• 한국세라믹학회지
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• 제36권12호
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• pp.1303-1309
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• 1999

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1998년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.72-72
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• 1998

• 한국세라믹학회지
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• 제36권9호
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• pp.901-908
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• 1999

Effects of LPMOCVD process parameters on the properties of TiO2 thin film were investigated. Depositions were made in the range of temperature 300-67$0^{\circ}C$ with various TTIP(Titanium Tetraisopropoxide) concentrations by contrlling bubbler temperature(40-8$0^{\circ}C$) and/or flow rate(30-90 sccm). Post annealing treatments were carried out at 500-80$0^{\circ}C$ range in the air. Films deposited at 40$0^{\circ}C$ have denser morphology than those of films deposited at 50$0^{\circ}C$ and $600^{\circ}C$ due to slower deposition rate. Bubbler temperature can affect on the deposition rate in mass transfer controlled regime such as 50$0^{\circ}C$ or higher but not below 50$0^{\circ}C$ where surface reaction rate becomes important. On the contrary for films deposited above 50$0^{\circ}C$ flow rate can raise deposition rate but eventually saturate it at the 50 sccm and above due to retarded adhesion of decomposed species. But for films deposited at 40$0^{\circ}C$ deposition rate increases stadily with flow rate. As the film becomes more porous A(200) texture can not be developed and AnataselongrightarrowRutile transition kinetics increases.

• 공업화학
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• 제10권2호
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• pp.225-230
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• 1999

Li(DPM)을 원료로 hot wall 수평 관형 반응기를 이용하여 질소-산소 및 아르곤-산소의 분위기에서 $Li_2O$ 고체박막을 LPMOCVD법으로 합성하였다. XRD와 ESCA 분석으로부터 질소-산소 분위기에서는 $Li_2CO_3$막이, 아르곤-산소의 분위기에서는 $Li_2O$막이 성장하였음을 알아냈다. 성막된 산화리튬과 리튬카보네이트는 기판의 실리콘 성분과 반응하여 실리케이트를 형성하였다. 마이크로 trench법과 Monte Carlo 시뮬레이션에 의해 기상반응 속도상수 및 표면반응 속도상수가 얻어졌으며 이를 이용한 성막속도 계산치와 실험치를 비교한 결과 실험조건범위 내에서 잘 일치하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1996년도 제11회 학술발표회 논문개요집
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• pp.81-81
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• 1996

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1993년도 추계 학술발표 강연 및 논문 개요집
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• pp.89-89
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• 1993

• 공업화학
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• 제10권7호
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• pp.985-989
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• 1999

유기 실란화합물을 사용하여 실리카($SiO_2$)박막을 감압 유기금속 화학증착법(LPMOCVD)으로 제조하였다. 원료로는 triethyl orthosilicate(TRIES)를 사용하였다. 실험조건은 반응기의 출구압력을 1~100 torr, 반응온도는 $600{\sim}900^{\circ}C$로 하였다. 높은 반응온도와 원료농도에서는 $SiO_2$가 빠른 성장속도를 나타내었다. 마이크로 스케일 트랜치에서 층덮임이 좋게 나타났는데, 이것은 응축된 다량체들이 트랜치쪽으로 유동하는 현상 때문으로 생각되었다. 원료가스가 중합반응을 하여 다량체(2량체, 3량체, 4량체 등)들이 생성되고, 그 다량체들이 확산하여 고체표면에서 응축되는 반응경로를 따를 것으로 추정된다. 반응관의 출구에서 기상중의 화학종들을 사극질량분석기로 분석한 결과, 반응온도 $650{\sim}700^{\circ}C$에서는 단량체, 원료가스의 2량체, 고분자들의 피크가 관측되었다. 고온($900^{\circ}C$)에서는 거의 모든 원료가스와 중간체(중합된 다량체) 분자들이 산화되었거나 차가운 관벽에 응축되어 고분자들의 피크가 없어졌다.