ZnO thin films on glass substrate were deposited by RF magnetron reactive sputter with various argodoxygen gas ratios and substrate temperatures. Crystallinities, surface morphologies, chemical compositions, and electrical properties of the films were investigated by XRD, SEM, XPS and electrometer(keith1ey 617). All films showed a strong prefered orientation along the c-axis on glass substrate, and the chemical stoichiometry was obtained at Ar/$O_2$=50/50. The propagation velocity of ZnO SAW filter was about 2, 590 dsec and insertion loss was a minimum value of about -21dB.
연구 목적은 조직원의 정보보안 관련 조직시민행동과 연관되는 인지과정의 영향관계를 검증하는 것이다. 연구방법은 개인의 전망차원(이익, 손실)과 조직의 목표지향성 차원(성취지향, 안정지향)의 교차설계를 실시하고, 정보보안인지요인은 분배공정성, 대처효능감, 자기효능감, 그리고 조직시민행동으로 구성하였다. 연구결과 전망차원은 대처효능감과 자기효능감에 유의미한 영향을 미치고 있었으며, 이익의 영향력이 손실보다 높은 것으로 나타났다. 목표지향성은 대처효능감과 자기효능감에 유의미한 영향을 미치고 있었으며, 성취지향의 영향력이 안전지향보다 높은 것으로 나타났다. 정보보안 요인간의 관계를 설명한 연구모형은 분배공정성, 대처효능감, 조직시민행동간의 부분매개모형으로 검증되었다. 연구의 시사점은 개인 의사결정 요인과 조직 문화 요인을 복합적으로 고려하여 정보보안 전략 수립을 하는 것이 필요함을 제시한다.
Arc ion plating (AIP), laser cladding, and nitriding are methods that can prevent mold damage or repair and create cracks and breakages on the die surface. The dissolution and soldering behavior of coated SKD61 by using arc ion plating, laser cladding, and nitriding was investigated. The structure of the coating was investigated as a function of deposition conditions by X-ray diffraction and the crystallographic orientation was determined using the texture factor. The TiAlN film deposited with AIP showed excellent corrosion resistance in the molten aluminum alloy at 680℃. In this paper, we have detailed the corrosion and mass loss phenomena associated with these steel-cast metal interactions.
본 연구의 목적은 정보 보안 제재성, 위협 인식, 분위기 인식이 준수 행동 의도성에 미치는 효과를 이해하는 것이다. 연구 방법은 전망 관점과 목표 지향 관점의 교차설계로 구조화되었고, 정보 보안 과정은 정보 보안 제재성, 위협 인식, 분위기 인식, 준수 행동 의도성의 네 가지 변수로 측정되었다. 연구 진행은 전망 관점과 목표 지향 관점을 측정 후, 네 가지 변인을 측정하는 과정으로 구성되어 있다. 연구 결과, 전망 관점은 분위기 인식에 유의미한 영향을 미치고 있었으며, 이득 조건의 영향력이 손해 조건보다 더 큰 것으로 나타났다. 목표 지향 관점은 정보 보안 제재성, 위협 인식, 준수 행동 의도성에 유의미한 영향을 미치고 있었으며, 성장 조건의 영향력이 안정 조건보다 더 큰 것으로 나타났다. 전망 관점과 목표 지향 관점은 준수 행동 의도성에 대하여 상호작용 효과가 발생하였다. 결과적으로 도출한 연구 모형은 측정변인으로 구조화된 복합 매개모형으로 탐색되었다. 아울러, 논의점은 이러한 결과를 기반으로 정보 보안에 적합한 시사점을 포함하고 있다.
In order to investigate the effect of irradiation by $^{60}Co-\gamma$rays as well as the e thermal treatment on the dielectric deterioration in ethylene propylene rubber, insulating material for electric cables used in atomic power plants, charging discharging current, residual built- up voltage and dielectric properties are measu discussed in this study. Variance in the characteristic of relative dielectric constant as a function of tem was observed in relatively high dose of irradiation. Since glass transition tem appeared at tens of degree Celsius below zero, the characteristic is attributed orientation polarization. Dielectric loss is generally increased, with increasing d irradiation in the characteristic of dielectric loss as a function of temperature, No d loss by thermal treatment was observed. Dielectric resistance decreases with increa of irradiation in the characteristic of charging current as a function of temperature be considered that dielectric resistance seems to be recovered by thermal treatm characteristic of discharging current as a function of time in the specimen less ir become similar to that of the unirradiated, when thermal treated. A peak is shown residual built- up voltage as a function of time, and the corresponding time of the shorten as increasing dose of irradiation. It is also observed that the corresponding the peak is lengthened by thermal treatment.
본 논문은 균일한 도심지역에서의 CDMA 시스템의 상향링크에 대하여 송신전력, 간섭전력 및 블로킹 확률 등을 최소화하는데 기지국 배치에 따라 결정되는 셀 모양의 효과를 분석하기 위하여 시스템 수준의 모의실험이 이루어진다. 도심 마이크로 셀에서 기지국에 대한 경로 손실은 단말이 위치한 거리의 방향성에 영향을 받는다. 단말로부터 기준 기지국에 대한 간섭은 2차 Tier까지 고려된다. 간섭 계산의 정확성에 대한 손실 없이 계산 복잡도를 줄이기 위한 방법으로Wrap around method가 사용된다. 모의실험 결과는 송신전력, 간섭전력 및 블로킹 확률 등이 효율적인 기지국 배치에 따른 셀의 모양에 따라 줄어들 수 있음을 보여준다.
We could obtan c-axis oriented $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films on usual Pt(111)/Ti/$SiO_2$/Si(100) substrate using a r. f. magnetron sputtering technique. According to the increase of sputtering pressure from 250 to 300 mTorr the Bi content and degree of the c-a xis preferred orientation of $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films were increased. By controlling Bi(or $Bi_2O_3$) loss from $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films during post annealing and by inserting $Bi_2O_3$ layer in $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films the effect of Bi content on the c-axis oriented growth of $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films could be investigated without the effect of sputtering pressure. The degree of the c-axis preferred orientation of $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films was increased with increasing with increasing Bi content by control of Bi(or $Bi_2O_3$) loss of $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films. But the c-axis oriented growth of $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films disappeared by the inserting of $Bi_2O_3$ lay-er in $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films.
The ($Sr_{1-x}Ca_x)TiO_3$(SCT) thin films are deposited on Pt-coated electrode($Pt/TiN/SiO_2/Si$) using RF sputtering method with substitutional contents of Ca. The maximum grain of thin films is obtained by substitution of Ca at 15[mol%]. All SCT thin films had (111) preferred orientation. The dielectric constant was increased with increasing the substitutional contents of Ca, while it was decreased if the substitutional contents of Ca exceeded over 15[mol%]. The dielectric constant changes almost linearly in temperature ranges of -80~+90[$^{\circ}C$]. The temperature properties of the dielectric loss have a stable value within 0.02 independent of the substitutional contents of Ca. All SCT thin films used in this study show the phenomena of dielectric relaxation with the increase of frequency, and the relaxation frequency is observed above 200[kHz].
The 2 GHz film bulk acoustic wave resonator(FBAR), one of the most necessary device of the next generation mobile communication system, consisted of solidly mounted resonator(SMR) structure using Brags reflector, was researched in this paper The FBAR applied SiO$_{2}$ and W had large difference of the acoustic impedance to reflector Al to electrode and ZnO to piezoelectric layer. Specially, the FBAR applied the two-step deposition method to improve the c-axis orientation and increase reproducibility of the fabrication device had good performance. The electrical properties of plasma such as impedance, resistance, reactance, $V_{pp},\;I{pp}$, VSWR and phase difference of voltage and current, was analyzed and measured by RF sensor with the variable experiment process factors such as gas ratio, RF power and base vacuum level about concerning the thickness, c-axis orientation, adhesion and roughness. The FBAR device about the optimum condition resulted reflection loss(S$_{11}$) of -17 dB, resonance frequency of 1.93 GHz, electric-mechanical coefficient(k$_{eff}$) of 2.38 $\%$ and Qualify factor of 580. It was seen better qualify than the common dielectric filter at present and expected on business to the filter device of 2 GHz bandwidth with the MMIC technology.
본 연구에서는 조립될 부품사이의 위치 오차를 극복하여, 로봇에 의한 정밀부 품의 자동조립을 가능하게 하는 조립알고리즘을 제시하였다. 제안된 조립알고리즘은 임의로 파지된 자세를 인식하여 조립될 축과 구멍의 중심선을 일치시키는 알고리즘과 복합위치 및 힘제어(hybrid position/force control)를 적용하여 위치오차를 극복하여 주는 구멍검색 알고리즘으로 구성하였으며, 로봇을 이용한 자동조립에 제안된 알고리 즘을 적용한 실험 결과를 보였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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