The Effect of thin Stepped Oside Structure Along Contact Edge on the Breakdown Voltage of Al-nSi Schottky Diode (Al-nSi 쇼트키 다이오드의 접합면 주위의 얇은 계단형 산화막 구조가 항복 전압에 미치는 영향)
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- Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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- v.20 no.3
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- pp.33-39
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- 1983