• 제목/요약/키워드: LD(laser diode)

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External Optical Modulator Using a Low - cost Fabry - Perot Laser Diode for Optical Access Networks

  • Lee, Hyuek-Jae;Won, Yong-Hyub
    • Journal of the Optical Society of Korea
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    • 제8권4호
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    • pp.163-167
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    • 2004
  • We propose and demonstrate an external optical modulation method based on TE/TM-mode absorption nulls in a Multiple Quantum Well(MQW) Fabry-Perot laser diode(FP-LD). The center wavelength of the absorption nulls is rapidly shifted to short-wavelength by the small current change(~1mA) in the FP-LD, which can modulate an optical signal with more than 10 dB of extinction ratio(ER). The shift of the center wavelength comes from the refractive index change due to anomalous dispersion and the plasma effect in MQW FP-LD waveguide. Non-inverting and inverting signals are made by TE- and TM-mode absorption nulls at 155.52 Mbps and BERs for the signals are measured.

Stabilizing circuit of doppler beat signal obtained by coherence-dependent fiber-optic laser doppler velocimeter

  • Shinohara, shigenobu;Michiwaki, Motohiko;Ikeda, Hiroaki;Yoshida, Hirofumi;Sawaki, Toshiko;Sumi, Masao
    • 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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    • 제어로봇시스템학회 1993년도 한국자동제어학술회의논문집(국제학술편); Seoul National University, Seoul; 20-22 Oct. 1993
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    • pp.434-439
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    • 1993
  • Described is a stabilizing circuit of the Doppler beat signal obtained by the coherence-dependent fiber-optic laser Doppler velocimeter (LDV), which employs both a self-mixing laser diode (SM-LD) and a 10m-100m long optical fiber. The stabilizing circuit maintains the SM-LD drive current at an optimum value, which gives a maximum Doppler signal during long hours.

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Butt-coupled DBR-LD제작 및 동작특성 (Fabrication and lasing characteristics of tunable Butt-coupled DBR-LD)

  • 오수환;이철욱;김기수;이지면;고현성;박상기;박문호
    • 한국광학회지
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    • 제14권3호
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    • pp.327-330
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    • 2003
  • 본 논문에서는 도파로층이 1.3 $\mu\textrm{m}$ InGaAsP긴 파장 가변 BT(butt-coupled)-DBR(distributed bragg reflector)-LD(laser diode)를 제작하고, 특성을 측정하였다. Butt 결합 성장면의 성장조건을 건식식각과 선택식각 방법과 MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)성장으로 최적화 한 후 활성층과 도파로층의 결합 효율을 측정한 결과 결합 효율이 85% 이상으로 나타났으며, 제작된 BT-DBR-LD에 연속전류를 인가 했을 때, 평균 임계전류는 약 21 ㎃, 최대 광출력이 25 ㎽ 이상으로 나타났다. 또한 위상제어 영역과 DBR영역에 각각 25㎃와 50 ㎃의 전류를 주입하여도 급격한 광출력 변화와 포화현상이 나타나지 않았다 이때 최대 파장 가변 폭은 7.4 nm, SMSR비는 40 ㏈이상으로 나타났다.

Experimental demonstration of uncompressed 4K video transmission over directly modulated distributed feedback laser-based terahertz wireless link

  • Eon-Sang Kim;Sang-Rok Moon;Minkyu Sung;Joon Ki Lee;Seung-Hyun Cho
    • ETRI Journal
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    • 제45권2호
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    • pp.193-202
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    • 2023
  • We demonstrate the transmission of uncompressed 4K videos over the photonics-based terahertz (THz) wireless link using a directly modulated distributed feedback laser diode (DFB-LD). For optical heterodyne mixing and data modulation, a DFB-LD was employed and directly modulated with a 5.94-Gb/s non-return-to-zero signal, which is related to a 6G-serial digital interface standard to support ultra-high-definition video resolution. We derived the optimal frequency of the THz carrier by varying the wavelength difference between DFB-LD output and Tunable LD output in the THz signal transmitter to obtain the best transmission performances of the uncompressed 4K video signals. Furthermore, we exploited the negative laser-to-filter detuning for the adiabatic chirp management of the DFB-LD by the intentional discrepancy between the center wavelength of the optical band-pass filter and the output wavelength of the DFB-LD. With the help of the abovementioned methods, we successfully transmitted uncompressed 4K video signals over the 2.3-m wireless transmission distance without black frames induced by time synchronization error.

III-Nitride Layer의 성장과 LED 발전 과정

  • 신종언;유태경
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제13권1호
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    • pp.11-18
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    • 2000
  • 최근 10여년 사이에 III-nitride 화합물 반도체가 전 세계적으로 주목을 받고 있다. 이는 질화물의 조성에 따라 자외선 영역에서 가시 광선의 전 파장, 측 자색에서 적색 영역대의 광소자 및 고온 고출력 전자소자에 쓰일 수 있기 때문이다. 지금까지 고휘도의 청색, 녹색 LED(Light Emitting Diode)는 상용화되어 있어, UC LD(Ultra-Violet Laser Diode)는 10,000 시간 상온 연속 발진에 성공하여 상용화의 단계에 이르고 있다. 그러나 많은 연구 투입에 비례하여 얻어지는 결과물의 효율은 그리 높지 않은 분야로 LED를 수준 급으로 상용화하는 곳은 세계에서 5개정도로 국한되면, 그 기술이 전파됨이 그리 쉽지 않다. LD(laser Diode)의 경우 상용화 초기 단계로 보편적 신뢰성을 확보하기까지는 또 다른 breakthrough 확보가 필요하며, 궁극적인 기술 전개는 기판을 해결하는 것에서 올 수 있다. 본 논문에서는 이러한 III-nitride 반도체 소자 개발을 가능하게 한 MOCVD(Metaloganic Chemical Vapor Deposition) 결정 성장 방법과, 기존에 사용화 되어 있는 LED 소자 특성 및 국내외 개발 동향 및 향후 발전 방향을 소개하고자 한다.

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Modern Laser Technology and Metallurgical Study on Laser Materials Processing

  • Kutsuna, Muneharu
    • 대한용접접합학회:학술대회논문집
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    • 대한용접접합학회 2002년도 Proceedings of the International Welding/Joining Conference-Korea
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    • pp.561-569
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    • 2002
  • Laser has been called a "Quantum Machine" because of its mechanism of generation since the development on July 7,1960.by T.H.Maiman. We can now use this machine as a tool for manufacturing in industries. At present, 45kW CO2 laser, 10kW Nd:YAG laser, 6kW LD pumped YAG laser and 4kW direct diode laser facilities are available for welding a heavy steel plate of 40mm in thickness and for cutting metals at high speed of 140m/min. Laser Materials Processing is no longer a scientific curiosity but a modern tool in industries. Lasers in manufacturing sector are currently used in welding, cutting, drilling, cladding, marking, cleaning, micro-machining and forming. Recently, high power laser diode, 10kW LD pumped YAG laser, 700W fiber laser and excimer laser have been developed in the industrialized countries. As a result of large numbers of research and developments, the modem laser materials processing has been realized and used in all kinds of industries now. In the present paper, metallurgical studies on laser materials processing such as porosity formation, hot cracking and the joint performances of steels and aluminum alloys and dissimilar joint are discussed after the introduction of laser facilities and laser applications in industries such as automotive industry, electronics industry, and steel making industry. The wave towards the use of laser materials processing and its penetration into many industries has started in many countries now. Especially, development of high power/quality diode laser will be accelerate the introduction of this magnificent tool, because of the high efficiency of about 50%, long life time and compact.

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TO-can 패키지 레이저 다이오드 모듈의 주파수 특성 개선 (RF Characteristics of TO-can Packaged FP-LD Optical Transceiver Module)

  • 이동수
    • 조명전기설비학회논문지
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    • 제17권4호
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    • pp.8-12
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    • 2003
  • TO-can 레이저 다이오드를 사용한 광송수신기 모듈의 주파수 대역의 특성을 관찰하였다. 레이저 다이오드의 등가회로를 추출하기 위한 R-L-C변수는 임피던스 분석기를 이용하였다. 칩콘덴서를 사용하여 패키지내의 도선에 의한 인덕턴스 성분과의 임피던스 정합을 시도하였으나 저주파수 대역에서 공진으로 인한 경사가 발견되었다. 표면실장 형으로 소자를 구성하여 사용함으로써 공진주파수를 이동시켜 원하는 주파수 대역에서 공진 경사를 제거할 수 있었다.

스윙 암 타입 초소형 광 픽업 시스템의 방열 설계 (Micro Thermal Design of Swing-Arm Type Small Form Factor Optical Pick-up System)

  • 이지나;김홍민;강신일;손진승;이명복
    • 정보저장시스템학회논문집
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    • 제2권1호
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    • pp.21-25
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    • 2006
  • The new multimedia information environment requires smaller optical data storage systems. However, one of the difficulties encountered in designing small form factor(SFF) optical pick-up is to emit the heat which is generated from laser diode(LD). Heat generated at the LD can reduce the optical performance of the system and the lifetime of LD. Therefore, it is important to include the thermal design in the design stage of SFF optical pick-up system for high performance and the longer lifetime of LD, and furthermore, to analyze the thermal characteristics of LD in detail micro heat transfer analysis is necessary. In the present study, micro heat transfer analysis was performed using the finite element method for the $28{\times}11{\times}2mm^3$ super slim swing-arm type optical pick-up actuator for Blu-ray disk. Two different materials were used for a swing-arm; a double layer polycarbonate/steel structure and a single aluminum structure.

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Beam-Lead를 이용한 Laser Diode의 제작과 열저항 특성 (Fabrication of Laser Diodes using Beam-Lead and its thermal characteristics)

  • 조성대
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 1990년도 제5회 파동 및 레이저 학술발표회 5th Conference on Waves and lasers 논문집 - 한국광학회
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    • pp.69-72
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    • 1990
  • For the effective heat transfering in Lser Diodes, Beam-Lead structure were introduced which is applicable to hybrid Optoelectronic Integrated Circuits. A 5-layer planar structure Laser Diode is fabricated and Beam-Lead is made by Au plating. And carrier was made by etching Si substrate and LD was mounted on a carrier. The thermal resistance was measured and we could certain that Beam-Lead structure behaves well as a heat sink.

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GaN LED에서 tunneling과 piezoelectric potential에 의한 carrier lifetime 연구 (Carrier lifetime study in GaN-based LEDs: the influence of tunneling and piezoelectric potential)

  • 조영달;오은순;김대식
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 2001년도 제12회 정기총회 및 01년도 동계학술발표회
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    • pp.48-49
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    • 2001
  • GaN는 wurzite structure를 갖는 wide bandgap III-V족 반도체로서, 청색 반도체 laser diode (LD), light emitting diode (LED)등으로 응용되는 물질이다. InGaN quantum well은 GaN계의 청색 LD, LED 구조에서 활성층으로 사용되기 때문에 이에 대한 광학적 연구가 활발하다. InGaN는 GaN위에 성장하면 strain에 의해 piezoelectric 효과가 크게 나타나는 것으로 알려져 있다. 이러한 piezoelectric potential에 의해 외부에서 voltage가 가해지지 않은 상황에서도 InGaN quantum well내의 electron, hole의 wave function이 비대칭 potential의 영향을 받게된다. (중략)

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