• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 1992.11a
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• pp.49-54
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• 1992

Devices of ITO/CdS/CdTe/Te/Al were prepared by Electron-Beam deposition under a vacuum of $7{\times}10^{-6}$[torr]. Optical, Electrical, Structural and Photovoltaic properties of thin film CdS/CdTe at substrate. temperature 300~500[$^{\circ}C$] were also investigated, The structure of CdTe films deposited was of the zincblende type a preferential orientation of the (111) plane parallel to the substrate, the CdTe dark resistivity was about $10^6[{\Omega}cm]$. The conversion, efficiency of the cell increased with increasing substrate temperature. The best-fabricated Cell was a conversion efficiency of 9.1[%].

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2015.07a
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• pp.1515-1516
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• 2015

Touch panel 및 Touch screen 등의 투명전극으로 많이 사용되고 있는 ITO(Indium Tin Oxide)나 CNT(Carbon Nano Tube) 등 전도성 박막의 면저항을 쉽고 빠르게 측정하기 위하여 van der Pauw method를 이용한 면저항 측정기를 개발하였다. 이 면저항 측정기는 대면적 시료의 면저항을 측정 할 수 있어 매우 편리하다. 면저항 측정은 주로 Four Point Probe method로 측정하는 것이 일반적이나 본 연구에서는 van der Pauw method를 이용한 측정값과 Four Point Probe method로 측정한 결과를 비교한 결과 1 % 이내에서 일치하였다. 개발된 측정기의 측정 정확도는 지시값의 1.0 % 이하이고, 측정범위는 $2{\Omega}/{\square}{\sim} 5k{\Omega}/{\square}$이다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.11a
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• pp.297-298
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• 2015

우수한 열전 성능의 소자가 되기 위해서는 높은 전기 전도도 및 제백상수 그리고 낮은 열 전도도를 가져야한다. 본 연구에서는 DC 마그네트론 스퍼터링 법을 이용하여 비정질 구조를 갖는 ITZO 박막을 제작하였으며, 전기적 특성과 열전 특성을 조사하였다. 그 결과 ITO에 ZnO 첨가시 전기적 특성 및 열전 특성이 향상 되었다. 또한 비정질 구조를 가지므로 격자에 의한 열 전도도가 낮아 전체 열 전도도가 낮을 것이며 이는 높은 열전 성능 지수(ZT)를 가질 것이라 예상된다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 2000.01a
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• pp.127-128
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• 2000

Organic light-emitting diodes(OLEDs) are constructed using multilayer organic thin films. The hole-transport layer is PVK and the emitting material is rubrene and $Alq_3$. The emitting layer is doped with rubrene partially. As the partially-doped layer migrate from the interface PVK/emitting layer, the emission peak of rubrene decrease and diminish. By comparing with the previous reports, we propose the zero-field hole injection barrier at ITO/PVK interface and hole-trapping effect of rubrene in host materials as predominant factor to determine the emission zone.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.2 no.1
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• pp.35-48
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• 1995

마이크로회로내에서 티탄산바륨 중 바륨의 일부가 납으로 치환됨에 따른 전기적 특 성의 변화를 확인하기 위하여 MOD(금속유기화합물 분해법)공정에 의 barum 2-ethylhexanoate, barium neodecanoate, lead 2-ethylhexanoate 및 titanium dimethoxy 야 -2-ethylhexanoate 와 같은 MOC(금속 유기화합물) 들을 합성하고 공통 용매에 대한 용해 도를 시험하였다. 그 결과 barium 2-ethylhexanoate 만 p-xylene에 대한 용해도가 낮았으며 그 외의 다른 MOC들은 모두 p-xylene 단일 용매에 매우 잘 용해되었다. 바륨의 일부가 납 으로 치환된 티탄산 납바륨 박막은 MOC 혼합용액을 ITO/glass, Pt/SiO2/Si 및 Pt/Ti/SiO2/Si 웨이퍼 기판 위에 spin coating 하고 소성하여 얻었다. 이와 같이 얻어진 박막 의 전기적 특성을 측정하고 그 결과를 비교 고찰하였다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2003.07a
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• pp.38-39
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• 2003

전기적 저항이 낮은 투명 박막 물질은 현재 flat panel display, electroluminescent device, thin film transistor, solar cell 등 여러 분야에서 연구되고 있다. 그 중에서도 특히 ZnO：Ga는 현재 많이 쓰이는 ITO보다 화학적, 열적으로 안정한 상태를 보이는 투명 전도 산화막 물질로써 본 연구에서는 분광타원법을 이용하여 ZnO：Ga의 광학적 특성을 분석하였다. 본 연구를 위한 시료는 온도에 따른 ZnO：Ga／Sapphire 박막, $O_2$의 압력에 따른 ZnO：Ga／Sapphire 박막, Ga의 doping 농도에 따른 ZnO：Ga／Sapphire 박막으로 제작하였으며, 위상변조형 분광타원계(spectroscopic Phase Modulated Ellipsometer, Jobin-Yvon, UVISEL)를 사용하여 측정대역을 0.74 ~ 4.5 eV, 입사각을 70$^{\circ}$로 하여 측정하였다. (중략)

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.33 no.1
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• pp.25-30
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• 2020

Oxide (SiO₂)/Metal(Ag)/Oxide(SiO₂, ITO, ZnO) multilayer films were fabricated using a magnetron sputtering technique at room temperature on Si (p-type, 100) and a glass substrate. The electrical and optical properties of the asymmetric multilayer films depended on the thickness of the mid-layer film and the type of oxide in the bottom layer. As the metal layer becomes thicker, the sheet resistance decreases. However, the transmittance decreases when the metal layer exceeds a threshold thickness of approximately 10~12 nm. In addition, the sheet resistance and transmittance change according to the type of oxide in the bottom layer. If the oxide has a large resistivity, the overall sheet resistance increases. In addition, the anti-reflection effect changes according to the refractive index of the oxide material. The optical and electrical properties of multilayer films were investigated using an ultraviolet visible (UV-Vis) spectrophotometer and a 4-point probe, respectively. The optimum structure is SiO₂ (30 nm)/Ag (10 nm)/ZnO (30 nm) multilayer, with the highest FOM value of 7.7×10^-3 Ω^-1.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.26 no.5
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• pp.385-390
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• 2013

$(Ga_2O_3)_x(ZnO)_{100-x}$ (GZO) films were prepared at room temperature by using a facing target sputtering (FTS) system and their electrical resistivites was investigated as a function of the $Ga_2O_3$ content. The GZO film with an atomic ratio of $Ga_2O_3$ of x= 7 wt.%, shows the lowest resistivity of $7.5{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$. The GZO films were also prepared at various substrate temperatures from room temperature to $300^{\circ}C$, and their electrical resistivity was found to be improved as the substrate temperature was increased, A very low resistivity of $2.8{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$ that is almost comparable with that of ITO film was obtained in the GZO films prepared at the substrate temperature of $300^{\circ}C$ by using the FTS.

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.46 no.6
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• pp.1081-1086
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• 2008

QDs-LEDs(quantum dot light emitting device) should contain well-organized arrays of QDs on an electron transport layer. Thin films of CdSe/ZnS core-shell QDs were successfully fabricated on $TiO_2$ substrates by using PDMS stamp and micro contact printing method. 2-Carboxyethylphosphonic acid(CAPO) and 1,6-hexanedithiol(HDT) were employed as molecular linkers in assembling CdSe/ZnS core-shell QDs with high-density and uniform array. The CAPO increased the binding strength between the QDs and the substrates, and the HDT induced the strong inter-particle attractions of assembled QDs. The assembling properties of QDs thin films were characterized by SEM, AFM, optical microscope and photoluminescence spectroscope(PL).

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.313-313
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• 2009

OLED 소자는 직접발광, 광시야각, 그리고 빠른 응답속도 때문에 동영상에 적합하여 최근 각광받고 있는 디스플레이장치 중의 하나이다. OLED 소자의 양극재료로는 높은 광투과율과 $\sim10^{-4}{\Omega}\;cm$ 수준의 낮은 전기 비저항을 갖는 ITO (Sn-doped $In_2O_3$)가 널리 사용되고 있다. 하지만 원료 물질인 인듐의 수급량 부족으로 인한 문제점과 독성, 저온증착의 어려움, 스퍼터링시 음이온 충격에 의한 막 손상으로 저항의 증가의 문제점이 있고, 또한 액정디스플레이의 투명전극으로 사용될 경우 $400\;^{\circ}C$정도의 높은 온도와 수소 플라즈마 분위기에서 장시간 노출 시 열화로 인한 광학적 특성변화가 문제가 된다. 반면에 Al이 도핑 된 ZnO (AZO)박막은 넓은 밴드갭 (3.37eV)와 400nm에서 700nm 사이의 가시광 영역에서 80% 이상의 우수한 투과성을 지니고 있다. 특히 Al이 도핑된 ZnO는 박막의 전기적 특성이 크게 향상되어 디스플레이나 태양전지로의 응용이 가능하다. 또한 비교적 낮은 비용과 플라즈마에서의 안정성, 무독성, 그리고 전기전도성과 같은 많은 이점이 있다. 그 결과 AZO 박막은 ITO기판을 대안하는 지원물질로 활발히 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 TCO 박막의 면 저항과 표면 거칠기에 따른 OLED 소자의 특성을 분석하였다. ITO와 AZO 박막은 챔버 내 다양한 가스 분위기(Ar, Ar+$O_2$ and Ar+$H_2$)에서 R.F Magnetron Sputtering방법으로 증착하였다. TCO 박막의 구조적인 이해를 돕기 위해서 X-ray diffraction 과 FESEM으로 분석하였다. 광학적 투과도와 박막의 두께는 ultraviolet spectrophotometer (Varian, cary-500)와 surface profile measurement system으로 각각 측정하였다. 면저항 charge carrier 농도, 그리고 TCO 박막의 이동도와 같은 전기적특성은 four-point probe와 hall effect measurement(HMS-3000)로 각각 측정하였다. TCO 박막의 표면 거칠기 조절을 위해 photo lithography 공정을 사용하여 TCO 박막을 화학에칭 하였다. 미세사이즈 패턴 마스크가 사용되었으며 에칭의 깊이는 에칭시간에 따라 조절하였다. TCO 박막의 표면 형태는 FESEM과 AFM으로 관찰하였다. 투명전극으로 사용되는 ITO 및 AZO 기판 상용화를 위해 ITO 및 AZO 기판 위에 ${\alpha}$-NPB, Alq3, LiF, Al 의 순서로 증착 및 패터닝함으로써 OLED 소자를 제작하였다. 전류밀도와 전압 그리고 발광휘도와 전압과 같은 전기적 특성은 spectrometer(minolta CS-1000A)를 이용하여 측정하였다.