• Title/Summary/Keyword: LTPS TFT

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Pixel Circuit with High Immunity to the Degradation of TFTs and OLED for AMOLED Displays

  • Lin, Chih-Lung;Tu, Chun-Da
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 2008.10a
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    • pp.473-476
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    • 2008
  • A simple voltage compensation pixel circuit for AMOLED is produced using low temperature polycrystalline silicon (LTPS) technology. Its operation is verified by AIM-SPICE. Simulation results show that the pixel circuit has high immunity to variation of LTPS-TFT and reduces the drop in luminance due to the degradation of the OLED.

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비정질 실리콘 박막의 주울 가열 유도 결정화 공정 중 발생하는 Arc-Instability 기구 규명 및 방지책

  • Hong, Won-Ui;No, Jae-Sang
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.02a
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    • pp.375-375
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    • 2012
  • 최근 차세대 평판 디스플레이의 응용에 많은 주목을 받고 있는 AMOLED의 경우 전류구동 방식이기 때문에 a-Si TFT 보다는 LTPS-TFT가 요구되며, 대면적 기판에서의 결정립 크기의 균일도가 매우 중요한 인자이다. 비정질 실리콘 박막 상부 혹은 하부에 도전층을 개재하고, 상기도전층에 전계를 인가하여 그것의 주울 가열에 의해 발생한 고열에 의해 비정질 실리콘 박막을 급속 고온 고상 결정화하는 방법에 관한 기술인 JIC (Joule-heating Induced Crystallization) 결정화 공정은 기판 전체를 한번에 결정화 하는 방법이다. JIC 결정화 공정에 의하여 제조된 JIC poly-Si은 결정립 크기의 균일성이 우수하며 상온에서 수 micro-second내에 결정화를 수행하는 것이 가능하고 공정적인 측면에서도 별도의 열처리 Chamber가 필요하지 않는 장점을 가지고 있다. 그러나 고온 고속 열처리 방법인 JIC 결정화 공정을 수행 하면 Arc에 의하여 시편이 파괴되는 현상이 발견되었다. 본 연구에서는 Arc현상의 원인을 파악하기 위해 전압 인가 조건 및 시편 구조 조건을 변수로 결정화실험을 진행하였다. ARC가 발생하는 Si층과 Electrode 계면을 식각 분리하여 Electrode와 Si층 사이의 계면이 형성되지 않는 조건에서 전계를 인가하는 실험을 통하여 JIC 결정화 공정 중 고온에 도달하게 되면, a-Si층이 변형되어 형성된 poly-Si층이 전도성을 띄게 되고 인가된 전압이 도전층과 Poly-Si 사이에 위치한 $SiO_2$의 절연파괴(Dielectric breakdown)전압보다 높을 경우 전압 인가 방향에 수직으로 $SiO_2$가 절연 파괴되며 면저항 형태의 전도층의 단락이 진행되며 전도층이 완전히 단락되는 순간 Arc가 발생한다는 것을 관찰 할 수 있었다. 본 실험의 연구 결과를 바탕으로 Arc 발생을 방지하는 다양한 구조의 Equi-Potential 방법이 개발되었다.

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Joul-heating induced crystallization (JIC) for LTPS TFT-Backplanes

  • Hong, Won-Ui;No, Jae-Sang
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.02a
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    • pp.244-244
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    • 2010
  • 최근 활발히 연구되고 있는 AMOLED는 평판 디스플레이 분야를 이끌어 갈 차세대 선두 주자로 크게 주목 받고 있다. AMOLED는 전압 구동 방식인 AMLCD와 다르게 전류 구동 방식으로 a-Si TFT 보다 LTPS-TFT 사용이 요구되며, 대면적 기판으로 갈수록 결정립의 균일도가 매우 중요한 인자로 작용한다. 현재 양산이 가능한 AMOLED는 핸드폰이나 15인치 TV정도로 크기가 소형이며 대형 TV나 컴퓨터 모니터 등을 양산하기 위해 많은 방법이 시도되고 있다. 양산체제에서 사용되는 결정화 방법으로는 ELC가 가장 많은 부분을 차지하고 있다. 그러나 레이저를 사용하는 ELC 방법은 대면적으로 갈수록 레이저 빔 자체의 불균일성, shot to shot 불균일성, 레이저빔 중첩의 부정확도 등으로 인한 균일도의 부정확성이 커짐으로 인한 mura 현상이 나타나고 레이저 장비의 사용에 대한 비용 부담을 피할 수 없다. 따라서 non-laser 방식에 결정화 방법이 요구되나 SPC 경우는 상대적으로 고온에서 장시간이 걸리고, MIC 뿐만 아니라 MIC 응용 방법들은 금속 오염에 대한 문제가 발생하고 있는 실정이다. 이러한 문제로 인하여 결정립 크기의 균일도가 우수한 다결정 실리콘 박막을 제조하는 신기술에 대한 필요성이 매우 높은 실정이다. 본 연구에서는 비정질 실리콘 박막 상부 혹은 하부에 도전층을 개재하고, 상기 도전층에 전계를 인가하여 그것의 주울 가열에 의해 발생한 고열로 비정질 실리콘 박막을 급속 고온 고상 결정화하는 방법에 관한 기술인 JIC (Joule-heating Induced Crystallization) 결정화 공정을 개발하였다. 본 공정은 상온에서 수 micro-second 내에 결정화를 수행하는 것이 가능하며 도전층과 실리콘 박막 사이에 barrier층 삽입를 통하여 금속 오염을 막을 수 있으며 공정적인 측면에서도 별도의 chamber가 필요하지 않는 장점을 가지고 있다. 본 논문에서는 JIC 결정화 공정 조건에 따른 결정화 기구 및 JIC poly-Si의 미세구조 및 물리적 특성에 관한 논의가 이루어질 것이다.

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Monolithic Ambient-Light Sensor System on a Display Panel for Low Power Mobile Display (저 전력 휴대용 디스플레이를 위한 패널 일체형 광 센서 시스템)

  • Woo, Doo Hyung
    • Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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    • v.53 no.11
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    • pp.48-55
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    • 2016
  • Ambient-light sensor system, which changes the brightness of a display as ambient light change, was studied to reduce the power consumption of the mobile applications such as note PC, tablet PC and smart phone. The ambient-light sensor system should be integrated on a display panel to improve the complexity and cost of mobile applications, so the ambient-light sensor and readout circuit was integrated on a display panel using low-temperature poly-silicon thin film transistors (LTPS-TFT). We proposed the new compensation method to correct the panel-to-panel variation of the ambient-light sensors, without additional equipment. We designed and investigated the new readout circuit with the proposed compensation method and the analog-to-digital converter for the final digital output of ambient light. The readout circuit has very simple structure and control timing to be integrated with LTPS-TFT, and the input luminance ranges from 10 to 10,000 lux. The readout rate is 100 Hz, and maximum differential non-uniformity with 20 levels of the final output below 0.5 LSB.

High performance organic gate dielectrics for solution processible organic and inorganic thin-film transitors

  • Ga, Jae-Won;Jang, Gwang-Seok;Lee, Mi-Hye
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2012.05a
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    • pp.64.1-64.1
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    • 2012
  • Next generation displays such as high performance LCD, AMOLED, flexible display and transparent display require specific TFT back-planes. For high performance TFT back-planes, low temperature poly silicon (LTPS), and metal-oxide semiconductors are studied. Flexible TFT backplanes require low temperature processible organic semiconductors. Not only development of active semiconducting materials but also design and synthesis of semiconductor corresponding gate dielectric materials are important issues in those display back-planes. In this study, we investigate the high heat resistant polymeric gate dielectric materials for organic TFT and inorganic TFT with good insulating properties and processing chemical resistance. We also controlled and optimized surface energy and morphology of gate dielectric layers for direct printing process with solution processible organic and inorganic semiconductors.

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Touch Screen Panel by using Liquid Crystal Capacitance Variation embedded in LTPS AMLCD

  • Lee, Woo-Cheul;Ha, Tae-Jun;Park, Hyun-Sang;Lee, Jeong-Soo;Han, Min-Koo
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 2008.10a
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    • pp.302-305
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    • 2008
  • We present a new touch screen method, which utilizes the variation of liquid crystal capacitance according to the touch event on the screen. It is integrated in the AMLCD with the conventional LTPS process. Its resolution is same as the display resolution as well as performs the multi-touch sensing function basically. The design concept and the operation are verified with the SPICE simulation.

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A High-Speed and High-Accurate Common Source Type Analog Buffer Circuit Using LTPS TFTs for TFT-LCDs

  • Kim, Hyun-Wook;Byun, Chun-Won;Kwon, Oh-Kyong
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 2007.08a
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    • pp.829-832
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    • 2007
  • A high-speed and accurate analog buffer is proposed for mobile display using LTPS TFTs. The proposed analog buffer is common source type with sampling and negative feedback mode. Therefore, driving speed of the proposed buffer is faster than previously reported one. In addition, the accuracy is very high because of high negative feedback gain. The simulation results show that maximum mischarging voltage of the proposed buffer is 8mV and previously reported one is 37mV. And Power consumption of the proposed buffer is $43.1{\mu}W$, which is 73% of previously reported one.

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Technology Trend and Requirement of Mobile Displays Using Low-Temperature Poly-Si (LTPS) Technologies

  • Kwon, Oh-Kyong
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 2007.08a
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    • pp.409-412
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    • 2007
  • A lot of research for system-on-panel(SOP) have been done to integrate display systems including data driver, gate driver, timing controller, DC-DC converter, and smart functions such as embedded touch screen, ambient brightness sensing and luminance control, finger printing on the glass. Recently, the cost of an one-chip driver IC with various functions has decreased rapidly, and new mobile display interface technologies have been introduced. So it is necessary to examine the feasibility of SOP for practical mobile applications. In this paper, we will re-examine LTPS technologies for mobile displays in terms of various aspects and discuss the practical limitations on SOP technology and future technology trend of mobile displays.

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Low Temperature Poly-Si Crystallization of Channel Region in TFT-LCD Array using FALC Process (TFT-LCD array에 FALC 공정을 적용한 채널영역의 저온결정화 연구)

  • 김윤수;최덕균
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2003.11a
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    • pp.189-189
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    • 2003
  • 최근, Low-temperature Poly-Si(LTPS) TFT시장이 새롭게 형성됨에 따라 저온결정화 기술 연구가 활발히 진행되고 있다. 그러나, 기존의 저온결정화방법에 비해 수율이 높고 생산단가를 낮출 수 있으며 대 면적 프로세스 적용이 가능한 결정화공정개발이 시급히 필요한 실정이다. 본 연구에서는 TFT-LCD array를 구성하고 있는 데이터 라인과 ITO 공통 전극이 개별 트랜지스터의 소스와 드레인에 연결되어있다는 점에 착안하여, 전계를 이용한 방향성유도결정화법(Field Aided Lateral Crystallization)을 이에 적용하였으며 채널영 역의 균일한 결정화를 위하여 컨택홀의 모양에 변화를 주어 결정화 실험을 진행하였다. 이 방법은 간단한 공정(TFT-LCD way를 통한 전계 인가 및 열처리)으로 패널내의 모든 채널영 역을 균일하게 결정화할 수 있을 것으로 기대되는 방식이다.

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Development of World's Largest 21.3' LTPS LCD using Sequential Lateral Solidification(SLS) Technology

  • Kang, Myung-Koo;Kim, Hyun-Jae;Chung, Jin-Koo;Kim, Dong-Beom;Lee, Su-Kyung;Kim, Cheol-Ho;Chung, Woo-Seok;Hwang, Jang-Won;Joo, Seung-Yong;Meang, Ho-Seok;Song, Seok-Chun;Kim, Chi-Woo;Chung, Kyu-Ha
    • Journal of Information Display
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    • v.4 no.4
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    • pp.4-7
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    • 2003
  • The world largest 21.3" LTPS LCD has been successfully developed using SLS crystallization technology. Integration of gate circuit, transmission gate and level shifter was successfully performed in a large area display. Uniform and high performance of high quality grains of SLS technology make it possible to realize a uniform large size LTPS TFT-LCD with half the number of data driver IC's that is typically used in a-Si LCD. High aperture ratio of 65 % was achieved using an organic inter insulating method which lead to a high brightness of 500 cd/$cm^2$.