• 제목/요약/키워드: Hybrid UV Lithography

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하이브리드 자외선 노광법을 이용한 3차원 고종횡비 미소구조물 제작 (Hybrid UV Lithography for 3D High-Aspect-Ratio Microstructures)

  • 박성민;남경목;김종훈;윤상희
    • 대한기계학회논문집A
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    • 제40권8호
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    • pp.731-736
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    • 2016
  • 본 연구에서는 의용생체공학에 널리 사용되는 미소바늘과 같은 3차원 고종횡비 미소구조물을 용이하게 제작할 수 있는 하이브리드 자외선 노광법에 대해 기술한다. 하이브리드 자외선 노광법은 기존에 사용되고 있는 경사노광, 회전노광 및 역노광을 혼합한 방법으로, 경사 및 회전노광은 경사진 축대칭 형상을 가지는 3차원 미소구조물의 제작이 가능하도록 하고 역노광은 자외선 노광공정 중 필연적으로 발생하는 하부기판에서의 자외선 반사를 최소화 시킨다. 자체 개발한 자외선 노광시스템과 SU-8 음성감광제를 이용하여 하이브리드 자외선 노광법의 다양한 공정조건이 최종 제작된 3차원 고종횡비 미소구조물 형상(종횡비, 선단의 곡률반경 등)에 미치는 효과를 확인한다. 또한 SU-8의 소프트 베이킹(soft baking) 조건과 미소구조물 선단 형상 사이의 관계에 대해서도 논의한다.

유연기판을 위한 UV/Thermal 하이브리드방식 나노임프린트 시스템 (UV/Thermal Hybrid Nanoimprint System for Flexible Substrates)

  • 임형준;이재종;최기봉;김기홍;안현진;류지형
    • 한국생산제조학회지
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    • 제20권3호
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    • pp.245-250
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    • 2011
  • An UV/thermal hybrid nanoimprint lithography system was designed and implemented for the pattern transfer to flexible substrates. This system can utilize a plate stamp, roll stamp, and film stamp. For all cases of using those stamps, this system is also switchable an UV or thermal nanoimprint lithography mode. This paper shows how to design the heating and UV curing plates and proposes how to change them easily. Because the pressure condition and the speed of the press roller varies by the characteristics of the stamp and substrate, all the parameters related to the nanoimprint lithography have to adjustable. Some transferred patterns are shown in this paper to verify the performance of the hybrid nanoimprint lithography system. The flexible substrates with nano-scale patterns on them will be key components for next generation technologies such as flexible displays, bendable semi-conductors, and solar cells.

Hot embossing 공정을 이용한 100nm 급 Hybrid stamp 제작 (Sub-100nm Hybrid stamp fabrication by Hot embossing)

  • 홍성훈;양기연;이헌
    • 한국정밀공학회:학술대회논문집
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    • 한국정밀공학회 2005년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.1168-1170
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    • 2005
  • Nanoimprint Lithography(NIL) has increasingly been recognized as a key manufacturing technology for nanosized feature. One of the most important task for nanoimprint lithography is to provide the imprinting stamp with low price. The Stamp fabricated with Si based material by e-beam lithography, RIE is extremely expensive and its throughput is very limited and PDMS replica is too soft to hold high imprinting pressure.(>5atm) In this study, we present the imprinting stamp which can be easily replicated from original mold and is based on PVC film. Replication of original Si mold to PVC film was done by Hot embossing technique, ($120^{\circ}C$ of Temperature, 20 atm applied) As small as 100nm patterns were successfully transferred into PVC film. The size of stamp was up to 100mm in diameter.

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UV 차단 금속막을 이용한 잔류층이 없는 UV 나노 임프린트 패턴 형성 (UV-nanoimprint Patterning Without Residual Layers Using UV-blocking Metal Layer)

  • 문강훈;신수범;박인성;이헌;차한선;안진호
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제12권4호통권37호
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    • pp.275-280
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    • 2005
  • 나노 임프린트 (NIL)와 포토 리소그라피를 접목시킨 combined nanoimprint and photolithography (CNP) 기술을 이용하여 나노 미세 패턴을 형성하였다. 일반적인 UV-NIL 스탬프의 양각 패턴 위에 Cr 금속막을 입힌 hybrid mask mold (HMM)을 E-beam writing과 plasma etching으로 제작하였다. HMM 전면에는 친수성 물질인 $SiO_2$를 코팅하여 점착방지막 역할의 self-assembled monolayer(SAM) 형성을 용이하게 함으로써 HMM과 transfer layer의 분리를 용이하게 하여 패턴 손상을 억제하였다. 또한, transfer layer에는 일반적인 monomer resin 대신에 건식 에칭에 대한 저항력이 높은 negative PR을 사용하였다. Photo-mask 역할을 하는 HMM의 Cr 금속막이 UV를 차단하여 잔류하게 되는 PR의 비경화층(unexpected residual layer)은 간단한 현상 공정으로 제거하여 PR 잔류층이 없는 나노 미세 패턴을 transfer layer에 형성하였다.

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UV 나노임프린트 리소그래피의 Quartz 기판상의 Resin mold 제거를 위한 Hybrid 세정공정에 관한 연구

  • 조윤식;김민수;강봉균;김재관;이병규;박진구
    • 한국재료학회:학술대회논문집
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    • 한국재료학회 2012년도 춘계학술발표대회
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    • pp.81.1-81.1
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    • 2012
  • 나노임프린트 리소그라피(Nano-Imprint Lithography, NIL) 기술은 기판위의 resin을 나노구조물이 각인된 스탬프로 눌러서 나노구조물을 형성하는 기술로, 경제적이고 효과적으로 나노구조물을 제작할 수 있는 기술이다. 그중에서도 UV 기반의 나노임프린트(UV-NIL) 기술은 resin을 투명한 스탬프로 누른뒤 UV로 경화시켜 나노구조물을 형성하는 기술로써 고온, 고압($140{\sim}180^{\circ}C$, 10~30bar)이 필요한 가열식 나노임프린트 기술에 비해 상온, 상압($20^{\circ}C$, 1bar)에서도 구조물 형성이 가능하여 다층구조 형성에 적합하다. 연속적인 임프린팅 공정에 의해 resin이 quarz 스탬프에 잔류하여 패터닝에 결함을 유발하게 되므로 오염물을 제거하기 위한 세정공정이 필요하다. 하지만 UV에 의해 경화된 resin은 cross-linking을 형성하여 화학적인 내성이 증가하게 되므로 제거하기가 어렵다. 현재는 resin 제거를 위한 세정공정으로 SPM($H_2SO_4/H_2O_2$) 세정이 사용되고 있는데 세정시간이 길고 세정 후에 입자 또는 황 잔유물이 남으며 많은 유해용액 사용의 문제점이 있어 효과적으로 resin을 제거할 세정공정이 필요한 상황이다. 본 연구에서는 친환경적인 UV 세정 및 오존수 세정공정을 적용하여 경화된 resin을 제거하는 연구를 진행하였다. 실험샘플은 약 100nm 두께의 resin을 증착한 $1.5cm{\times}1.5cm$ $SiO_2$ 쿠폰 wafer를 사용하였으며, UV 및 오존수의 처리시간을 달리하여 resin 제거효율을 평가하였다. ATR-FTIR 장비를 사용하여 시간에 따른 resin의 두께를 측정한 결과, UV 세정으로 100nm 높이의 resin중에 80nm의 bulk resin이 단시간에 제거가 되었고 나머지 20nm의 resin thin film은 오존수 세정으로 쉽게 제거되는 것을 확인 하였다. 또한 표면에 남은 resin residue와 particle을 제거하기 위해서 SC-1 세정을 진행하였고 contact angle과 optical microscope 장비를 사용하여 resin이 모두 제거된 것을 확인하였다.

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