J. Y. Hwang;Kim, M. Y.;K. I. Jun;J. R. Rhee;Lee, S. S.;D. G. Hwang;S. C. Yu;Lee, S. H.
한국자기학회:학술대회 개요집
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한국자기학회 2002년도 동계연구발표회 논문개요집
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pp.62-63
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2002
To reach 100 Gbit/in$^2$ magnetic recording densities in hard disk drives specular enhancement of giant magnetoresistance (GMR) effect in spin valve (SV) films has become one of the indispensable means for application as read elements in recording heads [1]. More recently specular spin valve (SSV) structure containing nano-oxides layers (NOL) were reported [2], where MR enhancement is caused to extended mean free path of majority spin polarized electrons through specular reflection at metal/insulator interfaces [3] in the SV films. (omitted)
한국분말야금학회 2006년도 Extended Abstracts of 2006 POWDER METALLURGY World Congress Part 1
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pp.219-220
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2006
To understand the effect of powder characteristics on the thermal debinding behavior, PIM parts produced with powders with different particle sizes and particle shapes were examined to determine their weight losses during thermal debinding. The results show that the average diameter of the pore channel in the compact increased when the temperature increased and when coarse powders were used. However, the weight loss rates did not increase proportionally with the pore size. This suggests that the different powders that are frequently used in PIM parts do not affect the thermal debinding rate significantly. This is because the pore size is much larger than the mean free path of the decomposed gas molecules. Thus, the diffusion rates of the gases are not rate-controlling in thermal debinding. The controlling mechanism of the thermal debinding rate is the decomposition of the backbone binder in the PIM parts.
Pham, Duong;Jung, Soon-Gil;Tran, Duc H.;Park, Tuson;Kang, Won Nam
한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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제21권3호
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pp.18-21
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2019
We studied the effect of Fe ion irradiation on the upper critical field ($H_{c2}$) of 410 nm single-crystalline $MgB_2$ thin films. The irradiation energy was fixed at 140 keV when we increased the irradiation doses from $1{\times}10^{14}ion/cm^2$ to $4{\times}10^{14}ion/cm^2$. We found that $H_{c2}$ significantly increase with increasing irradiation dose, despite the low irradiation energy. The enhancement of $H_{c2}$ could be explained by the reduction of electron mean free path caused by defects induced from irradiation, leading to a decrease of coherence length (${\xi}$). We also discussed the effect of irradiation on temperature-dependent resistivity in details.
이 연구에서는 단일 산란이론을 이용하여 경상분지에서 얻어진 국소 미소지진의 자료를 1.5-1.8Hz 사이의 주파수 영역에서 몇 개의 구간으로 나누어 대역 통과 필터링을 g여 coda 파의 진폭 감쇠로부터 Q값을 결정하였다 Coda Q 값은 Qc=Q0 fn 형태의 주파수 의존 양상을 보여주며 Q0 값은 83.9-155.9 n 값은 0.76에서 1.05 사이로 나타났다 산란 감쇠와 고유감쇠를 고려하여 감쇠가 순전히 산란에 의해서만 일어난다고 가정했을 때 최소 평균 자유경로를 51.-56km 이고 비탄성 감쇠계수는 0.0093-0.0098 로 나타났다 진앙과 관측소간의 경로가 단층지역을 지나는 것이 다른 경로를 지나오는 것보다 높은 감쇠와 강한 주파수 의존성을 보여준다.
Vani, P.;Vinitha, G.;Sayyed, M.I.;AlShammari, Maha M.;Manikandan, N.
Nuclear Engineering and Technology
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제53권12호
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pp.4106-4113
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2021
Rare earth doped barium tellurite glasses were synthesised and explored for their radiation shielding applications. All the samples showed good thermal stability with values varying between 101 ℃ and 135 ℃ based on dopants. Structural properties showed the dominance of matrix elements compared to rare earth dopants in forming the bridging and non-bridging atoms in the network. Bandgap values varied between 3.30 and 4.05 eV which was found to be monotonic with respective rare earth dopants indicating their modification effect in the network. Various radiation shielding parameters like linear attenuation coefficient, mean free path and half value layer were calculated and each showed the effect of doping. For all samples, LAC values decreased with increase in energy and is attributed to photoelectric mechanism. Thulium doped glasses showed the highest value of 1.18 cm-1 at 0.245 MeV for 2 mol.% doping, which decreased in the order of erbium, holmium and the base barium tellurite glass, while half value layer and mean free paths showed an opposite trend with least value for 2 mol.% thulium indicating that thulium doped samples are better attenuators compared to undoped and other rare earth doped samples. Studies indicate an increased level of thulium doping in barium tellurite glasses can lead to efficient shielding materials for high energy radiation.
Knudsen number is the ratio of molecular mean free path versus mm thickness and the criterion to determine the flow form. When its value is lower than 0.01, the flow can be assumed to has no slip boundary condition. And in the case that the value is between 0.01 and 10, then the flow has slip boundary condition at both the adjacent walls. The condition of the air flow between the rotating journal and top foil in the air foil bearing is determined by the rotating speed and load, and the Knudsen number is also varied by those values. Because the molecular mean free path is variable to the pressure and temperature, more exact formulation is necessary to understand and analyze the flow regime. In this study, the analysis considering Knudsen number formulated with those variables (pressure, temperature and mm thickness) was executed. The approximate value was examined using the equation to confirm whether the flow has the slip or no-slip boundary condition. From the analytic investigation, it was decided to range approximately 0.01 to 1.0 and the flow can be supposed to have the slip boundary condition. Under the condition of the slip flow, the static characteristics of the air foil bearing were examined using modified Reynolds equations. The results were compared with those considering no slip condition. It shows that the slip condition makes the flow decelerates and the load carrying capacity decreases compared with no slip condition. And as the bearing number and eccentricity ratio increase, the load carrying capacity also increased at both the cases. From this result, it can be supposed that the bearing torque also increases. In the analysis of the dynamic characteristics, the perturbed Knudsen number was taken into consideration. Because the Knudsen number is expressed as the terms of each variable, the perturbed equation can be simply derived. The results of both cases considering and not considering Knudsen number were compared each other. In the case of the direct terms of the stiffness and damping coefficients, the difference between both cases was little and increased as the bearing number and eccentricity ratio increased. And the cross terms have less or more differences.
The hollow cathode discharge is a kind of plasma formation scheme in which plasma is formed inside a hollow structure, the cathode, with current to a nearby anode of arbitrary shape. In this scheme, electrons reflex radially within the hollow cathode, establishing an efficient ionization mechanism for gas within the cavity. An existence condition for the hollow cathode effect is that the electron mean-free-path for ionization is of the order of the cavity radius. Thus the size of this kind of plasma source must decrease as the gas pressure is increased. In fact, the hollow cathode effect can occur even at atmospheric pressure for cathode diameters of order 10-100 $\mu\textrm{m}$. That is, the "natural" operating pressure regime for a "micro hollow cathode discharge" is atmospheric pressure. This kind of plasma source has been the subject of increasing research activity in recent years. A number of geometric variants have been explored, and operational requirements and typical plasma parameters have been determined. Large arrays of individual tiny sources can be used to form large-area, atmospheric-pressure plasma sources. The simplicity of the method and the capability of operation without the need for the usual vacuum system and its associated limitations, provide a highly attractive option for new approaches to many different kinds of plasma applications, including plasma surface modification technologies. Here we review the background work that has been carried out in this new research field.
Tungsten (W) is recently gaining attention as a potential candidate to replace Cu in semiconductor metallization due to its expected improvement in material reliability and reduced resistivity size effect. In this study, the impact of electron scattering at grain boundaries in a polycrystalline W thin film was investigated. Two nominally 300 nm-thick films, a (110)-oriented single crystal film and a (110)-textured polycrystalline W film, were prepared onto (11-20) Al2O3 substrate and thermally oxidized Si substrate, respectively in identical fabrication conditions. The lateral grain size for the polycrystalline film was determined to be $119{\pm}7nm$ by TEM-based orientation mapping technique. The film thickness was chosen to significantly exceed the electron mean free path in W (16.1 and 77.7 nm at 293 and 4.2 K, respectively), which allows the impact of surface scattering on film resistivity to be negligible. Then, the difference in the resistivity of the two films can be attributed to grain boundary scattering. quantitative analyses were performed by employing the Mayadas-Shatzkes (MS) model, where the grain boundary reflection coefficient was determined to be $0.42{\pm}0.02$ and $0.40{\pm}0.02$ at 293 K and 4.2 K, respectively.
In contrast to the high demand for MEMS devices, microflow analysis is not feasible even for single-phase flow with conventional Navier-Stokes equation because of non-continuum effect when characteristic dimension is comparable with local mean free path. DSMC is one of particle based DNS(Direct Numerical Simulation) methods that uses no continuum assumption. In this paper, gas flow in microchannel is studied using DSMC. Interfacial shear and flow characteristics are observed and compared with the results of gas flow that is in contact with liquid case and solid wall case. The simulation is limited to the case of equilibrium steady state and evaporation/condensation coefficient is assumed to be the same and unity. System temperature remains constant and the interfacial shear appears to be small compared to the result with solid wall. This is because particles evaporated and reflected from the liquid surface form high density layer near the interface with liquid flow.
When a $Ta_O_5$ dielectric film is deposited on a bare silicon, the growth of $SiO_2$ at the $Ta_O_5$/Si interface cannot be avoided. Even though the $SiO_2$ layer is ultrathin (a few nm), it has great effects on the electrical properties of the capacitor. The concentration depth profiles of the ultrathin interfacial $SiO_2$ and $SiO_2/Si_3N_4$ layers were obtained using an Auger electron spectroscopy (AES) equipped with a cylindrical mirror analyzer (CMA). These AES depth profiles were quantitatively analyzed by comparing with the theoretical depth profiles which were obtained by considering the inelastic mean free path of Auger electrons and the angular acceptance function of CMA. The direct measurement of the interfacial layer thicknesses by using a high resolution cross-sectional TEM confirmed the accuracy of the AES depth analysis. The $SiO_2/Si_3N_4$ double layers, which were not distinguishable from each other under the TEM observation, could be effectively analyzed by the AES depth profiling technique.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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