호
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    • pp.137-144
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    • 2008
  • 본 논문에서는 위상 잡음 특성을 개선하기 위하여 고조파 조절 회로를 기반으로 한 출력 정합 회로를 이용한 전압 제어 발진기를 제안하였다. 위상 잡음은 2차, 3차 고조파 모두에서 단락 임피던스를 갖는 고조파 조절 회로를 통하여 억제되었으며, 출력 정합 회로에 연결되었다. 또한 전압 제어 발진기의 위상 잡음 특성을 더욱 더 개선하기 위하여 마이크로스트립 사각 개방 루프 다중 SRR를 이용하였다. 위상 잡음 특성 개선을 위하여 높은 Q값을 갖는 공진기 대신에 고조파 조절 회로를 기반으로 한 출력 정합 회로를 이용하였기 때문에 낮은 Q값을 갖는 공진기를 통하여 넓은 주파수 조절 범위를 얻을 수 있다. 고조파 조절 회로를 기반으로 한 출력 정합 회로와 마이크로스트립 사각 개방 루프 다중 SRR를 이용한 제안된 전압 제업 발진기의 위상 잡음 특성은 주파수 조절 범위, $5.744{\sim}5.839$ GHz에서 $-127.5{\sim}-126.33$ dBc/Hz @ 100 kHz이다. 고조파 조절 회로가 없는 출력 정합 회로와 마이크로스트립 선로 공진기를 이용한 전압 제어 발진기와 비교했을 경우, 제안된 전압 제어 발진기의 위상 잡음 특성은 26.66 dB 개선되었다.

유전체 공진기 결합 구조 개선을 통한 저위상 잡음 전압 제어 유전체 공진기 발진기 설계 (Design of a Low Phase Noise Vt-DRO Based on Improvement of Dielectric Resonator Coupling Structure)

  • 손범익;정해창;이석정;염경환
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제23권6호
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    • pp.691-699
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    • 2012
  • 본 논문에서는 유전체 공진기와 마이크로스트립 라인 간의 결합 구조를 개선시켜 저위상 잡음을 갖는 전압제어 유전체 공진기 발진기(Vt-DRO: Voltage-tuned Dielectric Resonator Oscillator)를 설계, 제작하였다. 설계된 발진기는 유전체 공진기, 위상천이기, 증폭기로 구성된다. 발진기의 위상 잡음은 공진기의 군지연과 밀접하게 관계되며, 이러한 관계를 수식적으로 도출하고, 이를 예측하는 방법을 제안하였다. 유전체 공진기와 마이크로스트립 라인간의 결합 구조를 조정하여 약 53 nsec의 높은 군지연을 갖도록 설계하였다. 각 부의 측정은 측정의 편의성을 위해 웨이퍼 프로브를 이용하였으며, 이를 위하여 각 부의 입출력 포트를 CPW(Coplanar Waveguide)로 설계하였다. 각 부를 연결하여 측정한 S-파라미터는 개루프 발진 조건을 만족하였다. 설계된 개루프의 입출력을 연결하고 폐루프로 구성하여 전압 제어 유전체 공진기 발진기를 구현하였다. 측정 결과, 5.3 GHz의 발진 주파수에서 위상 잡음은 수식으로부터 도출한 값과 근사한, 100 kHz offset 주파수에서 -132.7 dBc/Hz를 얻었다. 이때 출력 전력은 약 4.5 dBm, 전기적 주파수 조정 범위는 0~10 V의 조정 전압에서 약 5 MHz를 보였다. PFTN-FOM(Power Frequency Tuning Normalized Figure of Merit)은 약 -31 dB를 보였다.

새로운 구조의 저 위상잡음 유전체 공진 병렬 궤환 발진기 (The Design of New Phase Noise Dielectric Resonator Parallel Feedback Oscillator)

  • 전광일;박진우
    • 한국통신학회논문지
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    • 제24권7A호
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    • pp.947-954
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    • 1999
  • 본 논문에서는 저렴하고 성능이 우수하면서 간단한 구조를 갖는 새로운 저 위상잡음 유전체 공진 병렬 궤환 발진기가 제안된다. 제안된 유전체 공진 병렬 궤환 발진기는 저잡음 증폭기, 전력증폭기, 전력 감쇠기, 전력 분배기, 그리고 두 개의 마이크로스트립 선로와 결합된 유전체 공진기로 이루어지는 병렬 유전체 공진 궤환 요소로 구성된 궤환 루프 발진기 구조를 가지고 있다. 유전체 공진 병렬 궤환 발진기의 측정된 위상잡음은 캐리어 주파수 10.75 GHz, 오프셋 주파수 1kHz에서 81dBc/Hz 보다 작게 나타났으며, 온도에 따른 주파수 안정도는 주변온도 -4$0^{\circ}C$에서 6$0^{\circ}C$까지 +/- 200kHz를 나타내었다.

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Tri-band Microstrip Bandpass Filter Using Dual-Mode Stepped-Impedance Resonator

  • Liu, Haiwen;Lei, Jiuhuai;Zhao, Yulong;Xu, Wenyuan;Fan, Yichao;Wu, Tiantian
    • ETRI Journal
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    • 제35권2호
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    • pp.344-347
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    • 2013
  • This letter presents a compact dual-mode tri-band bandpass filter by using a short-circuited stub-loaded stepped-impedance resonator (SIR) and a short-circuited stub-loaded uniform impedance resonator. Also, a hairpin SIR geometry is introduced to miniature the size of this filter while maintaining excellent performance. The use of a short-circuited stub at the central point of the hairpin SIR can generate two resonant modes in two passbands. Its equivalent circuit structure is analyzed by using the even-odd mode theory. For demonstration purposes, a tri-band filter for the applications of the Global Positioning System at 1.57 GHz, Worldwide Interoperability for Microwave Access at 3.5 GHz, and wireless local area networks at 5.2 GHz is designed, fabricated, and measured.

Spiral 공진기를 이용한 저위상 잡음 전압 제어 발진기 (Low Phase Noise VCO Using Spiral Resonator)

  • 좌동우;서철헌
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제45권7호
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    • pp.77-80
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    • 2008
  • 본 논문에서는 위상잡음 특성을 개선하기 위하여 spiral 공진기를 이용한 전압제어 발진기를 제안하였다. Spiral 공진기는 작은 면적, 저지대역에서 날카로운 스커트 특성과 낮은 삽입손실, 큰 결합 계수 값을 가지고 있고, 이로 인해 높은 Q 값을 가지며 전압 제어 발진기의 위상 잡음을 감소시킨다. 공진기의 Q 값이 높아짐에 따라 좁아지는 주파수 조절 범위를 높이기 위하여 버랙터 다이오드를 조절 가능한 부성저항에 연결하였다. 전압 제어발진기는 $5.686{\sim}5.841GHz$에서 발진이 일어났고, 출력은 11.83 dBm, 하모닉 특성은 -29.83 dBc, 위상 잡음 특성은 100 KHz offset에서 $-115.16{\sim}115.17dBc/Hz$이다.

DGS 공진기를 이용한 소형 마이크로스트립 대역통과 필터의 설계 (Design of the Compact Microstrip Bandpass Filter by using DGS Resonator)

  • 조영빈;전계석
    • 한국통신학회논문지
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    • 제30권2A호
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    • pp.147-152
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    • 2005
  • 본 연구에서는 인덕턴스와 커패시턴스 특성을 동시에 갖는 I형 DGS 슬롯을 이용하여 공진기를 설계하고 I형 DGS 슬롯의 공진 특성과 open-loop 공진기를 결합한 새로운 형태의 ${\subset}$ 스터브-I형 DGS 공진기를 제안하였으며, 이를 이용한 대역통과 필터를 설계하였다. 이 구조는 통과대역에서 반사손실의 조정이 용이한 특징을 갖는다. 그리고 기존 필터에 비해 초소형화가 가능하며, 부품 실장에 유리하고, IMT-2000 대역의 하모닉 성분 및 불요파 제거 등 다양한 응용을 기대할 수 있다.

접지된 결합 C형 공진기를 이용한 X대역 전압제어 발진기 설계 및 구현 (Design and Implementation of VCO for X-band with Shorted Coupled C type Resonator)

  • 김종화;김기래
    • 한국정보전자통신기술학회논문지
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    • 제9권6호
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    • pp.539-545
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    • 2016
  • 본 논문에서는 평면형 마이크로스트립 공진기를 이용한 고주파 발진기의 단점인 위상잡음 특성을 개선하기 위해 접지된 결합 C형 공진기를 제안하였다. 제안된 공진기를 이용하여 위상잡음 특성 개선 효과를 나타내기 위해 발진기를 설계하여, 9.8 GHz 기본 주파수에서 4.87dBm의 출력과 -84.7 dBc@100kHz의 위상잡음 특성을 나타내었다. 다음은 제안된 공진기에 버랙터다이오드를 추가하여 전압 제어발진기를 구현하였다. 전압 제어발진기의 특성은 최소 9.7807 GHz에서 최대 9.8145 GHz까지 33.8 MHz 정도의 튜닝범위를 가지고, -115~-112.5 dBc/Hz@100kHz의 위상잡음 특성을 갖는다. 본 논문의 발진기는 평면형 구조로 쉬운 작업공정과 소형화 특성 때문에 MIC 또는 MMIC 분야의 설계에 응용될 수 있을 것이다.

Metamaterial 공진기를 이용한 레이더 송. 수신기용 X-대역 고출력. 저위상 잡음 Push-Push 발진기 (X-band Low Phase Noise Push-Push Oscillator Using Metamaterial Resonator)

  • 김양현;서철헌;하성재;이복형
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제46권12호
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    • pp.1-5
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    • 2009
  • 본 논문은 X-대역에서 높은 Q값을 이용하여 위상 잡음을 줄이기 위하여 metamaterial 공진기를 이용한 Push-Push 발진기를 제안하였다. Metamaterial 공진기는 큰 결합 계수 값을 갖는데, 이는 Q값을 크게 만들고, 발진기의 위상 잡음을 줄일 수 있었다. 1.8 V의 공급 전압을 사용한 Push-Push 발진기는 12 GHz의 주파수 범위에서 -117 dBc/HB @ 100 kHz의 위상 잡음 특성을 가지며 metamaterial 공진기와 일반적인 나선형 공진기를 비교 했을 때, 개선된 Q값 특성은 -29.7 dB와 -47.5 dB이다. 제작된 metamaterial 공진기를 이용한 Push-Push 발진기는 X-대역에서 발진기로 이용될 수 있음을 확인 하였다.

T-resonator를 이용한 PI(Poly Imide) 기판의 전기적 특성 추출에 관한 연구 (Study on The Electrical Characteristic Extraction of PI(Poly Imide) Substrate using T-resonator Method)

  • 이광훈;유찬세;이우성;양호민;정한주;김홍삼;이봉준
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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    • pp.222-222
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    • 2007
  • RF circuit을 구현하는데 있어서 기판의 전기적 특성을 정확하게 아는 것은 원하는 결과를 추출하기 위해 매우 중요하다. 본 연구에서는 현재 사용되고 있는 PI 기판의 전기적인 특성인 유효 유전율과 loss tangent 값을 T-resonator률 이용해 정확하게 측정하고자 했다. T-resonator는 microstrip 구조로 구현 되었으며 conductor material은 Cu를 사용하였다. PI 기판의 두께는 25um, Cu의 두께는 PI 기판의 종류에 따라 12um 와 18um, T-resonator line width는 50um로 구현하였다. 또한 공진 주파수에 따라 stub 길이가 다른 10개의 T-resonator를 제작하였다. PI 기판의 유효 유전율을 구하기 위해 stub 길이의 open-end effect와 T-junction effect를 고려하였으며 수식을 통해 정확한 유효 유전률을 추출하였다. 또한 PI 기판의 loss tangent 추출에 필요한 dielectric loss를 추출하기 위해 unload quality factor를 분석하였다. Unload quality factor는 dielectric loss, conductor loss, radiation loss를 구성되며 conductor loss와 radiation loss를 수식에 의해 구하고 dielectric loss를 추출 하였다. 추출 된 dielectric loss를 통해 각각의 T-resonator의 loss tangent 값을 구하였다. T-resonator를 이용한 PI 기판의 측정은 비교적 복잡한 수식에 의해 이루어지지만 정확한 data를 얻을 수 있고 다른 재료의 전기적 특성을 추출하는데 응용이 가능하다.

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