본 논문에서는 VTCMOS(Variable-Threshold CMOS) 기법을 이용하는 초저전압 구동 논리 회로의 누설 전류 억제를 위한 기판 전압 발생회로를 제안한다. 제안하는 기판 전압 발생회로는 VSS 발생회로와 VBB 발생회로로 구성되어 있다. VSS 발생회로는 네거티브 전압을 발생시켜 VBB 발생회로에 공급하며, nB 발생회로는 공급받은 네거티브 전압을 이용하여 또 다른 네거티브 전압을 발생시킨다. 제안하는 회로의 동작을 검증하기 위해서 0.18um 1Poly-6Metal CMOS 공정을 사용하여 회로를 구현하였으며, 측정 결과 -0.95V의 기판 전압을 얻을 수 있었다. 제안한 기판 전압 발생회로를 이용함으로써, 0.5V의 전원 전압에서 동작하는 논리 회로의 누설 전류 성분을 효과적으로 줄일 수 있다.
Analog film/screen systems have been being changed to a digital x-ray imaging device using direct conversion materials. Photocoductors for a direct detection flat-panel imager require high x-ray absorption, ionization and charge collection, low leakage current and large area deposition. In this work, $HgI_2$ films with excellent properties for x-ray detector were deposited by screen printing method. The thickness of $HgI_2$ film was about $150\;{\mu}m$. The passivation layer is fabricated using a-Se and parlyene, the both fabrication $HgI_2$ film were compared for analyzing the leakage current reduction. We measured electrical properties-leakage current, photosensitivity, SNR though I-V measurement, As the result, $HgI_2$ film using a-Se passivation layer had the greater
본 논문에서는 UHF RFID 응용을 위한 새로운 NMOS 게이트 교차연결 전류미러형 브리지 정류기를 제시하였다. 제시된 정류기의 직류 변환 특성은 고주파 등가회로를 이용하여 해석하였으며, 주파수 증가에 따른 게이트 누설전류를 회로적인 방법으로 줄일 수 있는 게이트 커패시턴스 감소 기법을 이론적으로 제시하였다. 구해진 결과, 제안한 정류기는 기존의 게이트 교차 연결형 정류기와 거의 같은 직류 출력전압 특성을 보이면서도, 게이트 누설전류가 1/4 이하로 감소하고, 부하저항에서의 소비전력도 30% 이상 감소하며, 부하저항의 변화에 대해 보다 안정적인 직류전압을 공급함을 알 수 있었다. 또한 제안한 정류기는 13.56MHz의 HF(for ISO 18000-3)부터 915MHz의 UHF(for ISO 18000-6) 및 2.45GHz의 마이크로파 대역 (for ISO 18000-4)까지의 전 주파수 범위에 대해 충분히 높고 잘 정류된 직류 변환 특성을 보여 특정 주파수 대역을 사용하는 다양한 RFID 시스템의 트랜스폰더 칩 구동을 위한 범용 정류기로 사용될 수 있다.
본 논문은 동기회로에서 누설 전류를 줄이기 위해서 사용되는 파워 스위치 구조를 결합한 새로운 구조의 저전력 비동기 회로 설계 방법을 제안하고자 한다. Static 방식, Semi-static 방식과 같은 기존의 지연 무관방식의 비동기 방식과 비교해서 다소 속도의 손해는 있지만, 파워 스위치에 의해서 데이터가 없는 상태에서는 누설 전력을 줄일 수 있고, 전체 사이즈가 작아짐으로써 데이터가 입력되는 순간의 스위칭 전력도 줄일 수 있는 장점이 있다. 따라서, 제안된 방법은 속도보다 저전력을 기본으로 하는 사물인터넷 시스템에서 요구되는 전전력 설계 방법이 될 것이다. 본 논문에서는 새로운 방식의 비동기 회로를 사용하여 $4{\times}4$곱셈기를 0.11um 공정으로 설계하고, 기존의 비동기 방식의 곱셈기와 스피드, 누설 전류, 스위칭 파워, 회로 크기 등을 비교하였다.
DRAM(Dynamic Random Access Memory) 스케일링 과정에서 발생하는 셀간 거리의 감소에 따라 STI(Shallow Trench Isolation)두께 감소는 문턱이하 누설이 증가되는 패싱워드라인 효과를 유발한다. 인접한 패싱워드라인에 인가된 전압으로 인한 문턱이하누설 전류의 증가는 데이터 보존시간에 영향을 주며, 리프레시의 동작 횟수가 증가되어 DRAM의 소비 전력을 증가시키는 요인이 된다. 본 논문에서는 TCAD Simulation을 통해 패싱워드라인 효과에 대한 원인을 확인한다. 결과적으로, 패싱워드라인 효과가 발생하는 DRAM 동작상황을 확인하고, 이때 패싱워드라인 효과로 인해 전체 누설전류의 원인에 따른 비중이 달라지는 것을 확인하였다. 이를 통해, GIDL(Gate Induced Drain Leakage)에 의한 누설전류뿐만 아니라 문턱이하 누설전류를 고려의 필요성을 확인하며 이에 따른 DRAM 구조의 개선 방향의 지침이 될 수 있다.
Nowdays the apartment is a main type of modernized residential buildings. According to the improvement of construction techniques and functions of windows and doors, recent apartments are enhanced air tightness of windows, doors and building envelopes. As Infiltration is decreased and natural ventilation is reduced, energy could be saved in winter. However, indoor air quality is bad. The air Infiltration of a building could be enlarged by physical actions, such as building designs, constructions and reduction of air tightness which is caused by aging. This research analyzes and measures with KNS-4000P (Sapporo air tightness measurement) the air tightness of the high rise apartments which is recently constructed and not occupied yet. With depressurization method, the KNS-4000 installed on the window and the indoor air-leakage was measured. At that time, Air come out from the edge of the windows and doors because of the pressure differences between indoor and outdoor. We measure the amount of the air as effective air leakage areas. This method of depressurization takes less time to measure than other methods and is less affected from other conditions. We measured infiltration of total 56 household, 29 households S apartment (total floor area : $64.42m^2$) in Balan and 29 households D apartment(total floor area : $78.21m^2$) in Chonan. As a result of the field measurements at October 2003, normalized leakage area of D apartment in Cheonan was $2.05cm^2/m^2{\sim}3.49cm^2/m^2$ (average: $2.77cm^2/m^2$) and normalized leakage area of S apartment in Balan is $1.23cm^2/m^2{\sim}1.68cm^2/m^2$ (average: $1.5cm^2/m^2$).
Among the energy consumption in building, the heating energy takes the largest part. Therefore, it is important to minimize the heat energy loss in building for the reduction of overall energy use in construction. The most important points for the minimization of energy loss in building are insulation and airtightness. Especially, in wood houses, airtightness is very important for energy saving as well as increase of durability. However, the researches on airtightness of wood buildings have been started recently and are very deficient especially in Korea. In this study, air leakage properties and airtightness performance were evaluated for light-frame wood houses built in Daejeon and Chungnam area. Total 7 houses were evaluated, among which four houses (Case 1 to Case 4) were in the construction stage before interior finish and the other three houses (Case 5 to Case 7) were after completion of construction work. The tests for airtightness were conducted by pressurization-depressurization method, and the factors included in the measurements includes air leakage rate at 50 Pa (CMH50), air change rate at 50 Pa (ACH50), equivalent leakage area (EqLA) and EqLA per floor area. As a result of this study, key air leakage points in wood houses were found to be the gaps between floor and wall, the holes for wiring and plumbing, the double glasses windows and the entrance doors. The average value of ACH50 for the houses after completion of construction work was $3.5h^{-1}$ that was similar to Europe standard ($3.0h^{-1}$). ACH50 was proportional to EqLA per floor area but inversely proportional to the internal volume, the net floor area and the area of window.
본 연구의 목적은 고유동 콘크리트의 활용범위를 증진시키기 위하여 거푸집 정밀도 부족에 따른 고유동 콘크리트의 누출을 방지 혹은 저감하는 것이다. 일반강도 콘크리트에 고유동성이 부여되는 경우 거푸집의 정밀도가 낮으면 거푸집 틈새로 콘크리트 누출이 우려되는바 일반적인 현장에서 유동성이 높은 일반강도 콘크리트의 적용에 지장이 있다. 이에 본 연구는 이전 연구결과에서 얻어진 PVA와 붕사를 사용한 고요변성 부여하는 방법을 이용하여 고유동 콘크리트에 요변성을 부여하여 거푸집의 누출을 저감하고자 연구를 수행하였다. 연구결과를 통해 PVA와 붕사가 고유동 모르타르 조건에서 거푸집 누출 저감에 기여한다는 것을 증명하였다. 이를 통해 고유동 콘크리트의 거푸집 누출량 저감 연구의 시작점이 될 것으로 기대한다.
국내의 흙댐 중에서 댐코아에 함몰 및 누수가 발생한 사례가 있었는데 콤팩션그라우팅에 의하여 댐코아의 손상부위를 복원하였다. 본 연구에서는 콤팩션그라우팅에 의한 복원공사전 공사중 및 공사후에 실내 및 현장시험을 통하여 콤팩션그라우팅 효과를 평가하였다. 콤팩션그라우팅공사와 더불어 정밀한 현장조사 및 지구물리탐사를 진행하였다. 콤팩션그라우팅공사는 2000년 6월 16일부터 8월 24일까지 수행되었다. 콤팩션그라우팅공사에 의한 댐복원후에 댐코아의 누수가 감소되었다. 콤팩션그라우팅공사가 손상된 댐을 복원하는데 효과가 큰 것으로 평가되었다. 콤팩션그라우팅공법의 적용에 의하여 댐코아의 느슨하고 공간이 있는 부분을 채우게 되었고 그라우팅 처리전에 비하여 누수량이 약 96% 정도 격감되었다.
본 연구에서는 AlGaN/GaN HEMT (High electron mobility transistor)를 제작하고 20 mTorr의 챔버 압력과 15 sccm의 ${N_2}O$ 유량, 40 W의 RF 전력의 조건으로 원거리에서 형성된 플라즈마로 소스와 드레인 영역을 10초${\sim}$120초 동안 처리하여 HEMT의 전기적 특성을 관찰하였다. 상온에서 ${N_2}O$ 플라즈마에 처리한 경우 HEMT의 특성이 변화하지 않았으나 $200^{\circ}C$의 온도에서 10초 동안 처리한 경우 게이트 길이가 1um, 소스와 드레인 사이의 거리가 4um인 HEMT의 게이트 누설전류가 246 nA로부터 1.2 pA로 크게 감소하였다. 또한 25 um 떨어진 200um 폭의 두 활성층 사이 누설전류가 3 uA로부터 7 nA로 감소하였으며 720 ${\Omega}/{\box}$의 활성층의 면저항을 608 ${\Omega}/{\box}$로 감소시켜 도전율의 증가를 나타내기도 하였다. ${N_2}O$ 플라즈마의 처리에 의한 전기적 특성 개선은 10초 이내의 짧은 시간 동안 이루어지며 더 이상의 처리는 누설전류 특성 개선에 도움이 되지 않았다. 또한 ${N_2}O$ 플라즈마 처리로 개선된 특성은 $SiO_2$의 증착과 식각 후에도 개선된 특성이 유지되었다. ${N_2}O$ 플라즈마의 처리는 트랜지스터의 트랜스컨덕턴스와 드레인 전류의 증가, 드레인 전류의 차단특성의 개선에도 기여하여 고품위의 AlGaN/GaN HEMT 제작에 효과적으로 이용될 수 있음이 확인되었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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