• 제목/요약/키워드: K-Band

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분할 링 공진기를 이용한 소형 이중 대역 CPW-급전 슬롯 안테나 (Compact Dual-band CPW-fed Slot Antenna Using Split-Ring Resonator)

  • 여준호;박진택;이종익
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제19권11호
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    • pp.2526-2533
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    • 2015
  • 본 논문에서는 분할 링 공진기(SRR; split-ring resonator)를 이용한 소형 이중 대역 코플래너 도파관 급전 슬롯 안테나에 대한 설계 방법을 연구하였다. 제안된 슬롯 안테나의 이중 대역 동작을 위해 SRR 도체를 직사각형 슬롯 내에 장하하였다. 기존의 직사각형 슬롯에 SRR 도체가 삽입되면 직사각형 루프 영역과 직사각형 슬롯 영역으로 나누어지며, 루프와 슬롯에 의해 각각 주파수 대역이 발생한다. 2.45 GHz WLAN 대역과 3.40-5.35 GHz 대역에서 동작하는 이중 대역 슬롯 안테나를 FR4 기판 상에 $30mm{\times}30mm$ 크기로 제작하였다. 실험 결과, 전압 정재파비 < 2인 대역이 2.38-2.51 GHz, 3.32-5.38 GHz으로 원하는 이중대역에서 동작하는 것을 확인하였고, 이득은 2.45 GHZ에서 1.7 dBi이고 두 번째 대역에서는 2.4-3.2 dBi로 측정되었다.

U자형 슬롯을 사용하여 WLAN 대역이 제거된 CPW 급전 방식을 갖는 UWB 안테나 설계 및 제작 (A design and manufacture of CPW-Fed UWB antenna with notched WLAN band by using a U shaped slot)

  • 하윤상;김기래;윤중한
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제19권11호
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    • pp.2518-2525
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    • 2015
  • 본 논문에서는 U자형 슬롯을 사용하여 802.11a(5.15 ~ 5.825 GHz) 대역을 제거한 CPW(Coplanar Waveguide) 구조를 갖는 UWB(Ultra Wide Band) 안테나를 제안한다. 제안된 안테나는 UWB 통신에 적합한 초광대역 특성(3.1~10.6 GHz)을 만족하면서, 5 GHz WLAN 대역(5.15 ~ 5.825 GHz)에서 주파수 대역 저지 특성을 갖는다. 안테나는 유전율 4.4인 FR-4 기판 위에 설계되었고 전체 크기는 $30mm(W){\times}20mm(L){\times}1mm(t)$ 이다. 제작된 안테나는 저지 대역인 5.15 ~ 5.825 GHz를 제외하고, 3.1 ~ 10.6 GHz 대역에서 $VSWR{\leq}2$를 만족한다. 그리고 동작대역에서 측정된 이득과 방사패턴의 특성을 나타내었다.

Band alignment and optical properties of $(ZrO_2)_{0.66}(HfO_2)_{0.34}$ gate dielectrics thin films on p-Si (100)

  • Tahir, D.;Kim, K.R.;Son, L.S.;Choi, E.H.;Oh, S.K.;Kang, H.J.;Heo, S.;Chung, J.G.;Lee, J.C.
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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    • pp.381-381
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    • 2010
  • $(ZrO_2)_{0.66}(HfO_2)_{0.34}$ thin films as gate dielectrics have been proposed to overcome the problems of tunneling current and degradation mobility inachieving a thin equivalent oxide thickness. An extremely thin $SiO_2$ layer is used in order to separate the carrier in MOSFET channel from the dielectric field fluctuation caused by phonons in the dielectric which decreases the carrier mobility. The electronic and optical properties influenced the device performance to a great extent. $(ZrO_2)_{0.66}(HfO_2)_{0.34}$ dielectric films on p-Si (100) were grown by atomic layer deposition method, for which the conduction band offsets, valence band offsets and band gapswere obtained by using X-ray photoelectron spectroscopy and reflection electron energy loss spectroscopy. The band gap, valence and conduction band offset values for $(ZrO_2)_{0.66}(HfO_2)_{0.34}$ dielectric thin film, grown on Si substrate were about 5.34, 2.35 and 1.87 eV respectively. This band alignment was similar to that of $ZrO_2$. In addition, The dielectric function (k, $\omega$), index of refraction n and the extinction coefficient k for the $(ZrO_2)_{0.66}(HfO_2)_{0.34}$ thin films were obtained from a quantitative analysis of REELS data by comparison to detailed dielectric response model calculations using the QUEELS-$\varepsilon$(k, $\omega$)-REELS software package. These optical properties are similar with $ZrO_2$ dielectric thin films.

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인삼 Light Harvesting Chlorophyll Protein의 특성 및 엽소병에서 Singlet Oxygen($^1O_2$) Quenching (Characteristics of Light Harvesting Chlorophyll-Protein Complex and Singlet Oxygen ($^1O_2$) Quenching in Leaf-burning Disease from Panax ginseng C. A. Meyer)

  • 양덕조;이성택
    • Journal of Ginseng Research
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    • 제13권2호
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    • pp.158-164
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    • 1989
  • 인삼엽소병(leaf-burning disease) 원인과 light-harvesting chlorophyll-protein(LHCP) complex의 solar energy 분배능력과의 상호 연관성을 조사하기 위한 기초 연구로써 인삼 thylakoid의 chlorophyll-protein(CP) complex의 조성 및 특징을 조사하였다. 인삼의 CP-complex는 non-denaturing SDS-PAGE 방법에 의해 4개 bands로 분리되었으며 각 band는 Bassi와 Dunahay의 결과에 따라 CPI(PSI의 reaction center와 LHCP I antennae), CP I(PSI reaction center), LHCP II(LHCP II)의 oligoform), 그리고 LHCP II(PS II antennae; CP29, CP26)로 확인되었다. 인삼의 LHCP II 는 양지식물인 spinach, soybean과 비교해 볼 때 오히려 인삼의 band intensity가 더 높았으며, CP I band는 인삼에서만 분리되었다. 인삼 CP-complex band의 absorption 및 fluorescence spectra, chlorophyll a.b ratio 에서도 비교식물과 차이를 나타내었다. Thylakoid membrane의 polypeptide 함량은 인삼에서 비교식물에 비해 현저히 낮은 polypeptide 함량은을 나타내었다. SDS-PAGE에 의한 polypeptide pattern은 band의 수나 band intensity에서 비교식물과 차이를 나타내었으며, 특히 29-35 kD, 55 kD과 60 kD 근치에서 현저한 band intensity 차이를 확인하였다. Specific $^1O_2$에 의해 chl. a가 60%, chl.b는 90%, 그리고 carotenoid는 70%가 파괴되는 것으로 확인되었다.

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다중 대역 레이더 신호 수신을 위한 이중 모드 주파수 혼합기 (A Dual-Mode Mixer for Multi-Band Radar Signal Reception)

  • 고민호;김형주;나선필;김재현
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제24권11호
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    • pp.1047-1054
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    • 2013
  • 본 논문은 다중 대역 레이더 수신기의 소형화를 위한 이중 모드 주파수 혼합기를 구현하였다. 제안한 혼합기는 역병렬 다이오드(anti-parallel diode)를 이용하였고, 제어 전압 유무에 따라 기본파 혼합기 또는 부고조파 혼합기로 동작한다. 제어 전압을 인가하여 기본파 혼합기로 동작하는 경우, X-대역에서 -10 dB 변환 손실, 2.0 dBm P1dB 특성을 나타내었고, 제어 전압을 인가하지 않은 부고조파 혼합기로 동작하는 경우 K-대역에서 -10 dB 변환 손실, 2.0 dBm P1dB 특성을 나타내었다.

A Fully-Integrated Penta-Band Tx Reconfigurable Power Amplifier with SOI CMOS Switches for Mobile Handset Applications

  • Kim, Unha;Kang, Sungyoon;Kim, Junghyun;Kwon, Youngwoo
    • ETRI Journal
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    • 제36권2호
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    • pp.214-223
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    • 2014
  • A fully-integrated penta-band reconfigurable power amplifier (PA) is developed for handset Tx applications. The output structure of the proposed PA is composed of the fixed output matching network, power and frequency reconfigurable networks, and post-PA distribution switches. In this work, a new reconfiguration technique is proposed for a specific band requiring power and frequency reconfiguration simultaneously. The design parameters for the proposed reconfiguration are newly derived and applied to the PA. To reduce the module size, the switches of reconfigurable output networks and post-PA switches are integrated into a single IC using a $0.18{\mu}m$ silicon-on-insulator CMOS process, and a compact size of $5mm{\times}5mm$ is thus achieved. The fabricated W-CDMA PA module shows adjacent channel leakage ratios better than -39 dBc up to the rated linear power and power-added efficiencies of higher than around 38% at the maximum linear output power over all the bands. Efficiency degradation is limited to 2.5% to 3% compared to the single-band reference PA.

결함 기저면 구조를 이용한 무선 랜 차단대역을 포함하는 Ultra-Wide Band(UWB) 대역통과 필터 설계 (The Design of Ultra-Wide Band(UWB) Band Pass Filler with WLAN Notched Band Using Defected Ground Structure)

  • 박창현;조성식;박정아;김갑기
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2008년도 추계종합학술대회 B
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    • pp.299-302
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    • 2008
  • 본 논문에서는 결함 기저면 구조(DGS)를 이용하여 WLAN 차단 필터 포함하는 소형의 초광대역 대역통과 필터를 제안하였다. H-모형의 슬롯은 IDC(Inter-Digital Capacitor)의 커플링을 이용하여 대역통과 필터의 성능을 향상시키기 위하여 채택하였고, 끝이 점점 작아지는 결함 접지 구조 3쌍은 대역 신호를 제외한 전송이 0이 되기 위하여 형성된 것이다. 또한 구부러진 슬롯은 원하지 않는 WLAN 무선 신호들을 걸러내도록 개발하였다. 이러한 세 구조들의 조합으로 소형의 UWB 대역통과 필터를 얻을 수 있었다.

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A Triple-Band Voltage-Controlled Oscillator Using Two Shunt Right-Handed 4th-Order Resonators

  • Lai, Wen-Cheng;Jang, Sheng-Lyang;Liu, Yi-You;Juang, Miin-Horng
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제16권4호
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    • pp.506-510
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    • 2016
  • A triple-band (TB) oscillator was implemented in the TSMC $0.18{\mu}m$ 1P6M CMOS process, and it uses a cross-coupled nMOS pair and two shunt $4^{th}$ order LC resonators to form a $6^{th}$ order resonator with three resonant frequencies. The oscillator uses the varactors for band switching and frequency tuning. The core current and power consumption of the high (middle, low)- band core oscillator are 3.59(3.42, 3.4) mA and 2.4(2.29, 2.28) mW, respectively at the dc drain-source bias of 0.67V. The oscillator can generate differential signals in the frequency range of 8.04-8.68 GHz, 5.82-6.15 GHz, and 3.68-4.08 GHz. The die area of the triple-band oscillator is $0.835{\times}1.103mm^2$.

A Study on the Design and Characteristics of thin-film L-C Band Pass Filter

  • Kim In-Sung;Song Jae-Sung;Min Bok-Ki;Lee Won-Jae;Muller Alexandru
    • KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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    • 제5C권4호
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    • pp.176-179
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    • 2005
  • The increasing demand for high density packaging technologies and the evolution to mixed digital and analogue devices has been the con-set of increasing research in thin film multi-layer technologies such as the passive components integration technology. In this paper, Cu and TaO thin film with RF sputtering was deposited for spiral inductor and MOM capacitor on the $SiO_2$/Si(100) substrate. MOM capacitor and spiral inductor were fabricated for L-C band pass filter by sputtering and lift-off. We are analyzed and designed thin films L-C passive components for band pass filter at 900 MHz and 1.8 GHz, important devices for mobile communication system. Based on the high-Q values of passive components, MOM capacitor and spiral inductors for L-C band pass filter, a low insertion loss of L-C passive components can be realized with a minimized chip area. The insertion loss was 3 dB for a 1.8 GHz filter, and 5 dB for a 900 MHz filter. This paper also discusses a analysis and practical design to thin-film L-C band pass filter.

Compact Mobile Quad-Band Slot Antenna Design for GPS L1, WiMAX, and WLAN Applications

  • Piao, Haiyan;Jin, Yunnan;Tak, Jinpil;Choi, Jaehoon
    • Journal of electromagnetic engineering and science
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    • 제17권2호
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    • pp.57-64
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    • 2017
  • In this paper, an asymmetric compact multiband slot antenna is proposed for global positioning system (GPS), worldwide interoperability for microwave access (WiMAX), and wireless area network (WLAN) applications. The top plane, a ground is composed of a rectangular slot with a trapezoidal-like stub, an inverted U-shaped slot at the right side of the rectangular slot, an inverted L-shaped slot at the left side of the rectangular slot, and three stubs. The proposed antenna is fed by an asymmetric cross-parasitic strip on the bottom plane. By properly designing the slots and stubs, four resonant frequency bands are achieved with -10 dB reflection coefficient bandwidths of 50 MHz, 400 MHz, 390 MHz, and 830 MHz in the 1.57 GHz GPS band, 2.4 GHz WLAN band, 3.5 GHz WiMAX band, and 5.5 GHz WLAN bands, respectively. The antenna has a total compact size of $13mm{\times}32mm{\times}0.8mm$. Simulated and measured results indicate that the proposed antenna has sufficient bandwidth and good radiation performance in each band.