• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제10권2호
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• pp.13-17
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• 2003

본 연구에서는 $ZnWO_4-LiF$계를 이용하여 RF모듈 구현을 위한 새로운 조성의 LTCC 소재를 개발하고자 하였다. 순수 $ZnWO_4$의 경우 98% 이상의 상대밀도를 얻기 위해서는 $1050^{\circ}C$이상의 소결온도가 필요하였고 소결체의 고주파유전특성은 유전율($\epsilon_r$) 15.5, 품질계수($Q{\times}f0$) 74000 GHz, 공진주파수 온도계수$(\tau_f)-70ppm/^{\circ}C$이었다. $ZnWO_4$에 LiF의 첨가는 상호 반응에 의해 $810^{\circ}C$ 부근에서 액상을 형성하였고 따라서 0.5에서 1.5 wt%의 LiF의 첨가로 $ZnWO_4$를 $820^{\circ}C$에서 치밀화를 얻을 수 있었다. 주어진 LiF의 첨가범위에서 소결 수축률은 LiF 량의 증가와 함께 증가하였다. LiF의 첨가는 LiF 자체의 낮은 유전율에 의해 유전율을 15.5에서 14.2∼15의 범위로 감소시켰으며 품질계수($Q{\times}f0$)도 LiF와 $ZnWO_4$의 반응 및 미세구조의 불균일화로 LiF의 첨가량의 증가와 함께 낮아지는 경향을 보였다.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제2권4호
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• pp.269-272
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• 1970

순도 99.98%의 LiF 분말에서 열형광을 검출하였으며 이 때 glow curve의 Peak는 12$0^{\circ}C$, 22$0^{\circ}C$ 및 30$0^{\circ}C$에 있다. 이 LiF 분말에 중량비로 2%(mol 비로 4%)의 MgC1$_2$를 첨가하여 소결시킨 LiF 분말은 비약적으로 강한 열형광을 발휘하였으며 그 flow curve의 특성이 상세하게 조사되었다. 열형광선량계로서 이용되고 있는 LiF는 Mg, Mn 등의 불순물에 의한 전자 trap을 가지고 있는 것이 알려져 있으며 이 실험결과는 이들 불순물중의 하나인 Mg가 확실히 LiF의 결정내에 확신된 것을 시사한다. 소결시간의 효과를 glow curve에서 명확하게 검출하였고 또한 원료인 MgC1$_2$도 열형광을 발휘한다는 것이 이 glow curve를 얻음으로써 확인되었다.

• Mass Spectrometry Letters
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• 제1권1호
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• pp.9-12
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• 2010

Trimethylboroxine (TMB) is a six-membered ring compound containing Lewis acidic boron and Lewis basic oxygen atoms that can bind halide anion and alkali metal cation, respectively. We employed Fourier transform ion cyclotron resonance spectroscopy to study the gas-phase binding of $LiBrLi^+$ and $F^-(KF)_2$ to TMB. TMB forms association complexes with both $LiBrLi^+$ and $F^-(KF)_2$ at room temperature, providing direct evidence for the ditopic binding. Interestingly, the $TMB{\cdot}F^-(KF)_2$ anion complex is formed 33 times faster than the $TMB{\cdot}Li^+BrLi$ cation complex. To gain insight into the ditopic binding of an ion pair, we examined the structures and energetics of $TMB{\cdot}Li^+$, $TMB{\cdot}F^-$, $TMB{\cdot}LiF$ (the contact ion pair), and $Li^+{\cdot}TMB{\cdot}F^-$ (the separated ion pair) using Hartree-Fock and density functional theory. Theory suggests that $F^-$ binds more strongly to TMB than $Li^+$ and the contact ion-pair binding ($TMB{\cdot}LiF$) is more stable than the separated ion-pair binding ($Li^+{\cdot}TMB{\cdot}F^-$).

• 분석과학
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• 제13권6호
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• pp.759-765
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• 2000

전해제련법을 이용하여 $LiF-BeF_2-ZrF_4$ (67-27-6 mol%) 용융염에서 Zr 금속 분리실험을 수행하였다. $LiF-BeF_2$ (72-28 mol%) 용융염과 $LiF-BeF_2-ZrF_4$ (67-27-6 mol%) 용융염의 분해 전압은 각각 -1.55, -1.35 volt로 측정되었고, Zr 분리실험 결과 인가전압 범위는 -1.4 -1.5 volt 사이가 적당하였다. 인가전류가 증가할수록 전착량은 증가하나 전류효율은 감소하였다. 그리고 반응온도가 증가할수록 $ZrF_4$의 기화로 인하여 전착량과 전류효율이 감소하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제23권9호
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• pp.696-700
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• 2010

We fabricated red and blue organic light emitting display (OLEDs) which had the two kinds of multi-structure of ITO/HIL/HTL/EML/ETL/LiF/Al and ITO/HIL/HTL/EML/ETL/LiF/Al/LiF. In the case of red OLED that had LiF/Al/LiF structure compared to LiF/Al structure, the current density increased from 4.3 mA/$cm^2$ to 7.3 mA/$cm^2$, and the brightness increased from 488 cd/$m^2$ to 1,023 cd/$m^2$ at 7.0 V, and as a result the current efficiency was improved from 11.28 cd/A to 13.95 cd/A. Also in the case of blue OLED that had LiF on Al cathode layer, the current density increased from 1.2 mA/$cm^2$ to 1.8 mA/$cm^2$, and the brightness increased from 45 cd/$m^2$ to 85 cd/$m^2$ at 7.0 V, and as a result the current efficiency was improved from 3.69 cd/A to 4.82 cd/A. Through these experimental results it could be suggested that the LiF layer formed on Al prevents the oxidation of Al surface, and the electrode resistance become low with increase of supplied electrons, therefore the brightness and the efficiency are improved from the influence to the well-balanced bonding of electron and hole at emitting layer.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제7권3호
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• pp.191-198
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• 1975

혼합 방사선장에서 LiF 열형광 선량계에 의한 중성자 선량측정법에 고나해 연구하였다. 혼합 방사선장에서 중성자선량을 선택적으로 측정하고 평가하기 위해서 $^{6}$LiF 와 $^{7}$LiF 선량계를 속중성자 선량과 열중성자 선량측정에 이용하였다. 개인 방사선 피폭 선량측정에 사용키 위한 보정상수를 유도하였고 중성자와 감마선 선량측정을 위한 그로우곡선을 분석하였다.

• 한국방사성폐기물학회:학술대회논문집
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• 한국방사성폐기물학회 2003년도 가을 학술논문집
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• pp.426-430
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• 2003

장수명핵종 소멸처리를 위한 건식분리공정에서 핵분열성물질인 우라늄을 장수명핵종과 분리할 필요가 있다. 본 실험은 $LiF-BeF_2$ 용융염에서 전해제련에 의한 우라늄 금속을 분리하기 위하여 분해전압 측정하였고, 인가전압에 따른 전해특성 파악 및 반응속도를 측정하였다. 측정결과 $500^{\circ}C$에서 $UF_4$와 $LiF-BeF_2$의 분해전압은 각각 -1.4volt와 -1.55volt이었다 우라늄의 전착속도는 우라늄 농도가 높을수록 증가하였다.

• 분석과학
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• 제13권6호
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• pp.712-721
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• 2000

$LiF-BeF_2-ZrF_4$(63-30-7 mol%) 용융염은 상온에서 증류수 1ml당 최고 0.02g까지 용해율 99.9%로 용해되었다. 그리고 $ZrF_4$를 열가수분해시켜 제조된 $ZrO_2$ 산화물을 포함하는 $LiF-BeF_2-ZrF_4$ 용융염에서 $ZrO_2$ 산화물을 증류수로 침출시켜 회수하였다. 회수된 $ZrO_2$ 산화물의 결정모양은 손상되지 않았다.

• 한국세라믹학회지
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• 제37권6호
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• pp.552-558
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• 2000

LiMn2O4 thin fiolm cathodes for Li-ion secondary battery were fabricated by r.f. magnetron sputtering technique. As-deposited films were amorphous. A spinel structure could not be obtained LiMn2O4 films by in-situ thermal annealing. After post thermal annealing over $700^{\circ}C$ in oxygen atmosphere, LiMn2O4 films prepared above 100 W r.f. power could be crystallized into a spinel structure. The electrochemical property of the LiMn2O4 film cathodes was tested in a Li/1 M LiClO4 in PC/LiMn2O4 cell. From cyclic voltammetry at scan rate of 2mV/sec of 2.5~4.5V, LiMn2O4 electrode prepared by post annealing at 75$0^{\circ}C$ showed good initial capacity. LiMn2O4 electrode prepared by post annealing at 80$0^{\circ}C$ showed the best crycling performance.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.147-147
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• 2015

The multilayer structure of the organic light emitting diode has merits of improving interfacial characteristics and helping carriers inject into emission layer and transport easier. There are many reports to control hole injection from anode electrode by using transition metal oxide as an anode buffer layer, such as V2O5, MoO3, NiO, and Fe3O4. In this study, we apply thin films of LiF which is usually inserted as a thin buffer layer between electron transport layer(ETL) and cathode, as an anode buffer layer to reduce the hole injection barrier height from ITO. The thickness of LiF as an anode buffer layer is tested from 0 nm to 1.0 nm. As shown in the figure 1 and 2, the luminous efficiency versus current density is improved by LiF anode buffer layer, and the threshold voltage is reduced when LiF buffer layer is increased up to 0.6 nm then the device does not work when LiF thickness is close to 1.0 nm As a result, we can confirm that the thin layer of LiF, about 0.6 nm, as an anode buffer reduces the hole injection barrier height from ITO, and this results the improved luminous efficiency. This study shows that LiF can be used as an anode buffer layer for improved hole injection as well as cathode buffer layer.