• Radiation Oncology Journal
• /
• 제28권1호
• /
• pp.39-49
• /
• 2010

목 적: 좌측 유방의 방사선치료에 있어, 3 빔 또는 5 빔을 이용한 세기변조방사선치료(intensity modulated radiation therapy, IMRT)와 다중빔조사영역 치료기법(multistatic fields techniques, MSF) 사이의 선량학적 차이를 분석하고자 하였다. 대상 및 방법: 개선된 선량 균일성을 만들 수 있는 가능성을 지닌 두 종류의 방사선치료 기술을 서로 비교 분석하였다. 첫째, 다중빔조사영역치료로 주조사야와 소조사야를 동시에 사용하여 치료하였다. 둘째, 고정된 다엽 조준기를 사용하는 IMRT로, 3 빔 또는 5 빔을 이용하였다. 유방보존술 후 방사선치료를 받은 16명의 초기 좌측 유방암 환자들을 대상으로 방사선치료계획들을 세운 다음, 이들을 선량학적 측면에서 비교 분석하였다. 결 과: $V_{95}$와 선량균일지수의 평균값은, 이 세 치료 사이에 통계학적으로 유의한 차이가 없었다. 방사선처방선량의 110% 이상을 받는 극심한 열점은 세 치료 모두에서 관찰되지 않았다. 동측 폐와 심장의 피폭 선량측정인자들에 대한 Tukey 검정에서, 세기변조방사선치료가 다중빔조사영역치료에 비해 저선량 영역의 피폭 선량을 유의하게 증가시킨 반면, 오히려 고선량 영역에서는 다중빔조사영역치료가 방사선 피폭을 약간 증가시켰다. 결 론: 선량 균일성 개선을 위해, 통상적인 쐐기기법 대신, 세기변조방사선치료보다 쉽게 계획되고 실시 될 수 있는 다중빔조사영역치료의 적용은 초기 좌측 유방암의 방사선치료 기술로 적합하다고 생각한다.

• 한국산학기술학회논문지
• /
• 제16권1호
• /
• pp.1-7
• /
• 2015

일반적으로 유리온실의 거터는 빗물이나 결로를 온실 밖으로 배출시키는 역할을 하는 구조물이다. 본 논문에서는 기존 거터를 개량하여 질량을 줄이고 온실의 온도차이로 발생하는 결로를 많이 담을 수 있는 새로운 거터를 설계한다. 개발할 거터는 CATIA로 설계한 후 ANSYS 구조해석과 ADAMS/Durability를 이용하여 Hot Spot해석을 수행한 결과를 바탕으로 설계하였으며, 거터의 성능을 개선하기 위해 거터의 형상, 결로의 배수, 강도 등을 고려하였다. 그리고, 개발할 거터는 설치 방법이 쉬운 결로받이 일체형 거터이며, 기존 거터보다 질량이 약 16.9% 감소하였으며 내구성도 약 10% 상향되었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
• /
• pp.128-128
• /
• 2012

We investigated the atomic and electronic properties of graphene grown by Pd silicidation and intercalation using LEED, STM, and ARPES. Pd was deposited on the 6H-SiC(0001) surface at RT. The formation of Pd silicide gives rise to breaking of Si-C bonds of the SiC crystal, which enables to release C atoms at low temperature. The C atoms are transformed into graphene from $860^{\circ}C$ according to the LEED patterns as a function of annealing temperature. Even though the graphene spots were observed in the LEED pattern and the Fourier transformed STM images after annealing at $870^{\circ}C$, the topography images showed various superstructures so that graphene is covered with Pd silicide residue. After annealing at $950^{\circ}C$, monolayer graphene was revealed at the surface. The growth of graphene is not limited by surface obstacles such as steps and defects. In addition, we observed that six protrusions consisting of the honeycomb network of graphene has same intensity meaning non-broken AB-symmetry of graphene. The ARPES results in the vicinity of K point showed the non-doped linear ${\pi}$ band structure indicating monolayer graphene decoupled from the SiC substrate electronically. Note that the charge neutrality of graphene grown by Pd silicidation and intercalation was sustained regardless of annealing temperature in contrast with quasi-free- standing graphene induced by H and Au intercalation. Further annealing above $1,000^{\circ}C$ accelerates sublimation of the Pd silicide layer underneath graphene. This results in appearance of the $(6r3x6r3)R30^{\circ}$ structure and dissolution of the ${\pi}$ bands for quasi-free-standing graphene.