• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.64-64
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• 2009

Atomic force microscopy (AFM) fabrication of oxide patterns is an attractive technique for nanoscale patterns and related device structures, SiC exhibits good performance in high-power, high-frequency, and high-temperature conditions that is comparable to the performance of Si. The AFM fabrication of oxide patterns on SiC is important for electronic applications. However, there has not been much reported investigations on oxidation of SiC using AFM. We achieved the local oxidation of 4H-SiC using the high loading force of ~100 nN, although the oxidation of SiC is generally difficult mainly due to the physical hardness and chemical inactivity. All the experiments were performed using atomic force microscopy (S.I.S. GmbH, Germany) with a Pt/Ir-coated Si tip at ~40% humidity and room temperature. The spring constant and resonance frequency of the tip were around ~3 N/m and ~70 kHz. We fabricated oxide patterns on n-type 4H-SiC ($\sim10^{19}/cm^3$) and n-type Si ($\sim1.9\times10^{16}/cm^3$). In summary, we demonstrated that the oxide patterns can be obtained over the electric field of ${\sim}\times10^7 V/cm$ and the high loading force using the tip as a cathode. The electric field transports the oxyanions (OH-) to the positively biased surface.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2009년도 춘계학술발표대회
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• pp.21.1-21.1
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• 2009

상변화 메모리는 비휘발성 메모리이면서 빠른 동작 속도, 낮은 동작 전압 등 다양한 장점을 지니고 있어 차세대 메모리로 주목 받고 있다. 최근 상변화 메모리의 동작 전류를 감소시키기 위해 상변화 물질 및 전극 물질에 대한 연구를 진행하고 있으며, 소자의 크기를 최소화 하기 위한 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 나노 임프린트 리소그래피와 전도성 AFM을 이용하여 나노급 상변화 물질의 특성을 평가하였다. 나노급 상변화 물질을 형성하기 위해 열경화성 나노 임프린트 리소그래피를 이용하여 $Ge_2Sb_2Te_5$(GST)/Mo/SiO2 기판 위에 200nm급 홀 패턴을 형성하였다. 홀 패턴에 Cr을 증착하여 리프트 오프 한 뒤 Cr을 하드 마스크로 사용하여 GST를 식각하였다. 그 결과, Mo 하부 전극 위에200nm 지름과 100nm 높이를 가지는 GST 나노 기둥을 형성하였다. GST 나노 기둥의 전기적 특성 평가를 위해 저항 측정 장비 및 펄스 발생기와AFM을 사용하였다. AFM은 접촉 모드로 설정하였으며, Pt가 코팅된 AFM tip을 사용하여 Cr 하드 마스크와 함께 상부 전극으로 사용하였다. GST 나노 기둥을 초기화 시키기 위해 I-V sweep을 하였으며, 그 결과 $1M\Omega$에서 $10\;k\Omega$으로 저항이 변화함을 확인하였다. GST 나노 기둥은 2V, 5ns의 리셋 펄스에서 비정질로 변화하였으며, 1.3V, 150ns의 셋 펄스에서 결정질로 변화하였다. 이 동작 전압으로 5번의 스위칭 특성을 평가하였으며, 이 결과는 소자 형태의 200nm 급GST의 특성과 유사하여 나노급 상변화 물질을 테스트하는 새로운 방법으로 사용될 수 있을 것이다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.461-462
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• 2005

In order to improve the efficiency of dye-sensitized solar cell (DSC), $TiO_2$ electrode screen-printed on transparent conducting oxide (TCO) substrate was sintered in variation with different temperature(350 to $550^{\circ}C$). $TiO_2$ electrode on fluorine doped tin oxide (FTO) glass was assembled with Pt counter electrode on FTO glass. I-V properties of DSC were measured under solar simulator. Also, effect of sintering temperature on surface morphology of $TiO_2$ films was investigated to understand correlation between its surface morphology and sintering temperature. Such surface morphology was observed by atomic force microscopy (AFM). From the measurement results, at sintering temperature of $500^{\circ}C$, both efficiency and fill factor of DSC were mutually complementary, enhancing highest fill factor and efficiency. Consequently, it was considered that optimum sintering temperature of $\alpha$-terpinol included $TiO_2$ paste is at $500^{\circ}C$.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 춘계학술대회 논문집 센서 박막재료
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• pp.11-14
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• 2001

We give pressure stimulation into organic thin films and then manufacture a device under the accumulation condition that the state surface pressure is 30[mN/m]. LB layers of Arac. acid deposited by LB method were deposited onto slide glass as Y-type film. The physicochemical properties of the LB films were examined by UV absorption spectrum, SEM and AFM. The structure of manufactured device is Au/arachidic acid/Al. the number of accumulated layers are 3~9. Also. we then examined of the MIM device by means of I-V. The I-V characteristic of the device is measured from -3 to +3[V]. The insulation property of a thin film is better as the distance between electrodes is larger.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.133-133
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• 2003

최근에 강유전체 매체와 원자력 현미경 (Atomic Force Microscopy, AFM)을 이용한 초고밀도 정보 저장 장치에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 이와 아울러 나도 크기의 도메인에 대하 연구에 있어서 PZT 박막의 분극 방향에 따른 SrRuO$_3$의 저항 변화를 AFM 탐침을 이용하여 감지하는 방법을 제안하였다. 본 연구에서는 Metal tip/semiconductor/barrier oxide/ferroelectric 구조에서 강유전체 분극에 의한 저항 변화의 가능성을 실험하고자, 이와 등가 구조인 Pt tip/n-Si/SiO$_2$ 구조에서 Pt 탐침과 반도체 층 사이의 I-V 특성을 측정함으로써, 게이트 전압에 따른 반도체 층의 저항변화에 대해서 분석해 보았다. 그 결과 게이트 전압에 따라서 과밀 지역 (accumulation layer)과 공핍 지역 (depletion layer)이 형성됨에 따라서 반도체 층의 정항이 변하여 I-V 특성이 변하게 됨을 관찰하였으며, 이 결과로부터 분극 방향에 따라서도 반도체 층의 저항이 변할 수 있음을 알 수 있었다.

• Nuclear Medicine and Molecular Imaging
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• 제41권2호
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• pp.118-131
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• 2007

Neurotransmitter imaging with radiopharmaceuticals plays major role for understanding of neurological and psychiatric disorders such as Parkinson's disease and depression. Radiopharmaceuticals for neurotransmitter imaging can be divided to dopamine transporter imaging radiopharmaceuticals and serotonin trnasporter imaging radiopharmaceuticals. Many kinds of new dopamine transporter imaging radiopharmcaeuticals has a tropane ring and they showed different biological properties according to the substituted functional group on tropane ring. After the first clinical trials with $[^{123}I]{\beta}-CIT$, alkyl chain substituent introduced to tropane ring amine to decrease time for imaging acquisition and to increase selectivity. From these results, $[^{123}I]PE2I$, [18F]FE-CNT, $[^{123}I]FP-CIT$ and $[^{18}F]FP-CIT$ were developed and they showed high uptake on the dopamine transporter rich regions and fast peak uptake equilibrium time within 4 hours after injection. $[^{11}C]McN$ 5652 was developed for serotonin trnasporter imaging but this compound showed slow kinetics and high background radioactivity. To overcome these problems, new diarylsulfide backbone derivatives such as ADAM, ODAM, AFM, and DASB were developed. In these candidates, $[^{11}C]AFM$ and $[^{11}C]DASB$ showed high binding affinity to serotonin transporter and fast in vivo kinetics. This paper gives an overview of current status on dopamine and serotonin transporter imaging radiopharmaceuitcals and the development of new lead compounds as potential radiopharmaceuticals by medicinal chemistry.

• 대한기계학회논문집B
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• 제30권5호
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• pp.397-404
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• 2006

Effects of surface defect distribution on flame instability during flame-surface interaction are experimentally investigated. To examine chemical quenching phenomenon which is caused by radical adsorption and recombination processes on the surface, thermally grown silicon oxide plates with well-defined defect density were prepared. ion implantation technique was used to control the number of defects, i.e. oxygen vacancies. In an attempt to preferentially remove oxygen atoms from silicon dioxide surface, argon ions with low energy level from 3keV to 5keV were irradiated at the incident angle of $60^{\circ}$. Compositional and structural modification of $SiO_2$ induced by low-energy $Ar^+$ ion irradiation has been characterized by Atomic Force Microscopy (AFM) and X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS). It has been found that as the ion energy is increased, the number of structural defect is also increased and non-stoichiometric condition of $SiO_x({\le}2)$ is enhanced.

• 한국항행학회논문지
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• 제17권3호
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• pp.279-284
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• 2013

운항의 여러 단계 중 착륙단계에서 조종사들이 많은 부담을 느낀다. 이는 조종사들이 항공기 속도를 줄이고 접지하여 완전히 정지하는 동안 착륙안전에 영향을 미치는 여러 요소가 있기 때문이다. 만일 착륙하는데 활주로길이가 충분하다면 부담이 적을 수도 있다. 그러나 항상 그런 경우만 있는 것은 아니다. 따라서 착륙성능이 제한범위 내에 있는지 아닌지를 확인할 필요가 있다. 필요착륙거리는 시험비행 조종사에 의해 실증되어진 실제착륙거리에다가 항공사의 평균적인 조종사들을 위한 여유분을 포함한 것이다. FAR의 AFM(항공기 비행규정) 인가는 건조 및 습윤 활주로에서 수동착륙을 기반으로 한다. 기타 다른 활주로 조건에서는 인가가 필요하지 않다. JAR에서는 빙설/윤활활주로에서도 정해진 여유분을 포함시키도록 규정하고 있다. 자동착륙은 인가사항이 아니므로 실제착륙거리만 제공된다. 본 논문에서는 각 활주로 조건에서 포함된 거리 여유분을 분석하고자 한다. 또한 특정한 활주로 조건에서 여유분이 규정되어 있지 않은 경우 대안을 제시하고자 한다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2010년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.569-570
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• 2010

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1995년도 제9회 학술발표회 논문개요집
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• pp.127-127
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• 1995