• International Journal of Advanced Culture Technology
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• 제10권3호
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• pp.332-338
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• 2022

The article presents a concept of designing a Multiplexer circuit which acts as a "Selector" and that becomes capable to select different speed created at different TTL Gate configurations; Standard TTL(Normal Speed), High Speed TTL(High Speed), Schottky TTL(Super High Speed) and further connect the selected Gate speed to the CAR shape created using C-Programming at Computer Graphics and finally CAR shape display at different speed to the color TV. The Multiplexer supporting efficient and more reliable selection criteria using "Logical based selection criteria" and further the output from multiplexer is provided to CAR shape created using c-programming and finally CAR shape is display to color TV system. Basic purposes and assumptions regarding the design and development of this system as well as a description of its operation have been presented.

• 전자공학회논문지B
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• 제33B권1호
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• pp.25-37
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• 1996

실시간 컴퓨터 그래픽 처리를 위하여는 고속 연산(승산 및 가산)회로가 필요하다. 잉여수 체계(RNS:Residue Number System)는 병렬성과 고속성을 갖는 정수연산체계이고, 또한 순환군(cyclic group)은 가산과 승산이 동형인 잉여수 연산을 수행하므로 고속의 승산기와 가산기의 설계가 가능하다. 그러므로, 본 논문에서는 DRNS(Double Residue Number System)를 제안하고, 순환부호(circula- tive code)를 이용한 고속의 잉여수 승산기를 설계하여, 이를 그래픽 프로세서의 연산기로 사용하고자 한다. 설계된 승산기는 TTL소자 74s09, 74s32를 사용한 경우 87MHz속도의 연산이 가능하다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제16권2호
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• pp.167-173
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• 2005

직렬 PIN 다이오드 스위치의 격리도는 PIN 다이오드의 병렬 커패시턴스에 의해 제한을 받으며, 스위치 구동회로는 PIN 다이오드 스위치의 스위칭 속도를 제한한다. 이런 문제를 극복하기 위해, 병렬 공진 인턱턴스와 TTL 호환의 스위치 구동회로가 적용된 높은 격리도와 고속 스위칭의 PIN 다이오드 스위치를 제안하였다. 3 GHz PIN 다이오드 스위치의 측정 결과, 1 GHz의 주파수 대역폭, 1.5 dB 이내의 삽입 손실, 65 dB의 격리도, 15 dB 이상의 반사 손실 그리고 30 ns 이내의 스위칭 속도를 나타내었다. 특히, 병렬 공진 인덕턴스를 사용한 3 GHz스위치는 15 dB의 격리도 향상을 나타내었다.

• 전자공학회논문지C
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• 제34C권4호
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• pp.16-25
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• 1997

This paper shows a SDRAM opeating in 200MHz clock cycle which it use data interleave and pipelining for high speed operation. We proposed NdC (Negative DEaly circuit) to improve clock to access time(tAC) characteristics, also we proposed low power WL(wordline)driver circit and high efficiency VPP charge-pump circit. Our all circuits has been fabricated using 0.4um CMOS process, and the measured maximum speed is 200Mbytes/s in LvTTL interface.

• 한국통신학회논문지
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• 제28권1A호
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• pp.47-53
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• 2003

본 논문에서는 155 Mb/s급 멀티플렉서-디멀티플렉서를 단일소자로 설계하였다. 이 소자는 초고속 전송망의 전송노드 역할을 하는 2.5 Gb/s SDH 전송시스템에 적용되어 51 Mb/s의 병렬 데이터들을 155 Mb/s의 직렬 데이터로 다중화 하거나 155 Mb/s 직렬 데이터들을 51 Mb/s의 병렬 데이터로 역 다중화 하는 기능을 수행한다 소자의 저속부는 TTL로 접속되고 고속부는 100K ECL로 접속되며 0.7${\mu}m$BiCMOS gate array로 제작되었다 설계 제작된 소자는 180˚의 155 Mb/s 데이터 입력 phase margin을 가지며 출력 데이터 skew는 470ps, 소비전력은 2.0W 이하의 특성을 보인다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제39권6호
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• pp.51-58
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• 2002

본 논문에서는 ECL macrocell array를 사용하여 155/311 Mb/s급 MUX/DEMUX 소자를 단일소자로 설계하였다. 이 소자는 초고속 전송망의 전송노드 역할을 하는 2.5 Gb/s SDH 전송시스템에 적용되어 51Mb/s의 병렬 데이터를 155 Mb/s(혹은 311 Mb/s)의 직렬 데이터로 비트 교직 다중화 하거나 155 Mb/s(혹은 311 Mb/s) 직렬 데이터를 51 Mb/s의 병렬 데이터로 비트 교직 역 다중화 하는 기능을 수행한다. 소자의 저속부는 TTL로 접속되며 고속부는 100K ECL로 접속되며 모토롤라 ETL3200 macrocell array로 제작되었다. 설계 제작된 소자는 180° 의 311 Mb/s 데이터 입력 Phase margin을 가지며 출력 데이터 skew는 220 ps로 평가되었다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 추계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.345-348
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• 2000

In this paper, We described the procedures to generate an input-output buffer information specification (IBIS) model in digital IC circuits. We gives the method to describe IBIS standard I/O for the characteristics of I/O buffer and to represent its electrical characteristics. The parameters of I/O structure for I/O buffer modelling are also referred, and an IBIS model for CMOS, TTL IC, ROM and RAM constructed amounts about 216. This IBIS model can be used to the simulation of signal integrity of high speed circuits in a PCB level.

• 한국통신학회논문지
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• 제7권2호
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• pp.47-54
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• 1982

본 논문에서는 A/D, D/A 변환의 한 방식인 1-bit interpolation 방법을 개선, 보완한 1-bit interpolation per-channel u-law companding PCM변환방법을 제시하고 실험회로를 구성하여 이의 동작을 확인하였다. 실험회로는 시중에서 입수하기 수월한 소자들인 TTl, logic IC 및 741 OP Amp 등으로 구성하였다. 실험결과로서는 40dB에 걸친 입력 dynamic range와 40dB 이상의 출력 dynamic range를 얻을 수 있었다. 본 논문에서 제시한 per-channel A/D, D/A변환기는 현용의 공통 codec의 단점을 충분히 보완시킬 수 있을 뿐 아니라 다중화에 있어서도 상당한 잇점을 지니고 있다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제18권4호
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• pp.364-371
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• 2007

본 논문에서는 와이브로 기지국 시스템을 위한 고전력 PIN 다이오드 스위치와 고속 스위치 구동회로에 대한 설계와 측정 결과를 제공한다. 일반적인 전력용 팩키지 다이오드의 기생 인덕턴스에 의한 격리도 열화를 막고 다이오드 스위치의 전력 능력을 향상시키기 위해 칩 형태의 다이오드를 사용하였으며, 본딩 와이어에 의한 직렬 인덕턴스는 전송선로의 임피던스에 쉽게 흡수될 수 있도록 회로를 구성하였다. 구현된 스위치 모듈은 사용된 다이오드의 개수를 최대한 줄이면서 최대의 성능을 얻을 수 있도록 설계되었으며 2.35 GHz에서 써큘레이터의 손실을 포함하여 약 0.84 dB의 삽입 손실과 80 dB 이상의 격리도 특성을 보였다. 또한 TTL 신호를 통한 스위치 모듈의 제어를 위해 스위치 구동회로를 설계, 제작하였으며 스위칭 속도는 200 nsec로 측정되었다. 스위치 모듈은 디지털 변조된 고전력 신호에 의해 전력능력이 시험되었으며 70 W의 전력이 인가되는 경우에도 정상적으로 동작하는 특성을 보여주었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2000년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.2116-2118
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• 2000

In the technique of Q-switching, very fast electronically controlled optical shutters can be made by using the electro-optic effect in crystals or liquids. The driver for the Pockels cell must be a high-speed, high-voltage switch which also must deliver a sizeable current. Common switching techniques include the use of vacuum tubes, cold cathode tubes, thyratrons, SCRs, and avalanche transistors. Semiconductor devices such as SCRs, avalanche transistors, and MOSFETs have been successfully employed to drive Pockels cell Q-switch. In this study, a simple driver for the Pockels cell Q-switch was developed by using SCRs, pulse transformer and TTL ICs. The Pockels cell Q-switch which was operated by this driver was employed in pulsed Nd:YAG laser system to investigate the operating characteristics of this Q-switch. And we have investigated the output characteristics of this Q-switch as a function of the Q-switch delay time to Xe flashlamp current on.