As the other silicate minerals such as kaolinite and pyrophyllite kyanite ($Al_2O_3$.$SiO_2$) is transformed to mullite and free silica or glassy phase at high temperature. Therefore $Al_2O_3$ is commonly added to kyanite in order to increase the mullite-yield. In case of $Al_2O_3$-addition mullite-yield depends on the reactivity of added $Al_2O_3$ with free silica which occurs from transformation of kyanite or exists as accessory minerals. It is well known that addition of activated $Al_2O_3$Al powder is added to kyanite to utilize the aluminothermal reac-tion of Al powder in reaction of mullite-formation.
전류 차단층으로서 AlAs 자연산화층 ($AlO_x$) 을 갖는 InGaAs 양자점 (quantum dot) 구조를 분자선 박막 성장법 (molecular-beam epitaxy)과 습식 산화법 (wet oxidation)을 이용하여 제작하였고, 이들 구조의 열처리에 따른 광학적인 특성 변화를 photoluminescence (PL), PL excitation, 그리고 공간 분해능을 갖는 micro-PL을 이용하여 분석하였다. 습식 산화와 열처리 과정을 통해 intermixing된 InGaAs 양자점 영역에서 PL 특성을 조사한 결과, intermixing 되지 않은 영역보다 높은 에너지에서 완만한 PL peak이 추가적으로 관측되었다. 산화되지 않은 (non-oxided) AlAs 아래에 있는 InGaAs 양자점 영역에서는 약 1.1 eV에서 PL emission이 주로 관측되었으나, $AlO_x$와 $SiN_x$에 의해 intermixing 된 InGaAs 양자점 영역에서는 각각 약 1.16 eV와 $1.18{\sim}1.20$ eV 에서의 PL emission도 함께 관측되었다. 실험 결과, $AlO_x$층이 있는 InGaAs 양자점 영역이 산화 되지 않은 AlAs층이 있는 영역에 비해서 intermixing 효과가 크게 작용함을 알 수 있었다.
Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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제22권1호
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pp.67-76
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1998
Friction materials for brake linings and clutches have severe performance requirements. The principal function of such frictional elements is to convert kinetic energy to heat, and then either to absorb or to dissipate heat. In order to achieve these objectives, the coefficient of friction must be as high as possible, independent of variations in operating conditions, and the necessary energy conversion must be accomplished with a minimum of wear on the contacting parts. In this study, Al powder, Al bronze powder and Mo powder used in general for automobile brake was sprayed on automobile brake disc to restrain rust and to maintain friction performance. Dynamo and corrosion tests have been carried out. It is concluded that the sprayed disc with Al bronze powder has the most improved frictional performance and anti-corrosive characteristics. The main results obtained can be summarized as follows; 1. From the corrosion current density test for gray cast iron and sprayed disc with powders of Al, Al bronze and Mo, it was cleared that the spray treatment with Al bronze powder showed the most superior anti-corrosive characteristics than other powders. 2. By anode polarization toward the noble direction from corrosion potential, corrosion current density with sprayed brake disc by Al-bronze powder was the lowest. 3. Mean frictional coefficients obtained from dynamo test are as follows : the sprayed disc with Al(99.99%) powder was 0.190 ; the sprayed disc with Al-bronze powder was 0.312 ; the sprayed disc with Mo powder was 0.257 ; the non-sprayed disc of gray cast iron was 0.331. In the case of the sprayed disc Al-bronze powder showed the most excellent frictional characteristics . 4. Amount of burnish quantity obtained from burnish test by dynamometer is as follows : the sprayed disc with Al-powder was 1.079 mm : the sprayed disc with Al-bronze powder was 0.155 mm : the sprayed disc with Mo powder was 0.253 mm : the non-sprayed disc of gray cast iron was 0.241 mm. Al-bronze powder also showed the most excellent burnish characteristics.
Age hardenable aluminum alloys show high specific strength, good thermal and electrical conductivity as well as lightness, and are typical aircraft materials. High fatigue strength and good resistancy against stress corrosion cracking are also important for aircraft aluminum alloys. Al alloy 7050 has been developed to meet the above mentioned requirements and the use of this alloy as forged aircraft part becomes more important. However, forged 7050 parts showed undersirable structures such as severe local grain coarsening in surface area and unproper metal flow that is degrading mechanical properties. In this paper, microstructural aspects of die forging in the Al alloy 7050 are investigated. Also suggested are the optimal forging conditions for microstructural control of Al alloy 7050.
본 논문에서는 2차원 Poisson 방정식의 풀이에 의한 submicron 급 단 채널 n-InAlAs/InGaAs HEMT의 전류-전압 특성 도출에 관한 해석적 모델을 제안하였다. InAlAs 및 InGaAs층 내에서 2차원 Poisson 방정식의 해법으로 2차원적 전위 변화를 채널 전류의 연속조건과 consistent하게 도출하기 위해서 InGaAs 영역에 형성된 양자우물 형태의 채널을 통해 흐르는 전자에 대한 전계-의존 이동도를 고려하였다. 도출된 표현식은 동작 전압 전 구간의 영역과 장/단 채널 소자에 대하여 일괄적으로 적용될 수 있을 것으로 보이며, 본 논문에서 제안한 단 채널 n-InAlAs/InGaAs HEMT의 2차원 전계 효과에 대한 해석적 모델은 기존의 모델에서 submicron 대의 짧은 채널 길이일 때 정확도가 저하되거나 Early 효과에 대한 설명이 미흡한 것에 비해 드레인 전압의 증가에 따른 드레인 포화 전류의 증가 및 문턱전압의 감소 현상 등을 보다 물리적으로 적절히 설명할 수 있음을 보이고 있다.
Thin epilayer structures of GaAs/AlAs/InGaAs, grown by Molecular Beam Epitaxy, were investigated by high resolution transmission electron microscopy, Image in the [110] zone axis was taken and compared with the calculated images. The supercell structure which contains GaAs, AlAs and InGaAs layers was designed and was employed in the image calculation with MacTempas computer program. Good agreement was shown between experimental image and a set of calculated images with varying defocus and sample thickness.
Titanium alloys have high specific strength, excellent corrosion and wear resistance, as well as high heat-resistant strength compared to conventional steel materials. As intermetallic compounds based on Ti, TiAl alloys are becoming increasingly popular in the aerospace field because these alloys have low density and high creep properties. In spite of those advantages, the low ductility at room temperature and difficult machining performance of TiAl and $Ti_3Al$ materials has limited their potential applications. Titanium powder can be used in such cases for weight and cost reduction. Herein, pre-forms of Ti-Al-xMn powder alloys are fabricated by compression forming. In this process, Ti powder is added to Al and Mn powders and compressed, and the resulting mixture is subjected to various sintering temperature and holding times. The density of the powder-sintered specimens is measured and evaluated by correlation with phase formation, Mn addition, Kirkendall void, etc. Strong Al-Mn reactions can restrain Kirkendall void formation in Ti-Al-xMn powder alloys and result in increased density of the powder alloys. The effect of Al-Mn reactions and microstructural changes as well as Mn addition on the high-temperature compression properties are also analyzed for the Ti-Al-xMn powder alloys.
테라헤르쯔(terahertz: THz)파는 0.1~10 THz 의 범위로 적외선과 방송파 사이에 광대역 주파수 스펙트럼을 차지하고 있으며 직진성, 투과성, 그리고 낮은 에너지 (meV)를 가지고 있어 비 파괴적이고 무해한 장점을 지니고 있다. Ti:sapphire laser와 같은 femto-pulse source 등이 많은 발전이 되어 현재 많은 연구와 발전이 이루어지고 있다. femto-pulse source를 이용한 THz 응용에서는 높은 저항, 큰 전자 이동도, 그리고 아주 짧은 전하수명의 기판을 요구하는데 저온에서 성장한 (low-temperature grown : LT) GaAs는 격자 내에 Gallium 자리에 Arsenic이 치환 하면서 AsGa antisite가 발생하여 전하수명을 짧아지는 것을 응용하여 가장 많이 이용되고 있다. 현재 THz 응용분야에서 보다 작고 가격경쟁력이 있는 광통신을 이용한 THz photomixer등이 활발히 연구 하고 있다. 광섬유 내에서 손실과 분산이 최소값을 가지는 부분이 1.55 ${\mu}m$ 부근이고 In0.53Ga0.47As 기판을 이용하였을 때 여기에 완벽하게 만족하게 된다. 하지만 LT-InGaAs 의 경우 AsGa antisite로 인하여 carrier lifetime은 짧아지지만 높은 n-type 전하밀도를 가지게 된다. 이때 Be을 doping하여 전하밀도를 보상하여 높은 저항을 유지해야 하는데 Be의 활성화를 위해서는 열처리를 필요로 한다. 하지만 열처리를 하면 carrier lifetime이 길어지기 때문에 carrier lifetime과 저항을 적절히 조율해야 한다. 이는 물질자체의 특성이기 때문에 InGaAs는 GaAs보다 낮은 amplitude와 짧은 cut-off frequency를 가진다. 본 연구에서는 보다 높은 저항을 얻기 위하여 molecular beam epitaxy를 이용하여 semi-insulating InP:Fe 기판위에 격자 정합된 InGaAs:Be/InAlAs multi quantum well (MQW)를 온도별 ($250{\sim}400^{\circ}C$), 주기별 (50~150)로 성장을 하였고 이때 InGaAs layer의 Be doping level은 $2{\times}1018\;cm^{-3}$, Ex-situ annealing은 $550^{\circ}C$에서 10분으로 고정 하였다. THz 발생 실험에서는 InGaAs/InAlAs MQW은 4000 pA로 1,000 pA를 가지는 InGaAs epilayer보다 4배 높은 전류 신호를 얻을 수 있었고 모든 샘플이 2 THz에서 cut-off frequency를 가지고 있었다. THz 검출 실험에서는 LT-InGaAs:Be epilayer LT-InGaAs:Be/InAlAs, HT-InGaAs/InAlAs 샘플이 각각 180, 9000, 12000 pA의 전류신호를 가지고 있었고 모든 샘플이 2 THz에서 cut-off frequency를 가지고 있었다. HT-InGaAs/InAlAs MQW를 이용한 검출실험에서는 InGaAs layer가 defect free이지만 LT-InGaAs:Be/ InAlAs MQW 보다 높은 전류 신호를 얻을 수 있었다. 이는 InAlAs layer가 저항만 높이는 것뿐만 아니라 carrier trapping layer로써의 역할도 하는 것으로 사료된다.
The effect of $NH_3$ plasma passivation on the chemical and electrical characteristics of ALD HfAlO dielectric on the InGaAs substrate was investigated. The results show that $NH_3$ plasma passivation exhibit better electrical & chemical performance such as much lower leakage current, lower density of interface trap(Dit) level, and low unstable interfacial oxide. $NH_3$ plasma passivation can effectively enhance interfacial characteristics. Therefore $NH_3$ plasma passivation improved the HfAlO dielectric performance on the InGaAs substrate.
The optical and electrical properties of High Power AlGaAs/AlGaAs Infrared LED with DDH( Double power Double Hetero Junction) structure are investigated. The high power LED is recently studied in order to apply to high speed communication devices. The power out of AlGaAs/AlGaAs with DDH structure is 13.0[mW], the forward voltage is 1.45[V], and the average decrease rate of power out is about 5[%] after aging test. The optical and electrical properties of DDH structure LED are superior than that of SH structured LED. The DDH structured LED is suitable to the high speed communication devices.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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