• Journal of KIISE:Databases
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• v.34 no.2
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• pp.109-118
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• 2007

Recently, flash memory is used to store data in mobile computing devices such as PDAs, SmartCards, mobile phones and MP3 players. These devices need index structures like the B-tree to efficiently support some operations like insertion, deletion and search. The BFTL(B-tree Flash Translation Layer) technique was first introduced which is for implementing the B-tree on flash memory. Flash memory has characteristics that a write operation is more costly than a read operation and an overwrite operation is impossible. Therefore, the BFTL method focuses on minimizing the number of write operations resulting from building the B-tree. However, we indicate in this paper that there are many rooms of improving the performance of the I/O cost in building the B-tree using this method and it is not practical since it increases highly the usage of the SRAM memory storage. In this paper, we propose a BOF(the B-tree On Flash memory) approach for implementing the B-tree on flash memory efficiently. The core of this approach is to store index units belonging to the same B-tree node to the same sector on flash memory in case of the replacement of the buffer used to build the B-tree. In this paper, we show that our BOF technique outperforms the BFTL or other techniques.

• Journal of KIISE:Databases
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• v.34 no.2
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• pp.133-140
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• 2007

Flash memory has penetrated our life in various forms. For example, flash memory is important storage component of ubiquitous computing or mobile products such as cell phone, MP3 player, PDA, and portable storage kits. Behind of the wide acceptance as memory is many advantages of flash memory: for instances, low power consumption, nonvolatile, stability and portability. In addition to mentioned strengths, the recent development of gigabyte range capacity flash memory makes a careful prediction that the flash memory might replace some of storage area dominated by hard disks. In order to have overwriting function, one block must be erased before overwriting is performed. This difference results in the cost of reading, writing and erasing in flash memory[1][5][6]. Since this difference has not been considered in traditional buffer replacement technologies adopted in system software such as OS and DBMS, a new buffer replacement strategy becomes necessary. In this paper, a new buffer replacement strategy, reflecting difference I/O cost and applicable to flash memory, suggest and compares with other buffer replacement strategies using workloads as Zipfian distribution and real data.

• 한국HCI학회:학술대회논문집
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• 2009.02a
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• pp.1225-1232
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• 2009

최근 HCI 분야에서는 사용자들이 가지고 있는 문화적 성향이 사용자 경험에 미치는 영향에 대한 다양한 연구들이 이루어져 왔다. 이는 사용자들이 가지고 있는 문화적 성향이 어떠한 기기나 시스템을 이해하고 해석하는 방식에 영향을 미치는 지각적 렌즈(Perceptual Lens)로서 작용하기 때문이다. 이와 같은 사용자들이 가지고 있는 문화적 성향의 중요성에도 불구하고 기존 HCI 분야의 연구들은 국가와 문화를 동일시하면서 국가 수준에서 문화의 중요성만을 강조하고 있다. 그러나 어떠한 기기나 시스템의 사용은 개인 수준에서의 행동이기 때문에 국가와 문화를 동일시 하는 것은 개인 수준의 행동을 설명하지 못한다는 한계가 있다. 이는 문화적 성향이 한 국가 내에서도 개인에 따라 다양한 양상을 나타낼 수 있으며, 더 나아가 한 개인 안에서도 대상이나 정황에 따라 다른 양상을 나타낼 수 있기 때문이다. 본 연구는 사용자들이 가지고 있는 문화적 성향에 있어 국가 간 차이가 존재할 뿐만 아니라, 기기 간에도 차이가 존재함을 밝히는 것을 기본 목적으로 한다. 이와 같은 목적을 위하여 본 연구에서는 Hofstede[1980]가 제시한 네 가지 문화적 차원(불확실성 회피 성향, 개인주의 성향, 남성성 성향, 권력 거리 성향)을 중심으로 각 차원에 있어 나타나는 국가 간 그리고 기기 간 사용자들의 문화적 성향의 차이를 3 개 국(미국, 독일, 러시아)에서 4 개 디지털 기기(핸드폰, MP3 플레이어, LCD TV, 냉장고) 사용자들을 대상으로 한 대규모 설문을 기반으로 검증하였다.

• 한국HCI학회:학술대회논문집
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• 2008.02b
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• pp.1-6
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• 2008

최근 제품이나 서비스를 기획할 때, 사용자 경험 (User Experience)의 측면에 대한 고려를 해야 한다는 이야기가 많아지고 있다. 이는 기능이나 성능을 결정할 때 기능 추가, 몇 %의 성능 상승같이 좁은 방법으로 제품이나 서비스의 기획의 방향을 결정하는 것이 아니라, 사용자가 그 기능이나 성능에서 대해서 어떻게 느끼고, 기능이나 성능을 통해서 어떤 경험을 했는지에 대한 전반적인 고려가 필요하다는 것을 여러 분야에서 공감하고 있다는 증거라 하겠다. 그러나 사용자 경험이라는 개념이 명확하게 정의되어 있지 않고, 그에 대한 실증적인 연구가 부족하여, 더 나은 사용자 경험을 제공하기 위해서 어떤 노력이 필요한지에 대해서 명확하고 쉽게 파악하기 어려운 실정이다. 기존의 HCI 분야에서는 제품이나 서비스를 평가할 때 사용성 (Usability)에 초점을 맞추어서 사용성 평가 (Usability Testing)를 통해서 정량적으로 문제점을 조사하는 방법론에 대한 연구가 많이 이루어졌다. 그러나 이러한 사용성 평가 는 사용자들의 과업 수행 시간, 과업 수행 여부 등 사용자들이 제품이나 서비스를 통해서 진행하는 결과에 대한 성능 (Performance)에 주목하고 있어서 전반적인 사용자 경험을 중요시하는 현재 HCI 가 가야 할 방향과 현업의 필요와는 부합하지 않는다고 할 수 있다. 본 논문에서는 심층 인터뷰를 통해서 사용자에게 제품 경험에 있어서 중요한 요소를 찾아내고, 각 요소를 이용하여 제품에 대한 사용자의 전반적인 경험을 설문으로 물어본 후 구조방정식 모형분석을 통하여 각 경험 요소의 가중치를 도출하였다. 또한 이러한 가중치를 바탕으로 핸드폰, MP3 플레이어, LCD TV, 냉장고의 실제 제품 평가에 적용하여 사용자 경험을 바탕으로 한 제품 평가를 진행하였다. 또한 이러한 방법론을 한국뿐만 아니라 러시아, 독일, 인도의 사용자들에게도 같은 방식으로 진행하여 실증적으로 본 연구에서 개발된 방법론이 가능한지 여부를 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.261-261
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• 2016

플래시 메모리 (flash memory)는 DRAM(dynamic racdom access memory)이나 SRAM(static random access memory)에 비해 소자의 구조가 매우 단순하기 때문에 집적도가 높아서 기기의 소형화가 가능하다는 점과 제조비용이 낮다는 장점을 가지고 있다. 또한, 전원을 차단하면 정보가 사라지는 DRAM이나 SRAM과 달리 전원이 꺼지더라도 저장된 정보가 지워지지 않는다는 특징을 가지고 있어서 ROM(read only memory)과 정보의 입출력이 자유로운 RAM의 장점을 동시에 가지기 때문에 활용도가 크다. 또한, 속도가 빠르고 소비전력이 작아서 USB 드라이브, 디지털 TV, 디지털 캠코더, 디지털 카메라, 휴대전화, 개인용 휴대단말기, 게임기 및 MP3 플레이어 등에 널리 사용되고 있다. 특히, 낸드(NAND)형의 플래시 메모리는 고집적이 가능하며 하드디스크를 대체할 수 있어 고집적 음성이나 화상 등의 저장용으로 많이 쓰이며 일정량의 정보를 저장해두고 작업해야 하는 휴대형 기기에도 적합하며 가격도 노어(NOR)형에 비해 저렴하다는 장점을 가진다. 최근에는 smart watch, wearable device 등과 같은 차세대 디스플레이 소자에 대한 관심이 증가함에 따라 투명하고 유연한 메모리 소자에 대한 연구가 다양하게 진행되고 있으며 유리나 플라스틱과 같은 기판 위에서 투명한 플래시 메모리를 형성하는 기술에 대한 관심이 높아지고 있다. 전하트랩형 (charge trap type) 플래시 메모리는 플로팅 게이트형 플래시 메모리와는 다르게 정보를 절연막 층에 저장하므로 인접 셀간의 간섭이나 소자의 크기를 줄일 수 있기 때문에 투명하고 유연한 메모리 소자에 적용이 가능한 차세대 플래시 메모리로 기대되고 있다. 전하트랩형 플래시메모리는 정보를 저장하기 위하여 tunneling layer, trap layer, blocking layer의 3층으로 이루어진 게이트 절연막을 가진다. 전하트랩 플래시 메모리는 게이트 전압에 따라서 채널의 전자가 tunnel layer를 통해 trap layer에 주입되어 정보를 기억하게 되는데, trap layer에 주입된 전자가 다시 채널로 빠져나가는 charge loss 현상이 큰 문제점으로 지적된다. 따라서 tunnel layer의 막질향상을 위한 다양한 열처리 방법들이 제시되고 있으며, 기존의 CTA (conventional thermal annealing) 방식은 상대적으로 높은 온도와 긴 열처리 시간을 가지고, RTA (rapid thermal annealing) 방식은 매우 높은 열처리 온도를 필요로 하기 때문에 플라스틱, 유리와 같은 다양한 기판에 적용이 어렵다. 따라서 본 연구에서는 기존의 열처리 방식보다 에너지 전달 효율이 높고, 저온공정 및 열처리 시간을 단축시킬 수 있는 마이크로웨이브 열처리(microwave irradiation, MWI)를 도입하였다. Tunneling layer, trap layer, blocking layer를 가지는 MOS capacitor 구조의 전하트랩형 플래시 메모리를 제작하여 CTA, RTA, MWI 처리를 실시한 다음, 전기적 특성을 평가하였다. 그 결과, 마이크로웨이브 열처리를 실시한 메모리 소자는 CTA 처리한 소자와 거의 동등한 정도의 우수한 전기적인 특성을 나타내는 것을 확인하였다. 따라서, MWI를 이용하면 tunnel layer의 막질을 향상시킬 뿐만 아니라, thermal budget을 크게 줄일 수 있어 차세대 투명하고 유연한 메모리 소자 제작에 큰 기여를 할 것으로 예상한다.