• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제34권4호
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• pp.1153-1159
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• 2013

A novel solid-contact indium(III)-selective sensor based on bis-(1H-benzimidazole-5-methoxy-2-[(4-methoxy-3, 5-dimethyl-1-pyridinyl) 2-methyl]) thiosulfinate, known as an omeprazole dimer (OD) and a neutral ionophore, was constructed, and its performance characteristics were evaluated. The sensor was prepared by applying a membrane cocktail containing the ionophore to a graphite rod pre-coated with polyethylene dioxythiophene (PEDOT) conducting polymer as the ion-to-electron transducer. The membrane contained 3.6% OD, 2.3% oleic acid (OA) and 62% dioctyl phthalate (DOP) as the solvent mediator in PVC and produced a good potentiometric response to indium(III) ions with a Nernstian slope of 19.09 mV/decade. The constructed sensor possessed a linear concentration range from $3{\times}10^{-7}$ to $1{\times}10^{-2}$ M and a lower detection limit (LDL) of $1{\times}10^{-7}$ M indium(III) over a pH range of 4.0-7.0. It also displayed a fast response time and good selectivity for indium(III) over several other ions. The sensor can be used for longer than three months without any considerable divergence in potential. The sensor was utilized for direct and flow injection potentiometric (FIP) determination of indium(III) in alloys. The parameters that control the flow injection method were optimized. Indium(III) was quantitatively recovered, and the results agreed with those obtained using atomic absorption spectrophotometry, as confirmed by the f and t values. The sensor was also utilized as an indicator electrode for the potentiometric titration of fluoride in the presence of chloride, bromide, iodide and thiocyanate ions using indium(III) nitrate as the titrant.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제26권9호
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• pp.1453-1456
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• 2005

• 대한화학회지
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• 제42권2호
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• pp.184-189
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• 1998

Indium(III) trihalides (halogen=Cl, Br)와 bis(pentafluorophenyl)cadmiumd을 acetonitrile에서 반응시켜 acetonitrile이 배위된 tris(pentafluorophenyl)indium을 합성하였으며 원소분석, 핵자기 공명과 질량분석 스펙트럼을 이용하여 특성을 조사하였다. 그 결과 acetonitrile과 배위한 tris(pentafluorophenyl)indium는 pentafluorophenylindium화합물과 acetonitrile이 1:1로 배위된다는 것을 알 수 있었다. 또한 In$(C_6F_5)_3{\cdot} CH_3CN$과 DMAP(dimethylaminopyridine)를 dichloro methane 용매에서 리간드를 치환반응시켜 In$In(C_6F_5)_3{\cdot}DMAP$를 합성하였다. 리간드들의 치환은 acetonitrile보다 주개 성질이 강한 DMAP가 acetonitrile의 자리에 배위하는 것으로 생각된다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제33권1호
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• pp.43-47
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• 2012

An efficient synthetic method for the preparation of quinolines through indium(III) chloride-catalyzed tandem addition-cyclization-oxidation reactions of imines with alkynes was developed. The processes can provide a diverse range of quinoline derivatives in good yields from simple imines and alkynes.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제23권7호
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• pp.998-1002
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• 2002

An efficient synthesis of 2H-pyrans is achieved by indium (III) chloride-catalyzed reactions of 1,3-dicarbonyl compounds with a variety of $\alpha\beta-unsaturated$, aldehydes in moderate yields. This method has been applied to the synthesis of pyranocoumar ins, pyranophenalenones, and pyranoquinolinone alkaloids.

• 대한화학회지
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• 제43권1호
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• pp.52-57
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• 1999

In($C_6F_5)_3{\cdot}D(D=CH_3CN$, O($C_2H_5)_2$)와 ($CH_3)_3SiC_6F_5$/CsF, $C_6F_5$MgBr 또는 Cd($C_6F_5)_2$을 반응시켜 [In($C_6F_5)_4$]- 음이온 화합물을 합성하였으나, 이들 indium(III) 음이온 화합물들은 온도에 민감하고 습기에 대해 불안정하다. 안정한 indium(III) 음이온 착물은 PNPCl(PNP=bis(triphenylphosphino)ammonium)과의 양이온 치환반응시켜 얻었으며, 관 크로마토 그래피를 이용하여 분리 정제하였다. 합성된 화합물의 특성은 핵자기 공명 분석법, 적외선 분광분석법, 분자량 측정, DTA/TG 그리고 원소분석법을 이용하여 조사하였다.

• EDISON SW 활용 경진대회 논문집
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• 제6회(2017년)
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• pp.428-432
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• 2017

Silicon 기반 Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET)의 크기가 감소함에 따라 silicon자체의 물성적 한계가 나타나고 있다. 이를 극복하고자 III-V 화합물 반도체가 채널소자로서 각광받고 있다. 본 연구에서는 III-V 화합물반도체 중 $In_xGa_{1-x}As$는 Indium 조성에 따른 전자구조 및 n-type MOSFET의 소자 특성을 본다. Indium의 조성이 증가함에 따라 subband의 개수와 간격이 증가하게 되어 Density of state가 감소하게 된다. 이로 인하여 Indium의 조성이 증가함에 따라 $In_xGa_{1-x}As$ 채널 MOSFET에서 상대적으로 Fermi level을 더 많이 상승시키게 되어 potential barrier를 얇아지게 만들며 또한 에너지에 따른 전류 밀도를 넓게 분포하도록 만든다. 이로 인하여 단채널에서는 In 조성이 증가함에 따라 direct source-to-drain tunnelling current이 증가하게 된다. 이로 인하여 In 조성의 증가에 따라 subthreshold swing과 ON-state current가 저하된다.

• 분석과학
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• 제6권1호
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• pp.131-139
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• 1993

아연광 중 미량으로 존재하는 갈륨 및 인듐을 유도결합 플라스마 원자방출분광법(ICP-AES)으로 분석할 때 간섭하는 아연 및 다른 이온들과 특히 Fe(III) 이온으로부터 이들을 분리하는 방법에 대해 연구하였다. 갈륨과 인듐을 tributyl phosphate(TBP)로 용매추출하였는데 이때 영향을 주는 산농도, 다른 이온들의 간섭, 수용액상/유기상의 비율, TBP의 농도 및 탈거율 등에 대하여 조사하였다. 갈륨과 인듐이 함유되어 있는 아연광을 녹인 5N 염산용액에서 100% TBP로 추출하여 아연 및 기타 간섭이온들로부터 분리하였으며, 이때 철(III)이온은 hydroxylamine hydrochloride를 사용하여 Fe(II)로 환원시켜 coetraction되는 것을 방지하였다. 유기상으로부터 갈륨과 인듐의 탈거는 0.02N 염산용액으로 역추출하여 이루어졌으며 이 용액을 ICP-AES로 측정하여 이들을 정량하였다. 전체적으로 추출률이 95% 이상으로 정량적이었다.

• Advances in nano research
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• 제2권4호
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• pp.179-186
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• 2014

Indium-nitrogen co-doped zinc oxide thin films (INZO) were prepared on glass substrates in the atmosphere by ultrasonic spray pyrolysis. The aqueous solution of zinc acetate, ammonium acetate and different indium sources: indium (III) chloride and indium (III) nitrate were used as the precursors. After film deposition, different anneal temperature treatment as 350, 450, $550^{\circ}C$ were applied. Electrical properties as concentration and mobility were characterized by Hall measurement. The surface morphology and crystalline quality were characterized by SEM and XRD. With the activation energy analysis for both films, the concentration variation of the films at different heat treatment temperature was realized. Donors correspond to zinc related states dominate the conduction mechanism for these INZO films after $550^{\circ}C$ high temperature heat treatment process.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제33권4호
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• pp.1170-1176
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• 2012

An efficient one-pot synthesis of acridinediones by $In(OTf)_3$-catalyzed reactions was developed starting from ${\beta}$-enaminones, aldehydes, and cyclic 1,3-diketones. The key strategies of these reactions involve domino Knoevenagel condensation/Michael addition/cyclodehydration reaction.