• 제목/요약/키워드: How wall epitaxy

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Hot-wall epitaxy법에 의한 CdTe 박막의 성장과 특성 (Hot-wall epitaxial growth and characteristic of CdTe films)

  • 박효열;조재혁;진광수;황영훈
    • 한국결정성장학회지
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    • 제14권4호
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    • pp.140-144
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    • 2004

  • Hot-wall epitaxy법으로 GaAs 기판 위에 성장시킨 CdTe 박막은 (III) 면의 단결정 박막으로 성장되었음을 XRD 측정으로부터 확인하였으며, 박막 성장률은 SEM 측정 사진으로부터 30 $\AA/s$임을 알았다. PL 측정으로 얻은 최적성장조건은 원료물질 온도 $500^{\circ}C$, 기판 온도 $320^{\circ}C$이었다.

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