• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2001년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1375-1377
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• 2001

This paper describes the fabrication and characteristics of CrN thin-film type pessure sensors, in which the sensing elements were deposited on SUS. 630 diaphragm by DC reactive magnetron sputtering in an argon-nitride atmosphere(Ar-(10%) $N_2$). The optimized condition of CrN thin-film sensing elements was thickness range of 3500$\AA$ and annealing condition($300^{\circ}C$, 3 hr) in Ar-10 %$N_2$ deposition atmosphere. Under optimum conditions, the CrN thin-films for strain gauges is obtained a high resistivity, $\rho$=1147.65 ${\mu}{\Omega}$cm, a low temperature coefficient of resistance, TCR=-186 ppm/$^{\circ}C$ and a high temporal stability with a good longitudinal, 11.17. The output sensitivity of fabricated CrN thin-film type pressure sensors is 2.36 mV/V, 4$\sim$20 mA and the maximum non-linearity is 0.4 %FS and hysteresis is less than 0.2 %FS..

• 한국마린엔지니어링학회:학술대회논문집
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• 한국마린엔지니어링학회 2002년도 춘계학술대회논문집
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• pp.13-22
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• 2002

This paper presents characteristics of CrOx thin-film Strain gauge pressure sensors, which were deposited on SUS630 diaphragm by DC reactive magnetron sputtering in an argon-Oxide atmosphere(Ar-(10%)$O_2$). The optimized condition of CrOx thin-film strain gauges were thicknessrange of 2500$\AA$ and annealing condition ($350^{\circ}C$, 3 hr) in Ar-10 %$O_2$deposition atmosphere. Under optimum conditions, the CrOx thin-films for strain gauge is obtained a high resistivity, $\rho$=156.7$\mu$$\Omega$cm, a low temperature coefficiect of resistance, TCR=-86 ppm/$^{\circ}C$ and a high temporal stability with a good longitudinal, 15. The output sensitivity of pressure sensor obtained is 2.46㎷/V and the maximum non-linearity is 0.3%FS and hysteresis is less than 0.2%FS. The output characteristics of pressure transmitter obtained is 4~20㎃ and total accuracy is less than $\pm$0.5%FS. In those conclusions, CrOx thin film pressure sensors is quite satisfactory for many applications in industrial electronics.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
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• pp.97-100
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• 2001

This paper presents the characteristics of Ta-N thin-film strain gauges as high-temperature strain gauges, which were deposited on Si substrate by DC reactive magnetron sputtering in an argon-nitrogen atmosphere(Ar-(4~16%)$N_2$). These films were annealed for 1 hour in $2{\times}10^{-6}$ Torr vaccum furnace range $500\sim1000^{\circ}C$. The optimized conditions of Ta-N thin-film strain gauges were annealing condition($900^{\circ}C$, 1 hr.) in 8% $N_2$ gas flow ratio deposition atmosphere. Under optimum conditions, the Ta-N thin-films for strain gauges is obtained a high resistivity, $\rho=768.93$ ${\mu}{\Omega}cm$, a low temperature coefficient of resistance, TCR=-84 ppm/$^{\circ}C$ and a high temporal stability with a good longitudinal gauge factor, GF=4.12.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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• pp.573-576
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• 2000

The physical, electrical and piezoresitive characteristics of CrN(chromium nitride) thin-films on silicon substrates have been investigated for use as strain gauges. The thin-film depositions have been carried out by DC reactive magnetron sputtering in an argon-nitrogen atmosphere(Ar-(5∼25 %)Na$_2$). The deposited CrN thin-films with thickness of 3577${\AA}$ and annealing conditions(300$^{\circ}C$, 48 hr) in Ar-10 % N$_2$deposition atmosphere have been selected as the ideal piezoresistive material for the strain gauges. Under optimum conditions, the CrN thin-films for the strain gauges is obtained a high electrical resistivity, $\rho$=1147.65 ${\mu}$$\Omega$cm, a low temperature coefficient of resistance, TCR=-186 ppm/$^{\circ}C$ and a high temporal stability with a good longitudinal gauge factor, GF=11.17.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.376-377
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• 2006

This paper presents the characteristics of Ta-N thin film strain gauges that are suitable for harsh environemts, which were deposited on thermally oxidized Si substrates by DC reactive magnetronsputtering in an argon-nitrogen atmosphere (Ar-$N_2$ (4 ~ 16 %)). These films were annealed for 1 hr in $2{\times}10^{-6}$ Torr in a vacuum furnace with temperatures that ranged from 500 - $1000^{\circ}C$. The optimized deposition and annealing conditions of the Ta-N thin film strain gauges were determined using 8 % $N_2$ gas flow ratio and annealing at $900^{\circ}C$ for 1 hr. Under optimum formation conditions, the Ta-N thin film strain gauges obtained a high electrical resistivity, ${\rho}\;=\;768.93\;{\mu}{\Omega}{\cdot}cm$, a low temperature coefficient of resistance, $TCR\;=\;-84\;ppm/^{\circ}C$ and a high temporal stability with a good longitudinal gauge factor, GF=4.12. The fabricated Ta-N thin film strain gauges are expected to be used inmicromachined pressure sensors and load cells that are operable under harsh environments.

• 한국터널지하공간학회 논문집
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• 제11권4호
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• pp.373-385
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• 2009

이전 연구를 통하여 터널 굴진에 따른 터널 막장의 붕괴 위험에 대한 잠재 수준을 정량적으로 평가하기 위한 툴인 KTH-index(KICT Tunnel Collapse Hazard index) 지수화된 위험도 수준 표현 툴을 개발한바 있으며, 이는 다수의 시공현장에 성공적으로 적용되어 왔다. 본 연구에서는 제안된 터널 위험도 지수를 기반으로 수행된 터널 설계안의 전 종단구간에 대해 정량적인 위험도 수준을 시뮬레이션 하는 새로운 설계안 적정성 평가 방법을 제안하였다. 본 KTH-index 기반 시뮬레이션에서 가장 중요한 것은 시뮬레이션을 위한 입력항목의 결정이며, 대부분의 설계안 관련 항목과 시공관련 항목은 직접적으로 설계안으로부터 결정될 수 있으나, 불명확한 지반조건은 설계 당시 때 수행된 시추조사와 전기비저항 탐사를 기초로 준비된다. 이때, 낙관적 시나리오와 비관적 시나리오에 기반한 터널 종단 지반조건 시나리오가 설정되었다. 이러한 위험도 시뮬레이션을 통해서, 시뮬레이션 대상 설계안에 대한 위험도 수준을 사전에 파악할 수 있었으며, 사전에 파악된 요 주의구간은 시공단계와 연결시켜 시공 중 계측이나 막장관찰 시에 요긴하게 활용될 수 있는 정보를 제공할 수 있음을 확인하였다.

• 대한토목학회논문집
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• 제28권4C호
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• pp.231-238
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• 2008

본 연구에서는 오염용질의 이동특성을 분석하기 위한 측정방법으로서 전기저항센서를 부착한 주상실험기를 개발하였으며 3가지의 포화사질토에 비반응성 추적자를 주입하여 그 적용성을 평가하였다. 측정된 전기저항 값을 바탕으로 전기전도도 파과곡선을 얻었으며, 추정된 농도자료를 이류-확산 방정식에 대입하여 수리분산계수를 산정하였다. 유출수 파과곡선에서 추정된 평균간극유속과 종분산계수를 바탕으로 전기전도도 파과곡선의 신뢰성을 평가해본 결과 전제된 ${\sigma}_{sat}-{\sigma}_w-C$(흙의 전기전도도-간극수의 전기전도도-간극수 내 용질의 농도) 사이의 선형 조건이 성립할 시 측정된 전기저항치는 흙 매질내 간극수 용질의 상대농도를 간접적으로 추정할 수 있는 인자임을 확인하였다. 전기전도도 파과곡선은 실제농도(resident concentration)의 시간적 변화를 나타낼 수 있는 만큼 시간연속적인 전기저항 측정은 많은 시간과 노력이 요구되는 용출수 샘플링과 분석을 효과적으로 대체할 수 있을 것으로 판단되었다. 불확실성을 줄이기 위해 저항측정위치와 주입되는 용액과 포화간극수와의 전기적 차이가 고려되어야함을 확인하였다.