• 한국광학회지
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• 제21권2호
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• pp.61-68
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• 2010

최근 LED TV로 각광받고 있는 대형 LCD TV용 LED(Light Emitting Diode, 고체발광다이오드) 백라이트에 사용되는 도광판의 광구조를 최적화하여 LED에 의해 발생하는 휘점을 제거하고 조도균일도를 향상시키기 위한 시뮬레이션 연구를 진행하였다. 시뮬레이션 모델로 설정된 엣지형 백라이트는 LCD TV용으로 사용될 수 있는 두께 3 mm의 도광판, 측면에 배치된 세 개의 백색 LED와 램프 커버, 도광판의 하면에 배치된 반사 필름으로 구성되어 있다. 일반적인 엣지형 백라이트용 도광판과 같이 도광판의 입광면에 패턴이 형성되어 있지 않은 경우에는 도광판 상면의 조도균일도가 입광면과 LED 사이의 거리에 민감하게 의존하였다. 입광면과 LED 사이의 거리가 커질수록 조도균일도는 개선되다가 일정 거리 이상이 되면 개선이 둔화되는 경향성을 보였다. 반면에 도광판의 입광면에 렌티큘라(lenticular) 렌즈 배열이나 톱니모양(Serration)과 같은 미세 굴절 패턴을 형성하는 경우 LED가 입광면에 거의 붙어 있는 경우에도 패턴이 없는 경우에 비해 우수한 조도균일도를 보인다는 것을 알 수 있었고 조도균일도가 LED와 입광면 사이의 거리에 의존하는 정도가 줄어든다는 점도 확인하였다. 동일조건에서는 톱니모양 패턴이 렌티큘라 렌즈에 비해 우수한 조도균일도를 나타내었고 굴절률의 변화를 통해 추가적인 균일도 개선 효과를 얻을 수 있음도 확인하였다. 따라서 도광판의 입광면에 굴절 기능을 가지는 미세 패턴을 형성하고 그 광구조를 최적화하는 것은 LED에 의한 휘점 형성을 억제하고 LCD 측면의 비발광영역(베젤)을 줄이는데 있어서 매우 효과적인 방법이 될 수 있다는 것을 확인하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제28권2호
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• pp.89-94
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• 2021

최근 플렉시블 기기의 상용화를 위하여 기계적 신뢰성 연구가 활발히 진행되고 있으며 이를 고려하여 신뢰성 높은 다양한 접합부의 구현이 중요하다. 기기의 많은 부피를 차지하는 고분자 기판 또는 필름을 접합할 때에는 재료의 약한 내열성으로 접합공정 중 열 손상이 발생할 수 있으므로 신뢰성을 확보를 위해 상온 접합공정이 필요하다는 제약이 있다. 기존의 기판 접합을 위해 사용되는 에폭시 또한 고온 경화가 요구되는 경우가 많고, 특히 경화 접합 후 에폭시는 접합부 유연성 및 피로 내구성에서 한계를 보인다. 이를 해결하기 위하여 접착제 사용이 없는 저온 접합 공정의 개발이 필요한 상황이다. 본 연구에서는 마이크로파에 의한 탄소나노튜브 가열을 이용한 고분자 기판의 저온 접합공정을 개발하였다. PET 고분자 기판에 다중벽 탄소나노튜브 (MWNT)를 박막 코팅한 뒤 이를 마이크로파로 국부 가열함으로써 접합 기판 전체는 저온을 유지하며 CNT-PET 기계적 얽힘을 유도하는 방식이다. PET/CNT/PET 접합시편에 600 Watt 출력의 마이크로파를 10초간 조사함으로써 유연기판 접합에 성공하였고 매우 얇은 CNT 접합부를 구현하였다. 접합 시편의 기계적 신뢰성을 평가하기 위해 중첩 전단 강도 시험, 삼점 굽힘 시험, 반복 굽힘 시험을 수행하였으며 각 시험으로부터 우수한 접합강도, 유연성, 굽힘 내구성이 확인되었다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제48권7호
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• pp.521-524
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• 1999

Nb silicide was formed on the Si micro-tip arrays in order to improve field emission properties of Si-tip field emitter array. After silicidization of the tips, the etch-back process, by which gate insulator, gate electrode and photoresist were deposited sequentially and gate holes were defined by removing gradually the photoresist by $O_2$ plasma from the surface, was applied. Si nitride film was used as a protective layer in order to prevent oxygen from diffusion into Nb silicide layer and it was identified that the NbSi2 was formed through annealing in $N_2$ ambient at $1100^{\circ}C$ for 1 hour. By the Nb silicide coating on Si tips, the turn-on voltage was decreased from 52.1 V to 32.3 V and average current fluctuation for 1 hour was also reduced from 5% to 2%. Also, the fabricated Nb silicide-coated Si tip FEA emitted electrons toward the phosphor and light emission was obtained at the gate voltage of 40~50 V.

• 산업경영시스템학회지
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• 제36권2호
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• pp.1-7
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• 2013

Cleanroom could be largely classified into industrial cleanroom that can be contaminated by particles and bio-cleanroom that can be contaminated by biological particles. Electrical manufacturing companies producing precision machines and electrical parts essentially have industrial cloom facilities and clean technologies to produce defects free products due to particles. Industrial cleanroom should be controlled in respect of 4M1E to prevent from foreign materials of sub-micro unit and to keep out contamination sources from outside. In this paper, a concept for a quantitative methodology to measure the particles from running components was suggested by combining both newly making clean booth such as wear tester and laser particle counter.

• Design & Manufacturing
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• 제2권5호
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• pp.1-4
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• 2008

LCD-BLU (Liquid Crystal Display - Back Light Unit) is one of kernel parts of LCD unit and it consists of several optical sheets(such as prism, diffuser and protector sheets), LCP (Light Guide Plate), light source (CCFL or LED) and mold frame. The LGP of LCD-BLU is usually manufactured by forming numerous dots with $50-200{\mu}m$ in diameter on it by erosion method. But the surface of the erosion dots of LGP is very rough due to the characteristics of the erosion process during the mold fabrication, so that its light loss is high along with the dispersion of light into the surface. Accordingly, there is a limit in raising the luminance of LCD-BLU. Especially, the negative and positive micro-lens pattern fabricated by modified LiGA with thermal reflow process was applied to the optical design of LGP.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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• pp.515-517
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• 2004

The laser absorption spectroscopy has been used for measuresurement of the xenon atoms in the resonant $1S_4$ and metastable $1S_5$ states in coplanar AC PDP. For the purpose of improving VUV luminous efficiency and optimization of PDP cells, it is important to study behavior of excited Xe atoms in a micro-discharge cell of a coplanar AC-PDP. We measured the xenon excited density of $1S_5$ and $1S_4$ state under mixture gas of Ne-Xe(10%) with gas pressure of 350 Torr and sustaining gap distance of 150 um.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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• pp.957-961
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• 2004

In order to realize high performance thin film transistor (TFT) on plastic substrate, Si film was deposited on plastic substrate at 170$^{\circ}C$ by using inductivity coupled plasma chemical vapor deposition (ICPCVD). Hydrogen concentration in as-deposited Si film was 3.8% which is much lower than that in film prepared by using conventional plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). Si film was deposited as micro crystalline phase rather than amorphous phase even at 170$^{\circ}C$ because of high density plasma. By step-by-step Excimer laser annealing, dehydrogenation and recrystallization of Si film were carried out simultaneously. With step-by-step annealing and optimization of underlayer structure, it has succeeded to achieve large grain size of 300nm by using ICPCVD. Base on these results, poly-Si TFT was fabricated on plastic substrate successfully, and it is sufficient to drive pixels of OLEDs, as well as LCDs.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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• pp.881-884
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• 2004

The robust and large-area applicable metal shadow masks with a high aspect ratio more than 20 are fabricated by a combination of micro-electro-discharge machining (${\mu}$-EDM) and electro chemical etching (ECE). After defining S/D contacts using a 100 ${\mu}m$ thick stainless steel shadow mask, the top-contact pentacene TFTs with channel length of 5 ${\mu}m$ showed routinely the results of mobility of 0.498 ${\pm}$ 0.05 $cm^2$/Vsec, current on/off ratio of 1.6 ${times}$ $10^5$, and threshold voltage of 0 V. The straightly defined atomic force microscopy (AFM) images of channel area demonstrated that shadow effects caused by the S/D electrode deposition were negligible. The fabricated pentacene TFTs have an average channel length of 5 ${\pm}$ 0.25 ${\mu}m$.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.73-73
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• 2003

최근 LCD(liquid crystal display)분야에서 고해상도와 빠른 응답속도를 가지는 다결정 실리콘 박막트랜지스터에 대한 연구를 하고 있다. 그러나, poly-Si은 poly-Sil-xGex에 비해 intrinsic carrier mobility가 낮고 고온의 결정화 공정을 필요로 한다. 따라서, Poly-Si을 대체할 재료로 poly-SiGe에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 전계에 의해 결정화가 가속되고 한쪽 방향으로 결정화를 제어하여 채널내 전자나 정공의 이동도를 향상시 킬 수 있는 새로운 결정화 방법인 전계 유도 방향성 결정화법을 이용하여 Ge 함량에 따른 a-Sil-xGex(0$\leq$x$\leq$0.5)의 결정화 특성을 연구하였다. 대기압 화학 기상 증착법으로 5000$\AA$의 산화막(SiO$_2$)이 증착된 유리 기판상에 플라즈마 화학 기상 증착법을 이용하여 800$\AA$의 비정질 실리콘을 증착한 후 RF magnetron sputtering법을 이용하여 Ge 함량에 따른 Sil-xGex 박막을 1000$\AA$ 증착하였다. Photolithograph방법을 이용하여 금속이 선택적으로 증착될 수 있는 특정 Pattern을 가진 mask를 형성한 후 금속을 DC magnetron sputtering법을 이용하여 상온에서 50$\AA$.을 증착하였다. 이후 시편에 전계를 인가하기 위해 시편의 양단에 전극을 형성한 후 DC Power Supply를 통해 전압을 제어하는 방식으로 전계를 인가하였다. 결정화 속도는 광학현미경을 이용하여 분석하였으며 결정화된 영역의 결정화 정도는 micro-Raman spectroscopy로 분석하였다.

• 한국컴퓨터산업학회논문지
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• 제2권12호
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• pp.1517-1522
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• 2001

기존의 전력 시스템 보호 장치는 아날로그 방식으로 고성능, 고기능화를 지향하는 전력 설비의 장치로는 동자의 신뢰도를 높일 수 없으며, 또한 배전용 전력 시스템의 중앙감시 및 제어 장치로 표준화시키지 못한 문제점이 있다. 수배전 보호장치와 비상용 발전 설비의 제어장치를 디지털 방식으로 전환시켜 집약적이고, 고성능의 전력 시스템 감시 및 제어 기능을 갖도록 한다. 전력 시스템의 동작 및 상태(전압, 전류, 전력, 위상 및 주파수)를 실시간 디지털 방식으로 계측하고 통신방식을 사용하여 감시하고 제어하는 통합 중앙 감시 및 제어장치 개발을 목적으로 한다. 이러한 전력 감시 설비를 마이컴 방식［1,2］을 채택하여 디지털 제어가 가능하며 집약적이고 고성능의 감시 및 제어기능［3］을 갖도록 하였다.