• Journal of Internet of Things and Convergence
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• v.9 no.1
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• pp.19-24
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• 2023

Recently, with the recent rapid development of memory technology, various types of memory are developed and are used to improve processing speed in data management systems. In particular, NAND flash memory is used as a main media for storing data in memory-based storage devices because it has a nonvolatile characteristic that it can maintain data even at the power off state. However, since the recently studied memory-based storage device consists of various types of memory such as MRAM and PRAM as well as NAND flash memory, research on memory management technology is needed to improve data processing performance and efficiency of media in a storage system composed of different types of memories. In this paper, we propose a memory mapping scheme thought technique for efficiently managing data in the storage device composed of various memories for data management. The proposed idea is a method of managing different memories using a single mapping table. This method can unify the address scheme of data and reduce the search cost of data stored in different memories for data tiering.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.40 no.2
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• pp.98-103
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• 2003

This paper proposes new SPICE Macro-Model of Magnetic Tunnel Junction (MTJ) This Macro-Model has five I/O terminals, reproduces MTJ MR characteristics including hysteresis and behaves correctly to time varying input signals. Furthermore, this Model can be easily modified to various MTJs with different characteristics by simply varying internal parameters.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2013.05a
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• pp.211-211
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• 2013

Ru-Cr은 차세대 반도체 메모리(RAM, MRAM, FeRAM), 헤드(MR, TMR), 캐피시터의 웨이퍼 등에 전극층이나 시드층 형성을 위해 스퍼터링 타겟으로 제조되며, IT산업이 발달함에 따라 수요가 증가하고 있다. 기존의 스퍼터링 타겟은 산처리와 주조와 같은 습식법이 주를 이루었으나, 긴 제조시간과 강산사용의 위험성화 강산폐유의 처리가 문제되고 있다. 최근에는 습식공정을 보완하기 위한 건식법의 연구가 진행 중이며, 합금소재에 대한 건식법의 연구가 필요하다. 본 연구에서는 폐 Ru-Cr 금속합금 스퍼터링 타겟을 Hammer-mill, jet-mill 등 건식으로 분쇄하고 RF-Plasma를 이용하여 소결에 용이한 구형, 고순도 Ru-Cr금속합금분말을 제조하였다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.179-179
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• 2003

현재 차세대 메모리로 연구되고 있는 것 중 가장 각광 받는 것은 PRAM 이다. MRAM의 경우 복잡한 공정 때문에 상용화에 많은 어려움이 따르는데 반해 PRAM은 DRAM과 유사한 구조를 가지고 있기 때문에 기존 DRAM의 공정라인을 사용할 수 있다는 장점을 가지고 있다. 하지만 PRAM은 높은 작동전류가 필요하다는 단점을 가지고 있다. 따라서 PRAM이 상용화 되기 위해서는 2mA 이하의 작동전류에서 상변환이 일어나야 한다. 여기서 말하는 상변환이란 결정질 상태를 비정질 상태로 변환 시키는 것을 의미한다. 본 연구에서는 우선 8F$^2$ 크기(F=0.15$\mu\textrm{m}$)의 DRAM 단위소자 메모리 구조를 이용하여 lT/lRPCRAM 모델을 구축하였다. 구축된 모델을 이용하여 요구되는 작동전류(2mA이하)에서의 PRAM의 온도 분포를 시뮬레이션을 통하여 예측하였다. 또한 단위소자를 구성하는 재료의 물성 변화가 소자 내부의 온도 분포에 미치는 영향을 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.11a
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• pp.199-202
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• 2004

NFGM(Nano-Floating Gate Memory) is a very prospective candidate memory for the next generation with MRAM, PRAM, PoRAM. Among these memory devices for the next generation, NFGM has a lot of merits such as a simple low cost fabrication process, improved retention time, lower operating voltages, high speed program/erase time and so on. Therefore, many intensive researches for NFGM have been performed to improve device performance and reliability, which depends on the ability to control particle size, size distribution, crystallity, areal particle density and tunneling oxide quality. In this paper, we investigate the researches for NFGM up to recently.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• v.15 no.2
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• pp.223-231
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• 2015

As smartphones support a variety of applications and their memory demand keeps increasing, the design of an efficient memory management policy is becoming increasingly important. Meanwhile, as nonvolatile memory (NVM) technologies such as PCM and STT-MRAM have emerged as new memory media of smartphones, characterizing memory references for NVM-based smartphone memory systems is needed. For the deep understanding of memory access features in smartphones, this paper performs comprehensive analysis of memory references for various smartphone applications. We first analyze the temporal locality and frequency of memory reference behaviors to quantify the effects of the two properties with respect to the re-reference likelihood of pages. We also analyze the skewed popularity of memory references and model it as a Zipf-like distribution. We expect that the result of this study will be a good guidance to design an efficient memory management policy for future smartphones.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.356.2-356.2
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• 2014

Spin Transfer Torque (STT) is of great interest in data writing scheme for the Magneto-resistive Random Access Memory (MRAM) using Magnetic Tunnel Junction (MTJ). Scalability for high density memory requires ferromagnetic electrodes having the perpendicular magnetic easy axis. We investigated CoZr as the ferromagnetic electrode. It is observed that interfacial magnetic anisotropy is preferred perpendicular to the plane with thickness dependence on the interfaces with Pt layer. The anisotropy energy (Ku) with thickness dependence shows a change of magnetic-easy-axis direction from perpendicular to in-plane around 1.2 nm of CoZr. The interfacial anisotropy (Ki) as the directly related parameters to switching and thermal stability, are estimated as $1.64erg/cm^2$ from CoZr/Pt multilayered system.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.05a
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• pp.110-110
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• 2009

최근 차세대 비휘발성 메모리(NVM) 기술은 메모리의 성능과 기존의 한계점을 효과적으로 극복하며 활발한 연구를 통해 비약적으로 발전하고 있으며 특히, phase-change random access memory (PRAM)은 ferroelectric random access memory (FeRAM)과 magneto-resistive random access memory (MRAM)과 같은 다른 NVM 소자와 비교하여 기존의 DRAM과 구조적으로 비슷하고 상용화가 빠르게 진행될 수 있을 것으로 예상되는 바, PRAM에 사용되는 상변화 물질의 식각을 수행하고 X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)를 통해 표면의 열화현상을 관찰하였다.

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2002.12a
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• pp.154-155
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• 2002

스핀밸브형 GMR(Giant magnetoresistance) 소자는 낮은 자장범위에서 큰 자기저항변화가 생기는 높은 민감도의 소자로서, 고밀도 자기기록매체의 재생헤드 및 MRAM(Magnetoresistance Random Access Memory) 등의 실제 응용에 있어 큰 자기저항비와 열적 안정성을 가지는 재료들을 필요로 한다. NiO, a-$Fe_2O_3$, NiO/a-$Fe_2O_3$ 등과 같은 산화물의 경우, 높은 Tn(Neel temperature)을 가지므로 이를 이용한 Bottom형 스핀밸브에 대한 연구가 활발히 진행되어 왔다. (중략)

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2005.12a
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• pp.204-205
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• 2005