• Title/Summary/Keyword: IM Won-jun

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Arsenic implantation graph comparing with Dopant diffusion simulation and 1-D doping simulation (performed by synopsys sentaurus process)

  • Im, Ju-Won;Park, Jun-Seong
    • Proceeding of EDISON Challenge
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    • 2016.03a
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    • pp.344-346
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    • 2016
  • 본 논문에서는 3-stream model에 기반한 Dopant diffusion simulator를 사용하여 실리콘 기판 내부의 As이온의 확산을 시뮬레이션한 결과와 Dual-Pearson Analytic model에 기반하여 Ion implantation을 1-D doping simulation한 결과를 토대로 여러 공정 설계에서 diffusion simulator의 사용가능함을 확인하였다.

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