본 논문에서는 Power IC용 저면적 32비트 differential paired eFuse OTP 메모리를 설계하였다. OTP 메모리 셀 어레이에서 행의 개수가 열의 개수보다 더 작은 경우 eFuse 링크의 프로그램 전류를 공급하는 SL (Source Line) 구동 라인을 열 방향으로 라우팅하는 대신 행 방향으로 라우팅하므로 레이아웃 면적을 많이 차지하는 SL 구동회로의 수를 줄이는 differential paired eFuse 셀 어레이 방식과 코어 회로를 제안하였다. 그리고 blowing되지 않은 eFuse 링크가 EM (Electro-Migration) 현상에 의해 blowing되는 불량을 해결하기 위해 RWL (Read Word-Line) 구동 회로와 BL (Bit-Line) 풀-업 부하회로에 V2V ($=2V{\pm}0.2V$)의 regulation된 전압을 사용하였다. 설계된 32비트 eFuse OTP 메모리의 레이아웃 면적은 $228.525{\mu}m{\times}105.435{\mu}m$으로 기존의 셀 어레이 라우팅을 이용한 IP 크기인 $197.485{\mu}m{\times}153.715{\mu}m$ 보다 20.7% 더 작은 것을 확인하였다.
본 논문에서는 기존의 정진폭 다중 부호 이진 직교 (CAMB: Constant-Amplitude Multi-code Biorthogonal) 변조 이론을 적용한 변복조기를 프로그래밍 가능한 게이트 배열 (FPGA: Field-Programmable Gate Array)을 사용하여 설계하고 시스템 온 칩 (SoC: System on Chip)으로 구현하였다. 이 변복조기는 FPGA을 이용하여 타겟팅 한 후 보드실험을 통해 설계에 대한 충분한 검증을 거쳐 주문형 반도체 (ASIC: Application Specific Integrated Circuit) 칩으로 제작되었다. 이러한 12Mbps급 모뎀의 SoC를 위하여 ARM (Advanced RISC Machine)7TDMI를 사용하였으며 64K바이트 정적 램 (SRAM: Static Random Access Memory)을 내장하였다. 16-비트 PCMCIA (Personal Computer Memory Card International Association), USB (Universal Serial Bus) 1.1, 16C550 Compatible UART (Universal Asynchronous Receiver/Transmitter) 등 다양한 통신 인터페이스를 지원할 뿐 아니라 ADC (Analog to Digital Converter)/DAC (Digital to Analog Converter)를 포함하고 있어 실제 현장에서 쉽게 활용될 수 있을 것으로 기대된다.
This paper describes a single transistor type ferroelectric field effect transistor (1T FeFET) memory celt scheme which can select one unit memory cell and program/read it. To solve the selection problem of 1T FeEET memory cell array, the row direction common well is electrically isolated from different adjacent row direction column. So, we can control voltage of common well line. By applying bias voltage to Gate and Well, respectively, we can implant IT FeEET memory cell scheme which no interface problem and can bit operation. The results of HSPICE simulations showed the successful operations of the proposed cell scheme.
고성능 디지털 회로 구현에 매우 많이 사용되는 Xilinx사의 7-Series FPGA(Field Programmable Gate Array)는 configuration memory가 SRAM 기반으로 제작되어 configuration memory에 소프트 에러(soft error)가 발생하는 경우 FPGA는 오동작하게 된다. Xilinx사에서 제공하는 SEM(Soft Error Mitigation) Controller를 이용하면 configuration memory에서 발생하는 소프트 에러의 영향을 줄일 수 있다. SEM Controller는 FPGA의 configuration memory 영역에 추가된 ECC(Error Correction Code)와 CRC(Cyclic Redundancy Code) 기능을 이용하여 configuration memory에 발생한 소프트 에러를 감지하여 필요시 partial reconfiguration 과정을 수행하여 FPGA의 기능을 소프트 에러 발생 이전으로 복구한다. 본 논문에서는 Xilinx사의 7-Series FPGA에서 SEM Controller를 이용하여 configuration memory의 소프트 에러를 검출하고 정정할 때 FPGA의 신뢰도를 가용성(availability) 관점에서 분석한다. 이를 위해 SEM Controller의 소프트 에러 정정 성능에 따른 가용성 함수를 유도하고 그 효과를 검토한다. 연구 결과는 소프트 에러가 발생하는 환경에서 동작하는 SRAM 기반 FPGA의 신뢰성 예측에 사용할 수 있을 것으로 기대된다.
A field-programmable gate array (FPGA) is an integrated circuit designed to be configured by a customer or a designer after manufacturing. The FPGA configuration is generally specified using a hardware description language (HDL), similar to that used for an application-specific integrated circuit (ASIC) (circuit diagrams were previously used to specify the configuration, as they were for ASICs, but this is increasingly rare). Contemporary FPGAs have large resources of logic gates and RAM blocks to implement complex digital computations. In this paper, we implement a system of digital instrumentation using FPGA. This system consists of the trigger part, memory address controller part, control FSM part, Encoder part, LCD controller part. The hardware implement using FPGA and the verification of the operation is done in a PC simulation. The proposed hardware was mapped into Cyclone III EP2C5Q208 from Altera and used 1,700(40%) of Logic Element (LE). The implemented circuit used 24,576-bit memory element with 6-bit input signal. The result from implementing in hardware (FPGA) could operate stably in 140MHz.
An arry circuit is designed for parallel computation of vector-radix 2-D discrete cosine transform (VR-FCT) which is a fast algorithm of DCT. By using a 2-D array of processing elements (PEs), the butterfly structure of the VR-FCT can be efficiently implemented with high condurrency and local communication geometry. The proposed implementation features architectural medularity, regularity and locality, so that it is very suitable for VLSI realization. Also, no transposition memory is required. The array core for (8$\times$8) 2-D DCT, which is designed usign ISRC 1.5.mu.m N-Well CMOS technology, consists of 64 PEs arranged in (8$\times$8) 2-D array and contains about 98,000 transistors on an area of 138mm$^{2}$. From simulation results, it is estimated that (8$\times$8) 2-D DCT can be computed in about 0.88 .mu.sec at 50 MHz clock frequency, resulting in the throughput rate of about 72${\times}10^[6}$ pixels per second.
This paper describes an improved design of graphic memory for QVGA ($320{\times}240\;RGB$) - scale 262k-color LCD Driver IC. A distributor block is adopted to reduce graphic RAM area, which is accomplished with 1/8 data lines of the previous structure. In line-read operation, the drivabilty of memory array cell is improved by partitioning a word line according to the row address. The proposed graphic memory circuit has been designed in transistor level using $0.18{\mu}m$ CMOS technology library and verified using Hsim.
Kim, Su-Chul;Kim, Nam-Seog;Kim, Tae-Hyung;Cho, Uk-Rae;Byun, Hyun-Guen;Kim, Suki
대한전자공학회:학술대회논문집
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대한전자공학회 2002년도 ITC-CSCC -3
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pp.1571-1574
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2002
This paper describes a circuit and its operations of a programmable digital on-chip terminator designed with CMOS circuits which are used in high speed I/O interface. The on-chip terminator matches external reference resistor with the accuracy of ${\pm}$ 4.1% over process, voltage and temperature variation. The digital impedance codes are generated in programmable impedance controller (PIC), and the codes are sent to terminator transistor arrays at input pads serially to reduce the number of signal lines. The transistor array is thermometer-coded to reduce impedance glitches during code update and it is segmented to two different blocks of thermometer-coded transistor arrays to reduce the number of transistors. The terminator impedance is periodically updated during hold time to minimize inter-symbol interferences.
본 논문에서는 행의 개수가 열의 개수보다 작은 4행 ${\times}$ 8열의 셀 어레이를 갖는 eFuse OTP IP 설계에서 eFuse의 프로그램 전류를 공급하는 SL 구동 라인을 열 방향으로 라우팅 하는 대신 행 방향으로 라우팅 하므로 레이아웃 면적을 많이 차지하는 SL 구동회로 수를 8개에서 4개로 줄이는 셀 어레이 방식과 코어 회로를 제안하였다. 제안된 셀 어레이 방식과 코어 회로는 32비트 eFuse OTP IP의 레이아웃 면적을 줄였다. 그리고 큰 read 전류에 의해 blowing 되지 않은 eFuse가 EM 현상에 의해 blowing되는 현상을 방지하기 위하여 RWL 구동회로와 BL 풀-업 부하회로에 필요한 V2V($=2V{\pm}10%$) 레귤레이터를 설계하였다. 설계된 4행 ${\times}$ 8열의 32비트 eFuse OTP IP의 레이아웃 면적은 $120.1{\mu}m{\times}127.51{\mu}m$ ($=0.01531mm^2$)로 기존의 eFuse OTP IP의 면적인 $187.065{\mu}m{\times}94.525{\mu}m$ ($=0.01768mm^2$)보다 13.4% 더 작은 것을 확인하였다.
본 논문은 디지털 TV의 다양한 분야로의 확장을 위해서 디지털 TV에 접목하는 멀티미디어 부가기능 모듈 및 관련 인터페이스 개발에 관한 것이다. 이 부가기능 모듈은 디지털 TV 시스템에 장착되며 디지털 카메라, 캠코더, PC로 저장한 정지 영상을 TV 화면으로 디스플레이 해주는 기능을 수행한다. 본 시스템은 현재 디지털 카메라 등에서 널리 사용되고 있는 5 종류의 메모리 카드를 지원 하도록 하였으며 JPEG, BMP, TIFF의 3가지 영상 포맷을 지원한다. 또한 아날로그 RGB 출력으로 HD(High Definition)급부터 WXGA(Wide Extended Graphics Array) 급까지 지원하여 광범위한 디지털 TV 세트에 적용이 가능하다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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